2023年2月7-10日（7日報到），第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。其中，超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件技術分會目前已經(jīng)確認最新報告嘉賓及日程正式出爐！
“超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件”技術分會（2月9日08:30-17:30）作為IFWS&SSLCHINA 2022重要的分論壇之一，該分會得到了牛津儀器科技（上海）有限公司、蘇州思體爾軟件科技有限公司等單位協(xié)辦支持，由山東大學講席教授陶緒堂，中國科學技術大學微電子學院執(zhí)行院長、教授龍世兵，西安電子科技大學副校長、教授張進成，鄭州大學副校長、教授單崇新，北京大學教授、北大東莞光電研究院院長、教授王新強，西安交通大學教授王宏興，南京大學教授葉建東，鄭州大學教授劉玉懷，西安電子科技大學教授韓根全等也業(yè)內(nèi)知名專家共同召集。
該技術分會行業(yè)關注的較高，在上、下兩場中安排的主題報告十分豐富。上午場有：西安電子科技大學副校長、教授張進成，香港科技大學副教授黃文海，中山大學佛山研究院院長、中山大學半導體照明材料及器件國家地方聯(lián)合工程實驗室主任、教授王鋼，西安電子科技大學教授韓根全，國家納米科學中心研究員、中科院納米標準與檢測重點實驗室副主任劉新風，北京大學工學院特聘研究員宋柏，中國科學院半導體所研究員張興旺，復旦大學微電子學院教授盧紅亮，湖北大學教授何云斌，南京大學汪正鵬；下午場有：哈爾濱工業(yè)大學教授朱嘉琦，中國電科首席科學家、中國電科13所研究員、專用集成電路國家級重點實驗室常務副主任馮志紅，日本國立物質(zhì)材料研究所研究員廖梅勇，西安電子科技大學教授張金風，大連理工大學副教授張赫之，沙特國王科技大學副教授李曉航，鄭州大學副教授楊珣，山東大學副教授穆文祥，英國布里斯托大學新興技術系主任、教授Martin KUBALL，蘇州思體爾軟件科技有限公司副總經(jīng)理付昊，中國科學技術大學周凱等等國內(nèi)外科研院所與代表企業(yè)的專家們將帶來前沿報告，分享超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件領域的最新進展。目前該分會日程已經(jīng)出爐，詳情如下：
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技術分論壇：超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件 Technical Sub-Forum: Ultra-wide Bandgap Semiconductors Materials and Devices |
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時間：2023年2月9日08:30-17:30 地點：地點：蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店 • 會議室K3 Time: Feb 9，2023，08:30-17:30 Location: Kempinski Hotel Suzhou • K3 |
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協(xié)辦支持/Co-organizer: 牛津儀器科技（上海）有限公司/Oxford Instruments Technology (Shanghai) Co., Ltd. 蘇州思體爾軟件科技有限公司/ SuZhou STR Software Technology Co., Ltd |
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9 |
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主持人 Moderator |
陶緒堂 / TAO Xutang 山東大學講席教授 Chair Professor of Shandong University 龍世兵 / LONG Shibing 中國科學技術大學微電子學院執(zhí)行院長、教授 Executive Dean & Professor of School of Microelectronics at University of Science and Technology of China 單崇新 / SHAN Chongxin 鄭州大學副校長、教授 Vice President & Professor of Zhengzhou University |
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08:30-08:50 |
Research on Voltage Withstand and Power Optimum Value of Ga2O3 Power Devices 張進成——西安電子科技大學副校長、教授 ZHANG Jincheng——Vice President and Professor of Xidian University |
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08:50-09:10 |
橫向和縱向β-Ga2O3功率MOSFET的十年進展 A Decade of Advances in Lateral and Vertical β-Ga2O3 Power MOSFETs 黃文海——香港科技大學副教授 Man Hoi WONG——Associate Professor of The Hong Kong University of Science and Technology |
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新型寬禁帶壓電半導體材料ε-Ga2O3及其在射頻諧振器中的應用 ε-Ga2O3: an Emerging Wide Bandgap Piezoelectric Semiconductor for Application in Radio Frequency Resonators 王鋼——中山大學佛山研究院院長，中山大學半導體照明材料及器件國家地方聯(lián)合工程實驗室主任、教授 WANG Gang——Professor and Dean of Foshan Institute of Sun Yat-Sen University; Director of the National-Local Joint Engineering Laboratory of Semiconductor Lighting Materials and Devices of Sun Yat-Sen University |
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09:30-09:50 |
