碳化硅作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關(guān)注。與硅相比，碳化硅的禁帶寬度更大，碳化硅器件擁有更低的漏電流及更高的工作溫度，抗輻照能力得到提升；碳化硅材料擊穿電場是硅的10倍，其器件可設(shè)計更高的摻雜濃度及更薄的外延厚度，與相同電壓等級的硅功率器件相比，導(dǎo)通電阻更低；碳化硅具有高電子飽和速度的特性，使器件可工作在更高的開關(guān)頻率；同時，碳化硅材料更高的熱導(dǎo)率也有助于提升系統(tǒng)的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關(guān)速度快、損耗低等特性，使電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度朝著更高的方向前進。在新能源發(fā)電、電動汽車等一些重要領(lǐng)域也展現(xiàn)出其巨大的應(yīng)用潛力。碳化硅器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項優(yōu)勢，但碳化硅功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn)。

一年一度行業(yè)盛會，第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA ）將于2023年2月7-10日（7日報到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。作為IFWS的重要分會之一，該分會由勵德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司、中國電子科技集團公司第四十八研究所、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、江蘇博睿光電股份有限公司、南京芯干線科技有限公司、蘇州博湃半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、深圳市先進連接科技有限公司協(xié)辦支持。

屆時，將由浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長盛況教授和復(fù)旦大學(xué)特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任張清純教授共同主持，奧地利維也納工業(yè)大學(xué)微電子研究所所長Tibor GRASSER教授，德國弗勞恩霍夫研究所研究員Eckart HOENE，國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院有限公司教授級高工楊霏，中國電子科技集團公司第四十八研究所、半導(dǎo)體裝備研究部主任鞏小亮，浙江大學(xué)特聘研究員任娜，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司第一刻蝕事業(yè)部副總經(jīng)理謝秋實，復(fù)旦大學(xué)研究員雷光寅，東南大學(xué)教授劉斯揚，江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理梁超，西安電子科技大學(xué)副教授孫樂嘉，南京芯干線科技有限公司董事長兼CTO傅玥，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所副研究員鄭理，賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖，武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員張召富，中國電子科技集團公司第五十五研究所劉奧等科研院所知名專家、學(xué)者和知名企業(yè)代表共同參與，將圍繞碳化硅功率電子器件前沿技術(shù)分享主題報告。

目前該分會日程已經(jīng)出爐，詳情如下：

 

