近期，北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“銘鎵半導(dǎo)體”）使用導(dǎo)模法成功制備了高質(zhì)量4英寸（001）主面氧化鎵（β-Ga2O3）單晶，完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破。

據(jù)悉，穩(wěn)態(tài)氧化鎵晶體為單斜結(jié)構(gòu)，存在（100）和（001）兩個(gè)解理面，主面為（001）晶體的生長(zhǎng)工藝要求極高的工藝過(guò)程控制，相同加工條件下（001）面表面質(zhì)量和成品率也更優(yōu)。

駱駝股權(quán)投資消息顯示，銘鎵半導(dǎo)體光學(xué)晶體已完成中試，開(kāi)始轉(zhuǎn)型規(guī)?；慨a(chǎn)；其生產(chǎn)的摻雜人工光學(xué)晶體已獲得國(guó)內(nèi)國(guó)外客戶的廣泛認(rèn)可；磷化銦多晶材料產(chǎn)線也已上線運(yùn)營(yíng)，完成重點(diǎn)客戶認(rèn)證工作，并獲得客戶的長(zhǎng)期穩(wěn)定性訂單。

銘鎵半導(dǎo)體成立于2020年，是一家從事新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料以及人工晶體半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化的公司，致力于相關(guān)高頻、高功率器件的設(shè)計(jì)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。其官方消息稱，銘鎵半導(dǎo)體采用自主研發(fā)和國(guó)際先進(jìn)材料生長(zhǎng)及加工設(shè)備，構(gòu)建了滿足氧化鎵單晶生長(zhǎng)、氧化鎵異質(zhì)/同質(zhì)外延片生長(zhǎng)、摻雜藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)、超高頻磷化銦材料、晶體加工、芯片器件系統(tǒng)制作及檢測(cè)等技術(shù)開(kāi)發(fā)和成品化規(guī)模生產(chǎn)的研發(fā)基地。

目前，銘鎵半導(dǎo)體已研制并生產(chǎn)出高質(zhì)量、大尺寸氧化鎵單晶片與外延片、大尺寸藍(lán)寶石窗口材料、磷化銦多晶及單晶襯底、高靈敏日盲紫外探測(cè)傳感器件、高靈敏光電型局部放電檢測(cè)系統(tǒng)等產(chǎn)品。

（來(lái)源：集微）