氧化鎵異質(zhì)結(jié)功率晶體管 Gallium Oxide Heterogeneous and Heterojunction Power Transistors 韓根全——西安電子科技大學教授 HAN Genquan——Professor of Xidian University |
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09:50-10:10 |
利用泵浦-探測瞬態(tài)反射顯微技術測定立方砷化硼的高雙極性遷移率 High Ambipolar Mobility in Cubic Boron Arsenide（BAs）Revealed by Transient Reflectivity Microscopy 劉新風——國家納米科學中心研究員,中科院納米標準與檢測重點實驗室副主任 LIU Xinfeng——Professor of National Nanoscience Center, Deputy director of the Key Laboratory of Standardizaiton and Characteriaziton of the Chinese Academy of Sciences |
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10:10-10:25 |
茶歇 / Coffee Break |
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超高熱導率立方砷化硼和氮化硼晶體 Cubic boron arsenide and boron nitride crystals with ultrahigh thermal conductivity 宋柏——北京大學工學院特聘研究員 SONG Bai——Professor of Peking University |
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10:45-11:05 |
超寬禁帶六方氮化硼二維原子晶體及其光電器件 Growth of ultra-wide band-gap two-dimensional hexagonal boron nitride for optoelectronic devices 張興旺——中國科學院半導體所研究員 ZHANG Xingwang——Professor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences |
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11:05-11:25 |
Ga2O3光電二極管的可控制備及應用 Controllable Fabrication and Application of Ga2O3 Photodiodes 盧紅亮——復旦大學微電子學院教授 LU Hongliang——Professor of Fudan University |
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11:25-11:45 |
MgO（100）上生長柱狀納米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高靈敏度日盲探測器研究 Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity 何云斌——湖北大學教授 HE Yunbin——Professor of Hubei University |
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11:45-12:00 |
NiO/Ga2O3異質(zhì)結(jié)二極管中深能級陷阱和載流子輸運機制 Correlation of deep-level traps and carrier transport mechanisms in NiO/Ga2O3 heterojunction diodes 汪正鵬 ——南京大學 Zhengpeng Wang—— Nanjing University |
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11:45-13:30 |
午餐 / Lunch |
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13:30-13:50 |
單晶金剛石肖特基半導體器件研究 Study on Single Crystal Diamond Schottky Devices 朱嘉琦——哈爾濱工業(yè)大學教授 ZHU Jiaqi——Professor of Harbin University of Technology |
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金剛石微波功率器件進展 Progress in Diamond Microwave Power Devices 馮志紅——中國電科首席科學家、中國電科13所研究員、專用集成電路國家級重點實驗室常務副主任 FENG Zhihong——Hebei Semiconductor Research lnstitute |
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14:10-14:30
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半導體金剛石n型電子器件和MEMS Semiconductor diamond n-type electronic devices and MEMS 廖梅勇——日本國立物質(zhì)材料研究所研究員 LIAO Meiyong——Professor of National Institute for Material Science，NIMS,Japan |
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14:30-14:50
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MPCVD法金剛石同質(zhì)外延生長及MOS器件技術 Homogeneous epitaxial diamond growth by MPCVD and its MOS device technology 張金風——西安電子科技大學教授 ZHANG Jinfeng——Professor of Xidian University |
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14:50-15:10 |
利用高Al組分β-(AlGa)2O3緩沖層在藍寶石襯底上優(yōu)化生長高質(zhì)量β-Ga2O3厚膜 Growth of high quality β- Ga2O3 thick film on sapphire by using high Al content β- (AlGa)2O3 buffer layer 張赫之——大連理工大學副教授 ZHANG Hezhi——Associate professor of Dalian University of Technology |