技術(shù)分論壇：碳化硅功率電子器件 Technical Sub-Forum: SiC Power Electronic Devices
時間：2023年2月9日13:30-18:05 地點：蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店 • K5-6 Time: Feb 9, 2023, 13:30-18:05 Location: Kempinski Hotel Suzhou • K5-6
協(xié)辦支持/Co-organizer: 勵德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司/Reed Elsevier Information Technology (Beijing) Co., Ltd. 中國電子科技集團公司第四十八研究所/The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司/NAURA Technology Group Co., Ltd 江蘇博睿光電股份有限公司/Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd 南京芯干線科技有限公司/ Nanjing X-IPM Technology Co., Ltd. 蘇州博湃半導(dǎo)體技術(shù)有限公司/Suzhou Bopai Semiconductor Technology Co., Ltd. 深圳市先進連接科技有限公司/ Shenzhen Advancde Joining Technology Co.,Ltd.
屏幕尺寸 / Slides Size：16:9
主持人 Moderator	盛  況 / SHENG Kuang 浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授 Dean and Professor, School of Electrical Engineering, Zhejiang University 張清純 / Jon Zhang 復(fù)旦大學(xué)特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任 Distinguished Professor of Fudan University, Director of the Engineering Technology Research Center for SiC Power Devices
13:30-13:50	Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETs Tibor GRASSER——奧地利維也納工業(yè)大學(xué)微電子研究所所長、教授 Tibor GRASSER——Professor and Head of the Institute for Microelectronics at Technische Universität Wien, Austria
13:50-14:10	6500V SiC MOSFET器件研制及電力電子變壓器工程應(yīng)用 Development of 6500V SiC MOSFET Devices and Engineering Application of Solid State Transformers 楊霏——北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體所副總師 YANG Fei——Deputy Chief Engineer, Power Semiconductor Institute, Beijing Intelligent Energy Research Institute
14:10-14:30	SiC功率器件制造裝備技術(shù)及發(fā)展趨勢 Technology and development trends of SiC power devices manufacturing equipment 鞏小亮——中國電子科技集團公司第四十八研究所、半導(dǎo)體裝備研究部主任 Xiaoliang GONG——Director of Semiconductor equipment research department, The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation
14:30-14:50	1200V SiC MOSFET抗輻射可靠性研究 Investigation of 1200V SiC MOSFET Radiation Ruggedness 任娜——浙江大學(xué)特聘研究員 REN Na——Professor of Zhejiang University
14:50-15:10	等離子刻蝕技術(shù)在第三代化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用 Application of Plasma Etching Technology in the Third-generation Compound Semiconductor Field 謝秋實——北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 第一刻蝕事業(yè)部副總經(jīng)理 XIE Qiushi——Deputy General Manager of NAURA Technology Group Co., Ltd.
15:10-15:25	比電阻3.3毫歐.平方厘米的1200伏14毫歐SiC MOSFET 1200V 14mohm SiC MOSFET with Rsp,on of 3.3mohm.cm^2 雷光寅——復(fù)旦大學(xué)副研究員 LEI Guangyin——Associate Professor of Fudan University
15:25-15:40	茶歇 / Coffee Break
15:40-16:00	Packaging, Integration and fast switching in Power Electronics: what has been achieved and what´s next? Eckart HOENE——德國弗勞恩霍夫研究所研究員 Eckart HOENE——Research Fellow of Fraunhofer, Germany
16:00-16:20	電熱應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET損傷的多尺度探測表征方法 Multi-scale Detection and Characterization of SiC Power MOSFET Damage under Electro-thermal Stress 劉斯揚——東南大學(xué)教授 LIU Siyang——Professor of Southeast University
16:20-16:40	面向功率器件的高性能 High Performance AlN Ceramic Substrate for Power Devices 梁超——江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理 LIANG Chao——Deputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd
16:40-17:00	SiC等離子體波脈沖功率器件與應(yīng)用研究 Research on 4H-SiC Plasma Wave Pulsed Power Devices and its Applications 孫樂嘉——西安電子科技大學(xué)副教授 SUN Lejia——Associate Professor of Xidian University
17:00-17:20	GaN  HEMT與SIC  MOSFET在戶用儲能PCS方向應(yīng)用優(yōu)勢 Advantages in household energy storage PCS using GaN HEMT and SiC MOSFET 傅玥——南京芯干線科技有限公司董事長兼CTO General Manger and CTO of All Rights Reserved Nanjing X-IPM Technology Co., Ltd.
17:20-17:35	SiC功率器件高效無毒的界面改性 Efficient and non-toxic interface modification of SiC 鄭理——中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所副研究員 ZHENG Li——Associate Professor of Shanghai Institute of Microsystems and Information Technology, Chinese Academy of Sciences
17:35-17:50	Condura.ultraTM無銀AMB氮化硅基板---車規(guī)級功率模塊用高性價比解決方案   Condura.ultraTM silver free AMB --- cost-effective solution for automotive power module 張靖——賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān) ZHANG Jing——Director of Innovation China, Heraeus Electronics
17:50-18:05	4H-SiC MOSFET中界面碳團簇的形成和遷移率退化機理 Interfacial Carbon Cluster Formation and Mobility Degradation in 4H-SiC MOSFETs 張召富——武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員 ZHANG Zhaofu——Professor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University
18:05-18:20	SiC MOSFET熱阻精確測量技術(shù)研究 Research on the technique of accurately measuring thermal resistance of SiC MOSFET 劉奧——中國電子科技集團公司第五十五研究所 LIU AO——Nanjing Electronics Research Institute

 