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15:10-15:25 |
茶歇 / Coffee Break |
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15:25-15:45 |
在可穿戴光電子學和電子學的柔性襯底上外延生長氧化鎵半導體 Epitaxial growth of ga2o3 UWB semiconductor on flexible substrates for wearable optoelectronics and electronics 李曉航——沙特國王科技大學副教授 LI Xiaohang——Associate Professor at King Abdullah University of Science & Technology |
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15:45-16:05 |
金剛石深紫外光電探測器研究 Deep ultraviolet photodetectors based on diamond 楊珣——鄭州大學副教授 YANG Xun——Professor of Zhengzhou University |
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16:05-16:25
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β-Ga2O3單晶的體晶生長與性能 Bulk crystal growth and properties of β-Ga2O3Single Crystal 穆文祥——山東大學副教授 MU Wenxiang——Associate Professor of Shandong University |
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16:25-16:50（從英國連線互動）
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Ultrawide Bandgap Ga2O3 Technologies - Benefits of Heterogeneous Integration Martin KUBALL——英國布里斯托大學新興技術系主任、教授 Martin KUBALL——Royal Academy of Engineering Chair in Emerging Technologies at the University of Bristol, UK |
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16:50-17:05
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超寬禁帶半導體氧化鎵及金剛石的晶體生長模擬研究 Modeling of ultrawide Bandgap Semiconductor crystal growth for Gallium oxide and Diamond 付昊——蘇州思體爾軟件科技有限公司副總經(jīng)理 Henry FU——Vice General Manager of SuZhou STR Software Technology Co., Ltd. |
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17:05-17:20 |
基于表面電位的β-Ga2O3功率MOSFET緊湊模型 A Surface Potential based Compact Model for β-Ga2O3 Power MOSFETs 周凱——中國科學技術大學 ZHOU Kai——China University of Science and Technology |
（備注：會前或許微調(diào)，請以現(xiàn)場日程為準。）
【部分嘉賓簡介】
陶緒堂
山東大學講席教授
陶緒堂，1983年畢業(yè)于山東大學化學系，獲得學士學位。同年考入山東大學晶體材料研究所，師從蔣民華教授。1986年獲碩士學位并留校工作，1991年10月赴日留學，2002年8月回國工作?，F(xiàn)任山東大學教授、晶體材料研究所所長、晶體材料國家重點實驗室主任。2002年度教育部長江學者特聘教授、2003年度國家杰出青年基金、2005年度教育部創(chuàng)新團隊和2007年度國家自然科學基金委創(chuàng)新群體學術帶頭人。兼任中國硅酸鹽學會理事，中國晶體學會理事,中國硅酸鹽學會晶體生長專業(yè)委員會委員，中國物理學會固體缺陷專業(yè)委員會副主任，第六屆教育部科學技術委員會國防科技學部委員。發(fā)表SCI收錄學術論文400余篇，研究成果曾被美國的Chem. & Eng. News , 英國的Chemistry & Industry, 美國化學會, “ Nature Asia” 等報道。連續(xù)五年（2014-2018）入選愛思唯爾中國高被引學者（Most Cited Chinese Researchers）榜單。曾獲教育部科學技術進步一等獎、山東省科學技術進步一等獎、日本材料學會優(yōu)秀報告獎。獲2015年、2016年度教育部自然科學二等獎。
龍世兵
中國科學技術大學微電子學院執(zhí)行院長、教授
龍世兵，中國科學技術大學微電子學院執(zhí)行院長、教授。長期從事微納加工、阻變存儲器、超寬禁帶半導體器件領域的研究。IEEE EDL/TED、Adv. Mater.等多種國際著名學術期刊的審稿人。在IEEE EDL、Adv. Mater.、Nat. Commun.等國際學術期刊上發(fā)表論文100余篇，SCI他引5500余次，H因子43，6篇論文入選ESI高引論文。申請專利100余項，其中9項轉(zhuǎn)移給國內(nèi)最大的集成電路制造企業(yè)中芯國際，74項授權(quán)/受理發(fā)明專利許可給武漢新芯。主持國家自然科學基金、科技部（863、973、重大專項、重點研發(fā)計劃）、中科院、廣東省等資助科研項目20多項。參與獲得國家技術發(fā)明獎二等獎、國家自然科學二等獎、中國科學院杰出科技成就獎。
張進成
西安電子科技大學副校長、教授
張進成，西安電子科技大學副校長、教授。寬禁帶半導體器件與集成電路國家工程研究中心副主任、寬帶半導體技術國家級重點實驗室副主任。主要研究領域為寬禁帶與超寬禁帶半導體材料與器件，發(fā)表SCI論文300余篇，出版專著3部，授權(quán)發(fā)明專利80余項，成果6次被國際著名雜志Semiconductor Today專題報道。獲得國家技術發(fā)明二等獎2項（排名第一和第二），省部級科技一等獎4項以及國家教學成果一等獎1項。1998年起師從中國科學院院士郝躍教授，從事寬禁帶半導體電子材料與器件研究，是我國乃至國際上最早開展寬禁帶（第三代）半導體電子器件與材料研究的知名學者之一。曾獲國家杰出青年基金獲得者（2019年）、國家萬人計劃領軍人才（2019年）、科技部中青年科技創(chuàng)新領軍人才（2018年）、教育部長江學者特聘教授（2016年）、國務院政府特殊津貼專家（2016年）、陜西省重點科技創(chuàng)新團隊負責人（2017年）、陜西省三秦學者特聘教授（2016年）、陜西省三五人才（2010年）、陜西省青年科技新星（2010年）等。
單崇新
鄭州大學副校長、教授
單崇新，鄭州大學副校長，理學博士，教授，博士生導師，國家杰出青年基金獲得者，教育部長江學者特聘教授。主要從事金剛石光電材料與器件研究，發(fā)表學術論文300余篇，被引用11000余次。先后主持國家重大儀器研制項目、國家自然科學基金委-河南省聯(lián)合基金重點項目等科研項目。獲國家杰出青年基金、長江學者特聘教授、中國青年科技獎、中組部萬人計劃“青年拔尖人才”、人社部“百千萬人才工程”及國家有突出貢獻中青年專家、中原學者、河南省杰出專業(yè)技術人才、河南省五四青年獎章、河南省創(chuàng)新爭先獎狀、河南省優(yōu)秀科技專家等獎勵和榮譽。
王新強
北京大學教授、北大東莞光電研究院院長
王新強，北京大學物理學院教授，教育部長江特聘教授，國家杰出青年基金獲得者，萬人計劃中青年領軍人才，北京大學東莞光電研究院院長，人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點實驗室副主任，北京大學學科建設辦公室主任。分別于1996和2002年在吉林大學電子科學與技術學院獲得學士和博士學位，2002-2008年在日本千葉大學和日本科學技術振興機構(gòu)進行研究工作，2008年由百人計劃加入到北京大學物理學院工作。主要從事寬禁帶半導體材料、物理與器件研究，發(fā)表SCI論文160余篇，SCI引用逾2500次，在國內(nèi)外學術會議上做邀請報告30余次，受邀在兩部英文專著中撰寫了二章節(jié)，申請/獲得發(fā)明專利12項，擔任國家重點研究計劃項目負責人（首席），承擔國家“863”計劃重大項目等多項課題。擔任Elsevier出版社“Superlattices and Microstructures”編輯，NPG出版社“Scientific Reports”和Wiley出版社Physica Status Solidi系列編委。
Martin KUBALL
英國布里斯托大學新興技術系主任、教授
廖梅勇
日本國立物質(zhì)材料研究所研究員
廖梅勇教授主要從事寬禁帶半導體材料、物理、光電子及MEMS器件等研究。報告指出金剛石集機械、物理、化學、光學、電學等優(yōu)異性能為一體，在高壓、高頻、高溫以及耐輻照電子器件，大功率電力電子器件、LED以及5G通訊用射頻器件熱沉，深紫外LED和日盲傳感，輻射探測、室溫量子信息和傳感等領域具有誘人的應用前景。報告還介紹了近年來單晶金剛石生長、半導體器件、氮化物等半導體/金剛石復合片結(jié)構(gòu)、MEMS傳感、量子傳感等領域的研究進展。
王宏興
西安交通大學教授
西安交通大學寬禁帶半導體材料與器件中心主任
王宏興，西安交通大學教授,西安交通大學寬禁帶半導體材料與器件中心主任。2001年在日本德島大學獲得博士學位，其后作為高級研究員、執(zhí)行董事、研發(fā)經(jīng)理等職在日本Seki technotron 等公司工作。于2013年全職回國加入西安交通大學。主要研究領域為：半導體生長用MOCVD，MPCVD；III-V氮化物材料及發(fā)光器件；大尺寸單晶金剛石及電子器件；金剛石基GaN復合器件；量子光源及傳感器。多項成果被采納用于規(guī)?；a(chǎn)。擁有100余項專利，發(fā)表文章120余篇。
葉建東
南京大學電子科學與工程學院教授
葉建東，南京大學電子科學與工程學院教授、博導。2002年和2006年分別在南京大學獲得學士和博士學位。曾先后就職于新加坡微電子研究所和澳大利亞國立大學。長期從事寬禁帶氧化物半導體材料、物理與器件研究，主持和完成國家重點研發(fā)計劃課題、國家優(yōu)秀青年基金、江蘇省杰出青年基金、江蘇省重點研發(fā)計劃等。在IEEE Power Electron. Dev., IEEE Electron Dev. Lett., IEEE Trans. Electron Dev., Appl. Phys. Lett等學術期刊上發(fā)表130余篇，受邀綜述3篇，專著1章，申請/授權(quán)發(fā)明專利15/7項。
劉玉懷
鄭州大學教授
劉玉懷，鄭州大學教授、博士生導師，科技部電子材料與系統(tǒng)國家國際聯(lián)合研究中心主任，日本名古屋大學客座教授。主要研究方向為氮化物半導體材料與器件，主持國家重點研發(fā)計劃政府間國際科技創(chuàng)新合作重點專項（基于氮化物半導體的深紫外激光器的研究）、國家自然科學基金面上項目、河南省科技攻關項目等12項。發(fā)表論文與會議報告215篇，國際會議邀請報告12次。日本專利公開1項、授權(quán)中國發(fā)明專利1項、實用新型項專利1項、軟件著作權(quán)5項。紫外LED技術轉(zhuǎn)移1項。目前主持第三批“智匯鄭州1125創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)領軍團隊”三色LED集成芯片項目，參與寧波市2025重大科技專項“深紫外LED產(chǎn)業(yè)化”。
李曉航
沙特國王科技大學副教授
李曉航博士是沙特阿拉伯阿卜杜拉國王科技大學電氣工程系副教授，先進半導體實驗室首席研究員。李曉航教授在華中科技大學獲得應用物理學士學位，在美國理海大學獲得電子工程碩士學位，在美國佐治亞理工學院取得電子工程博士學位。博士畢業(yè)后加入沙特阿卜杜拉國王科技大學創(chuàng)建并擔任先進半導體實驗室的PI兼博士生導師?，F(xiàn)為Photonics Research副編輯和Journal of Semiconductor編委。擔任IWN等多個國際主要會議的程序或組織委員會成員。李曉航教授致力于第三代半導體超寬禁帶材料、器件、物理、設備的研究，這些領域預期會在未來對光電電子通信生化和生命科學等領域帶來革命性的影響。在國際期刊和會議上發(fā)表論文200余篇，在國際會議大學研究所和公司做受邀報告80余次，他擁有20余項批準和在申的國際專利，是Nature Photonics等30多個國際學術雜志的審稿人。李曉航教授是半導體深紫外激光研究的先驅(qū)者之一：首次實現(xiàn)在藍寶石上低閾值深紫外激光和260nm以下深紫外激光，首次實現(xiàn)在同一襯底上半導體TE和TM深紫外激光，首次實現(xiàn)半導體深紫外表面受激輻射。他也在BAlN和Ga2O3等新型第三代半導體研究做出了開創(chuàng)性的成果。他基于物理研究成果創(chuàng)立的Polarization Toolbox軟件已被來自世界各70多個大學公司和科研院所所使用，包括UCSB、Cornell、ASML、IMEC、RIKEN、Facebook等。李曉航教授獲得過美國晶體生長協(xié)會Harold M. Manasevit Young Investigator Award（全球每兩年一名，系第一位中國人獲該獎），SPIE研究生年度最高獎（全球每年一名，系第一位中國人獲該獎），和IEEE Photonics Society研究生年度最高獎（全球每年十名），佐治亞理工學院和愛迪生創(chuàng)新基金會博士生最高獎（每年一名）。