備注：日程或有微調(diào)，最終以現(xiàn)場為準。

【部分嘉賓簡介】

盛  況

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、求是特聘教授

浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院院長

盛況，浙江大學(xué)求是特聘教授，博士生導(dǎo)師，浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院院長。長期從事硅基和寬禁帶電力電子芯片、封裝及應(yīng)用研究，包括芯片設(shè)計與工藝、器件封裝與測試以及在智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源汽車、工業(yè)電機、各類電源等領(lǐng)域中的應(yīng)用，2009年回國創(chuàng)建浙江大學(xué)電力電子器件實驗室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是國內(nèi)較早開展碳化硅和氮化鎵電力電子器件研發(fā)的團隊。

團隊承擔了電力電子器件及應(yīng)用領(lǐng)域的多個國家級、省部級和橫向合作項目，包括國家重大科技專項、國家863主題項目及課題、國家重點研發(fā)計劃項目及課題、自然科學(xué)基金委杰出青年基金、自然科學(xué)基金委重點項目等十余項，在器件理論、芯片研制、器件封測和應(yīng)用方面取得了一些成果，包括最早報道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在國內(nèi)較早自主研制出了系列SiC芯片和模塊（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）等。團隊也和國內(nèi)外著名企業(yè)開展合作推進成果的產(chǎn)業(yè)化。相關(guān)的成果在國際頂級學(xué)術(shù)期刊及會議發(fā)表論文200余篇，引用次數(shù)2700次以上，獲授權(quán)專利20余項（40余項申請中），2010年獲浙江省自然科學(xué)二等獎，2019年獲國家技術(shù)發(fā)明二等獎等。

張清純

復(fù)旦大學(xué)特聘教授

上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任

張清純，復(fù)旦大學(xué)特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任。長期從事SiC器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。迄今撰寫過100余篇科技論文和SiC器件領(lǐng)域?qū)Ｖ?；多次受邀在國際碳化硅、功率半導(dǎo)體的學(xué)術(shù)會議上作大會報告；作為第一和合作發(fā)明人，擁有75多項美國專利；多次擔任ISPSD技術(shù)委員會成員和碳化硅器件分會主席；曾任國際電力電子技術(shù)路線圖研討會聯(lián)合主席等。研究方向為半導(dǎo)體物理與器件；寬帶半導(dǎo)體器件物理、工藝、測試、產(chǎn)業(yè)化及應(yīng)用；器件模擬及仿真；電力系統(tǒng)。

Eckart HOENE

德國弗勞恩霍夫可靠性和微集成研究所負責(zé)人、研究員

楊霏

北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體所副總師

楊霏，博士，教授級高工，北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體所副總師。長期從事高壓碳化硅器件研制及生產(chǎn)條件建設(shè)，主持研制出1200V、6500V系列碳化硅MOSFET產(chǎn)品以及18kV碳化硅IGBT。主持863項目1項、國家重點研發(fā)計劃項目2項，北京市和國網(wǎng)公司科技項目20余項。授權(quán)發(fā)明專利32項，發(fā)表論文45篇，制訂碳化硅技術(shù)標準6項。

鞏小亮

中國電子科技集團公司第四十八研究所半導(dǎo)體裝備研究部主任

鞏小亮，中國電子科技集團公司第四十八研究所半導(dǎo)體裝備研究部主任。電科裝備第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)專家。長期從事第三代半導(dǎo)體制造裝備技術(shù)研究與產(chǎn)業(yè)化，重點致力于大尺寸SiC外延生長設(shè)備開發(fā)，承擔了國家863計劃、湖南省科技重大專項等項目，發(fā)表論文10余篇，授權(quán)發(fā)明專利6項，牽頭制定行業(yè)標準2項，獲中國電科科學(xué)技術(shù)獎一等獎、中國電科“十大青年拔尖人才”等獎勵，正牽頭承擔第三代半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域國家、省部級重大工程項目。