馮志紅
中國電子科技集團有限公司首席科學家、中國電子科技集團公司第十三研究所副總工程師
MAN HOI WONG黃文海
香港科技大學副教授
黃文海是香港科技大學電子及計算機工程副教授。黃教授是首批通過分子束外延（MBE）研究氮極性GaN微波晶體管及相關生長技術的研究人員之一。2011年至2013年，他是美國德克薩斯州SEMATECH公司研究聯(lián)盟的研究科學家，在該聯(lián)盟中，他開發(fā)了內(nèi)部MBE增長能力，以實現(xiàn)對新型化合物半導體技術的研究，包括用于超越硅數(shù)字電子的III-V/Si單片集成。2013年至2019年，他在日本國家信息通信技術研究所（NICT）開發(fā)了Ga2O3電源設備，該研究所是日本主要的國家信息通信研究所。2019年，他在馬薩諸塞州洛厄爾大學擔任電氣和計算機工程助理教授，2022年返回香港。黃教授發(fā)表了76篇期刊文章，發(fā)表了30多篇受邀演講和研討會，并合著了150多篇會議報告。他是關于Ga2O3和GaN晶體管技術的4篇特邀書籍章節(jié)和3篇特邀評論論文的主要作者。他的工作獲得了多項獎項的認可，包括IEEE最佳論文獎（2008年設備研究會議）、SEMATECH公司卓越獎（2012年）、2015年氧化鎵及相關材料國際研討會青年研究員獎和NICT個人成就獎（2019年）。
韓根全
西安電子科技大學教授
韓根全，2015年加入中國西安電子科技大學。主要從事后摩爾新型微電子器件、芯片和Ga2O3功率器件研究。2019年創(chuàng)新發(fā)現(xiàn)不定型類鐵電柵介質(zhì)材料并實現(xiàn)非易失晶體管器件，有望顛覆德國人發(fā)現(xiàn)的多晶摻雜HfO2基鐵電系列，推動非易失嵌入式存儲器在FinFET/Nanosheet FET等先進3D晶體管中的應用。2019年通過智能剝離和轉(zhuǎn)移技術（與中科院微系統(tǒng)所歐欣研究員合作）實現(xiàn)高導熱襯底的Ga2O3功率器件，徹底解決Ga2O3導熱問題，該成果為Compound Semiconductors網(wǎng)站報道，美國DARPA跟蹤研究。他發(fā)表了200 多篇技術論文和 30 項已授權(quán)/正在申請的專利。他是 IEEE Electron Device Letters 的編輯。
王鋼
中山大學佛山研究院院長
中山大學半導體照明材料及器件國家地方聯(lián)合工程實驗室主任、教授
王鋼，中山大學微電子學院教授，半導體照明材料與器件國家地方聯(lián)合工程實驗室主任，中山大學佛山研究院院長，教育部2007 年度新世紀優(yōu)秀人才支持計劃入選者，科技部“十一五”、“十二五”國家科技重點專項（半導體照明專項）總體專家組專家。主要從事寬禁帶氧化物半導體薄膜材料及器件外延制備技術、電子器件三維異構(gòu)集成芯片3D打印制造技術、半導體材料高端裝備研發(fā)等方向的研究。
朱嘉琦
哈爾濱工業(yè)大學教授
朱嘉琦，哈爾濱工業(yè)大學教授。主要從事晶體及薄膜等研究，擔任中國機械工程學會表面工程分會副主任，中國材料研究學會極端材料與器件分會副主任,中國儀表材料學會副理事長, Functional Diamond、Advanced Materials & Devices副主編，獲得中國青年科技獎、省青年五四獎章等榮譽，獲國家技術發(fā)明獎二等獎1項，黑龍江省技術發(fā)明一等獎2項。以負責人承擔國家自然科學基金6項（含重點1項）、重點研發(fā)計劃項目2項、國防基礎科研3項、預研計劃7項、軍品配套3項等科研項目。成果已應用于多種重點型號，并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。獲授權(quán)發(fā)明專利82項(轉(zhuǎn)讓21項)，在SCIENCE, ADVANCED MATERIALS等知名刊物發(fā)表200余篇學術論文，出版學術專著2部，譯著1部。
張金風
西安電子科技大學教授
張金風，西安電子科技大學教授。主要研究氮化鎵(GaN) 和金剛石(C) 半導體材料和器件。出版國內(nèi)第一部氮化物半導體領域?qū)Ｖ兜飳捊麕О雽w材料和電子器件》（科學出版社, 2013）及其英文版（CRC Press, 2017）, 發(fā)表學術論文70余篇，授權(quán)國家發(fā)明專利10余項，獲得教育部高等學?？茖W研究優(yōu)秀成果獎技術發(fā)明獎一等獎和陜西省科學技術獎一等獎。研究成果包括IEEE Electron Device Letters對中國金剛石場效應管研究的首次和第二次報道（均為2017年）和Applied Physics Letters首次對中國金剛石核探測器的研究報道（2020）。
何云斌
湖北大學教授
何云斌現(xiàn)任湖北大學二級教授、博士生導師，湖北省先進光電轉(zhuǎn)換與光電催化材料國際合作基地主任，入選教育部新世紀優(yōu)秀人才等各類省部級人才和團隊計劃，兼任中國儀表功能材料學會電子元器件關鍵材料與技術專業(yè)委員會資深常務委員等。主要在寬禁帶半導體薄膜及紫外光電和功率電子器件、鐵電光伏與介電儲能、低維鈣鈦礦材料與新型光電器件、氧化物表界面物理與化學等領域/方向開展研究。主持國家重點研發(fā)計劃課題等20余項研究項目，至今發(fā)表學術論文240余篇，其中200余篇被SCI收錄，被SCI論文引用4500余次，申請國內(nèi)外專利60余項，獲授權(quán)46項。
何云斌教授帶領團隊在新型氧化物寬禁帶半導體合金材料體系及其光電探測技術開發(fā)方面形成研究特色，開創(chuàng)了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的陰陽離子共摻氧化鋅四元合金，氧化錫、氧化鎵基超寬禁帶氧化物合金半導體材料體系，實現(xiàn)了氧化物合金能帶的自由調(diào)控和帶隙大范圍的裁剪，突破了氧化鋅、氧化錫的穩(wěn)定p型摻雜技術瓶頸，開發(fā)出新型準同質(zhì)p-n結(jié)型自驅(qū)動紫外探測器和超靈敏極快速日盲紫外光探測器。同時，開發(fā)出鈣鈦礦氧化物高溫壓電陶瓷材料及傳感技術，并將其應用于壓電傳感器和高壓放大器。
張興旺
中國科學院半導體所研究員
張興旺，中國科學院半導體所研究員，主要從事寬帶隙半導體材料與器件、二維材料與光電器件及光伏材料與器件研究。發(fā)展了一種制備六方氮化硼（h-BN）二維原子晶體的新方法，研制出多種二維異質(zhì)結(jié)光電器件；實現(xiàn)了基于h-BN中間層的遠程外延，為制備高質(zhì)量二維范德華異質(zhì)結(jié)提供了一種新方法。首次成功制備出異質(zhì)外延生長的立方氮化硼（c-BN）薄膜，為實現(xiàn)c-BN薄膜作為高溫電子材料奠定了基礎。領導的課題組兩次創(chuàng)造有機無機鈣鈦礦太陽電池效率的世界紀錄，研制出高效穩(wěn)定的無機鈣鈦礦電池以及鈣鈦礦LEDs。已主持或承擔國家重點研發(fā)計劃、科技部863、973計劃、自然科學基金以及中科院戰(zhàn)略先導計劃等項目20余項，在Nature Mater., Nature Energy, Nature Photon., Nature Commun., Adv. Mater.等學術期刊發(fā)表SCI論文185篇，論文被他引10000余次，獲授權(quán)發(fā)明專利23項；曾獲北京市科學技術進步二等獎、中科院優(yōu)秀導師獎（3次）、中國科學院朱李月華優(yōu)秀教師獎、領雁銀獎等，指導的研究生3人獲中科院優(yōu)秀博士學位論文，6人獲中科院院長獎，7人獲中科院優(yōu)秀畢業(yè)生，多人次獲國家獎學金。
劉新風
國家納米科學中心研究員
中科院納米標準與檢測重點實驗室副主任
劉新風，中科院“百人計劃”研究員，中科院納米標準與檢測重點實驗室副主任。2011年于國家納米科學中心獲博士學位。2015年中科院海外人才計劃加入國家納米科學中心，2021年獲中組部人才計劃支持。研究方向為半導體材料微納尺度光與物質(zhì)相互作用光譜和物化性質(zhì)性研究。近年來在Science, Nat. Mater., Nat. Commun., Adv. Mater., Nano Lett.等期刊上發(fā)表論文220余篇，總引用15600余次，H因子64。合著英文專著章節(jié)4章。擔任Nat. Nanotech., Sci. Adv., Nano Lett., Adv. Mater.等國際學術期刊審稿人。任Journal of Physics: Photonics編委會委員，F(xiàn)rontiers of Physics，InfoMat, Materials Today Physics, Materials Today Sustainability青年編委。
宋柏
北京大學工學院特聘研究員
宋柏研究員現(xiàn)就職于北京大學工學院能源與資源工程系、先進制造與機器人系、能源研究院、微米/納米加工技術國家級重點實驗室，以及北京市工程科學與新興技術高精尖創(chuàng)新中心。他于清華大學獲得學士和碩士學位，美國密歇根大學獲得博士學位，麻省理工學院完成博后工作。在基礎理論、實驗平臺和先進材料方面都取得突破，并有望在能源、信息和生醫(yī)等領域產(chǎn)生顛覆性技術。近年來有四篇論文發(fā)表于Science和Nature，六篇在Nature Nanotechnology等子刊發(fā)表。2020年于前沿交叉領域獲得騰訊基金會第二屆“科學探索獎”。
付昊
蘇州思體爾軟件科技有限公司（STR-CHINA）副總經(jīng)理
付昊，現(xiàn)任蘇州思體爾軟件科技有限公司（STR-CHINA）副總經(jīng)理，碩士畢業(yè)于哈爾濱工業(yè)大學能源化學工程專業(yè)，擁有超過10年模擬仿真軟件使用經(jīng)驗，長期和國內(nèi)知名半導體企業(yè)和研究機構(gòu)合作，擁有豐富的模擬仿真領域項目合作經(jīng)驗。
盧紅亮
復旦大學微電子學院教授
盧紅亮教授于2010年7月進入復旦大學微電子學院，主要研究方向為用于新一代集成電路工藝、器件和智能傳感器件。同時，他作為第一負責人承擔30多項研究項目，在國內(nèi)外學術期刊上發(fā)表SCI論文200多篇, 包括Advanced Materials、Nano Energy、ACS Nano、Applied Physics Letters和IEEE Electron Device Letters等期刊?，F(xiàn)任IEEE會員、中國ALD大會秘書、上海市真空學會常務理事、上海市電子學會會員等。
楊珣
鄭州大學副教授
楊珣，鄭州大學副教授，碩士研究生導師。博士畢業(yè)于中科院長春光學精密機械與物理研究所，2017年入職鄭州大學物理學院金剛石光電材料與器件課題組。主要從事寬禁帶半導體光電器件、金剛石量子信息材料研究。近年來在Adv. Mater.，Nano Res.，Mater.Horiz.，Mater. Today Phys.，Carbon等期刊以第一作者或通訊作者發(fā)表論文20余篇，先后主持國家重點研發(fā)計劃子課題、國家自然科學基金青年項目、中國博士后科學基金特別資助等項目。
穆文祥
山東大學副教授
穆文祥，山東大學副教授，博士生導師。2013年和2018年分別獲得山東大學理學學士和工學博士學位，師從陶緒堂教授。致力于超寬禁帶半導體β-Ga2O3單晶的生長、襯底加工、性能優(yōu)化及器件研究。設計、優(yōu)化了導模法單晶生長裝備，從無到有生長獲得了高質(zhì)量、大尺寸β-Ga2O3單晶，與國內(nèi)外相關單位開展合作，獲得了高性能半導體器件。研究工作獲得了國家重點研發(fā)計劃、國家自然基金重點項目、山東省重大科技創(chuàng)新工程等一系列重大項目資助。以上述工作為基礎，參與建設國家級平臺“新一代半導體材料集成攻關大平臺”及山東大學濟南寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)研究院。發(fā)表學術論文30篇，授權(quán)發(fā)明專利3項。研究領域：氧化鎵單晶生長與電學性能調(diào)控；單晶襯底加工與器件；新型半導體材料探索；激光、磁光、鐵電等功能晶體生長與表征。
張赫之
大連理工大學副教授
張赫之副教授于2016年博士畢業(yè)于法國巴黎第十一大學，師從Maria Tchernycheva研究員。同年加入瑞士洛桑理工大學Nicolas Grandjean教授研究組從事博士后研究工作。2019年10月，加入大連理工大學微電子學院梁紅偉教授寬禁帶半導體研究團隊。目前，主要從事超寬禁帶半導體Ga2O3材料生長與器件的相關研究。
備注：更多嘉賓信息持續(xù)更新，敬請關注！
附件：
論壇信息
會議時間：2023年2月7日-10日（7日報到）
會議地點：中國 - 蘇州 - 蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店
程序委員會
主席：
張 榮——廈門大學黨委書記、教授
聯(lián)合主席：
劉 明——中科院院士、復旦大學芯片與系統(tǒng)前沿技術研究院院長、中科院微電子研究所研究員
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
江風益——中科院院士、南昌大學副校長、教授
李晉閩——中國科學院特聘研究員
張國義——北京大學東莞光電研究院常務副院長、教授
沈 波——北京大學理學部副主任、教授
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
徐 科——江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
邱宇峰——廈門大學講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長
盛 況——浙江大學電氣工程學院院長、教授
張 波——電子科技大學教授
陳 敬——香港科技大學教授
徐現(xiàn)剛——山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
吳偉東——加拿大多倫多大學教授
張國旗——荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學教授
Victor Veliadis——PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授
主題論壇召集人（按姓氏拼音排列）：
F1-碳化硅功率電子材料與器件
主題分論壇主席：
盛 況——浙江大學電氣工程學院院長、教授
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
a.碳化硅功率電子材料與器件
召集人：
盛 況——浙江大學電氣工程學院院長、教授
柏 松——中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員
張清純——復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任
邱宇峰——廈門大學講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長
張玉明——西安電子科技大學微電子學院院長、教授
王德君——大連理工大學教授
袁 俊——九峰山實驗室功率器件負責人
b.芯片制造工藝及裝備
召集人：
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
王志越——中電科裝備集團有限公司首席技術官
杜志游——中微半導體設備(上海)有限公司高級副總裁
吳 軍——北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司副總裁，首席科學家
F2-氮化物半導體電子材料與器件
主題分論壇主席：
張 波——電子科技大學教授
吳偉東——加拿大多倫多大學教授
陳堂勝——中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學家
馮志紅——中電科第十三所首席科學家、專用集成電路國家級重點實驗室副主任
a.氮化鎵功率電子材料與器件
召集人：
張 波——電子科技大學教授
吳偉東——加拿大多倫多大學教授
劉 揚——中山大學教授
孫 錢——中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員
張進成——西安電子科技大學副校長、教授
吳毅鋒——珠海鎵未來科技有限公司總裁
梁輝南——潤新微電子(大連)有限公司總經(jīng)理
王茂俊——北京大學信息科學技術學院副教授
b.射頻電子材料與器件
召集人：
陳堂勝——中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學家
蔡樹軍——中國電子科技集團公司第五十八研究所所長
張乃千——蘇州能訊高能半導體有限公司董事長
張 韻——中國科學院半導體研究所副所長、研究員
敖金平——日本德島大學教授、江南大學教授
于洪宇——南方科技大學深港微電子學院院長、教授
馮志紅——中電科第十三所首席科學家、專用集成電路國家級重點實驗室副主任
劉建利——中興通訊股份有限公司無線射頻總工
F3-功率電子應用
主題分論壇主席：
劉 勝——武漢大學動力與機械學院院長、教授
趙麗霞——天津工業(yè)大學電氣工程學院常務副院長、教授
a.功率模塊封裝及可靠性
召集人：
劉 勝——武漢大學動力與機械學院院長、教授
趙麗霞——天津工業(yè)大學電氣工程學院常務副院長、教授
李世瑋——香港科技大學教授
陸國權(quán)——美國弗吉尼亞大學教授
羅小兵——華中科技大學能源與動力工程學院院長、教授
楊道國——桂林電子科技大學教授
王來利——西安交通大學教授
樊嘉杰——復旦大學青年研究員
姜 克——安世半導體全球研發(fā)副總裁、I&M事業(yè)部總經(jīng)理
F4-襯底材料與裝備
主題分論壇主席：
沈 波——北京大學理學部副主任、教授
徐現(xiàn)剛——山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
陶緒堂——山東大學講席教授
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
a.碳化硅襯底材料生長與加工
召集人
徐現(xiàn)剛——山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
陳小龍——中國科學院物理研究所功能晶體研究與應用中心主任、研究員
孫國勝——中科院半導體研究所研究員
馮 淦——瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經(jīng)理
b.氮化物襯底材料生長與同質(zhì)外延
召集人：
沈 波——北京大學理學部副主任、教授
徐 科——江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
黎大兵——中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員
畢文剛——江蘇第三代半導體研究院副院長
楊 敏——江蘇南大光電材料股份有限公司首席技術官
c.超寬禁帶半導體材料與器件
召集人:
陶緒堂——山東大學講席教授
龍世兵——中國科學技術大學微電子學院執(zhí)行院長、教授
張進成——西安電子科技大學副校長、教授
單崇新——鄭州大學副校長、教授
王新強——北京大學教授、北大東莞光電研究院院長
王宏興——西安交通大學教授
葉建東——南京大學教授
劉玉懷——鄭州大學教授
韓根全——西安電子科技大學教授
d.生長、加工裝備與量測設備
召集人：
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
王志越——中電科裝備集團有限公司首席技術官
杜志游——中微半導體設備(上海)有限公司高級副總裁
吳 軍——北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司副總裁，首席科學家
F5-半導體照明與光電融合技術
主題分論壇主席：
江風益——中科院院士、南昌大學副校長、教授
曾一平——中科院半導體所研究員
a.全光譜LED材料、芯片、封裝及可靠性
召集人：
江風益——中科院院士、南昌大學副校長、教授
劉國旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO
云 峰——西安交通大學教授
羅小兵——華中科技大學能源與動力工程學院院長、教授
伊曉燕——中國科學院半導體研究所研究員
郭偉玲——北京工業(yè)大學教授
汪 萊——清華大學電子工程系副教授、信息光電子研究所所長
汪煉成——中南大學教授
張建立——南昌大學研究員
b.半導體激光器
召集人：
曾一平——中科院半導體所研究員
張保平——廈門大學電子科學與技術學院副院長、教授
莫慶偉——老鷹半導體副總裁、首席科學家
劉建平——中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員
惠 峰——云南鍺業(yè)公司首席科學家、中科院半導體所研究員
F6-超越照明創(chuàng)新應用
主題分論壇主席：
羅 明——浙江大學光電系教授
瞿 佳——溫州醫(yī)科大學附屬眼光醫(yī)院院長、教授
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
遲 楠——復旦大學信息科學與工程學院院長、教授
楊其長——國際歐亞科學院院士、中國農(nóng)業(yè)科學院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長、研究員
劉 鷹——浙江大學生物系統(tǒng)工程與食品科學學院院長、教授
a.光品質(zhì)與光健康
召集人
羅 明——浙江大學光電系教授
瞿 佳——溫州醫(yī)科大學附屬眼光醫(yī)院院長、教授
郝洛西——同濟大學建筑與城市規(guī)劃學院教授、國際照明學會（CIE）副主席
林燕丹——復旦大學教授
熊大曦——中國科學院蘇州生物醫(yī)學工程技術研究所研究員
牟同升——浙江大學教授
魏敏晨——香港理工大學副教授
蔡建奇——中國標準化研究院視覺健康與安全防護實驗室主任、研究員
劉 強——武漢大學顏色科學與圖像傳播研究所所長、副教授
b.光醫(yī)療
召集人：
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
張鳳民——黑龍江省醫(yī)學科學院副院長，哈爾濱醫(yī)科大學伍連德書院院長、國家地方聯(lián)合工程研究中心主任
王彥青——復旦大學基礎醫(yī)學院教授
崔錦江——中科院蘇州醫(yī)工所光與健康研究中心副主任、研究員
蔡本志——哈爾濱醫(yī)科大學教授
董建飛——中國科學院蘇州生物醫(yī)學工程技術研究所研究員
陳德福——北京理工大學醫(yī)工融合研究院特聘副研究員
楊 華——中國科學院半導體研究所副研究員
c.光通信與傳感
召集人：
遲 楠——復旦大學信息科學與工程學院院長、教授
馬驍宇——中科院半導體研究所研究員
陳雄斌——中國科學院半導體研究所研究員
田朋飛——復旦大學副研究員
李國強——華南理工大學教授
林維明——福州大學教授
房玉龍——中國電子科技集團公司第十三研究所研究員
d.生物與農(nóng)業(yè)光照
召集人：
楊其長——國際歐亞科學院院士、中國農(nóng)業(yè)科學院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長、研究員
唐國慶——中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟副理事長、木林森執(zhí)行總經(jīng)理
劉 鷹——浙江大學生物系統(tǒng)工程與食品科學學院院長、教授
泮進明——浙江大學教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事長
賀冬仙——中國農(nóng)業(yè)大學教授
陳 凱——華普永明光電股份有限公司董事長、總裁
華桂潮——四維生態(tài)董事長
徐 虹——廈門通秮科技有限公司總經(jīng)理
劉厚誠——華南農(nóng)業(yè)大學教授
李紹華——中科三安光生物產(chǎn)業(yè)研究院院長
F7-新型顯示材料及應用
主題分論壇主席：
嚴 群——福州大學教授
孫小衛(wèi)——南方科技大學電子與電氣工程系講席教授
畢 勇——中國科學院理化技術研究所研究員、激光應用中心主任
a.Mini/Micro-LED顯示材料與裝備
召集人：
嚴 群——福州大學教授
王新強——北京大學東莞光電研究院院長、北京大學教授
閆春輝——中民研究院常務副院長、納微朗科技（深圳）有限公司董事長
劉 斌——南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
黃 凱——廈門大學物理科學與技術學院副院長、教授
馬松林——TCL集團工業(yè)研究院副院長
劉國旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO
邱 云——京東方科技集團股份有限公司技術企劃部副總監(jiān)
劉召軍——南方科技大學研究員
b.激光顯示三基色材料與器件
畢 勇——中國科學院理化技術研究所研究員、激光應用中心主任
趙德剛——中國科學院半導體研究所研究員
c.鈣鈦礦、量子點及柔性照明與顯示等
召集人：
孫小衛(wèi)——南方科技大學電子與電氣工程系講席教授
廖良生——蘇州大學教授
徐 征——北京交通大學教授
段 煉——清華大學教授
鐘海政——北京理工大學教授
F8-固態(tài)紫外材料與器件
主題分論壇主席：
康俊勇——廈門大學教授
王軍喜——中國科學院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發(fā)中心主任
a.固態(tài)紫外發(fā)光材料與器件
b.紫外探測材料與器件
召集人：
康俊勇——廈門大學教授
王軍喜——中國科學院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發(fā)中心主任
黎大兵——中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員
陸 海——南京大學教授
陳長清——華中科技大學教授
郭浩中——臺灣交通大學特聘教授
李曉航——沙特國王科技大學副教授
許福軍——北京大學物理學院副教授
日程安排
注冊權(quán)益收費表
備注：
＊中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優(yōu)惠。
＊學生參會需提交相關證件。
＊會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
＊IFWS相關會議包括：開幕大會，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術,氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導體激光器技術,Mini/Micro LED及其他新型顯示技術,射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件，閉幕大會。
＊SSLCHINA相關會議包括：開幕大會，氮化物襯底材料生長與外延技術，固態(tài)紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術，生物農(nóng)業(yè)光照技術，教育照明與健康光環(huán)境，光醫(yī)療應用技術，化合物半導體激光器技術,閉幕大會。
*產(chǎn)業(yè)峰會包括：生物農(nóng)業(yè)光照技術與產(chǎn)業(yè)應用峰會、車用半導體創(chuàng)新合作峰會、功率模塊與電源應用峰會、第三代半導體標準與檢測研討會、UV LED創(chuàng)新應用、Mini/Micro-LED技術產(chǎn)業(yè)應用峰會。
＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續(xù)費。
＊自助餐包含：2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。
論壇線上注冊平臺
IFWS&SSLCHINA 2022在線注冊通道
*備注：請微信掃碼查看并注冊，注冊成功后可在個人中心查看電子票信息、申請發(fā)票、為他人報名、分享海報等等。
*防疫提醒：目前全國各地防疫政策逐漸放寬，目前進/出蘇州不再查驗核酸、健康碼，組委會提醒參會代表臨行前能做好自我健康檢測，體溫等無異常者，佩戴好口罩即可現(xiàn)場參會。
即日起至2023年2月1日之前，完成注冊繳費即可享受折扣票（詳見上圖），中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優(yōu)惠。學生參會需提交相關證件。會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