謝秋實

北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司第一刻蝕事業(yè)部副總經(jīng)理

謝秋實，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司第一刻蝕事業(yè)部副總經(jīng)理。主持開發(fā)了針對先進封裝、功率器件、MEMS、化合物半導(dǎo)體等領(lǐng)域多款刻蝕設(shè)備，市場占有率在國內(nèi)名列前茅。謝經(jīng)理畢業(yè)于北京大學(xué)物理系及慕尼黑工業(yè)大學(xué)肖特基研究所。擁有半導(dǎo)體刻蝕領(lǐng)域論文3篇，授權(quán)專利15篇。

雷光寅

復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所副所長

復(fù)旦大學(xué)研究員

雷光寅，博士、特聘研究員，復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所副所長，主要負責(zé)研究所科技研發(fā)、科技服務(wù)的日常管理工作，同時還兼任復(fù)旦大學(xué)研究員。其長期從事功率半導(dǎo)體器件、封裝及可靠性評估研究，包括新型電子封裝材料、功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)、集成化功率模塊封裝工藝開發(fā)、半導(dǎo)體模塊可靠性及失效機理分析等。雷光寅博士具有新材料開發(fā)、電子模塊設(shè)計15年以上工作經(jīng)驗。2018-2020年，擔任上海蔚來汽車有限公司電動力工程部技術(shù)專家，全面負責(zé)設(shè)計開發(fā)先進電機控制系統(tǒng)在新能源車中的應(yīng)用；2010-2018年，擔任美國密西根州福特汽車公司技術(shù)研發(fā)中心電驅(qū)動系統(tǒng)部資深研發(fā)工程師，負責(zé)電驅(qū)動系統(tǒng)電機控制器以及功率模塊的開發(fā)。迄今在IEEE Transactions on Power Electronics等高水平期刊發(fā)表SCI論文17篇，總引次數(shù)超過1500次。近五年獲美國、歐洲、中國授權(quán)發(fā)明專利17項。在國外學(xué)習(xí)工作期間，領(lǐng)導(dǎo)參與了五個大型研發(fā)項目?；貒ぷ骱?，當選2018年度第八屆上海QR（創(chuàng)新長期）。

劉斯揚

東南大學(xué)教授

劉斯揚，東南大學(xué)教授，博導(dǎo)，長期致力于功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)理論及關(guān)鍵技術(shù)的研究。入選國家高層次人才、江蘇省333高層次人才培養(yǎng)工程—中青年學(xué)術(shù)技術(shù)帶頭人，東南大學(xué)至善青年學(xué)者（A層次）。主要從事功率半導(dǎo)體器件設(shè)計及可靠性研究，主持國家自然科學(xué)基金、國家重點研發(fā)計劃、江蘇省自然科學(xué)基金等項目12項。在IEEE TIE、TPE、EDL、TED等國際權(quán)威期刊發(fā)表SCI論文92篇（其中第一作者28篇），在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域頂會ISPSD等國際會議發(fā)表論文15篇（其中第一作者8篇），獲美國專利3項、中國發(fā)明專利32項。研究成果獲國家技術(shù)發(fā)明二等獎、江蘇省科學(xué)技術(shù)一等獎，教育部技術(shù)發(fā)明一等獎。

梁  超

江蘇博睿光電有限公司副總經(jīng)理

梁超，博士，研究員高工，江蘇博睿光電副總經(jīng)理。先后入選“江蘇省333高層次人才培養(yǎng)工程”、江蘇省六大人才高峰、“千百十”計劃高層次創(chuàng)新領(lǐng)軍人才；獲江蘇省科學(xué)技術(shù)進步二等獎1項、南京市科學(xué)技術(shù)進步二等獎1項等。主要研究方向第三代半導(dǎo)體光電材料，在發(fā)光材料方向開發(fā)出LED用高性能鋁酸鹽、硅酸鹽體系多個色系熒光粉，為高光品質(zhì)照明、全光譜照明整體解決方案提供支撐；研究并開發(fā)出具有高導(dǎo)熱系數(shù)的AlN陶瓷基板及配套關(guān)鍵技術(shù)。共申請發(fā)明專利68件，授權(quán)發(fā)明專利54件（3件PCT專利分別于美國、韓國獲得授權(quán)），發(fā)表SCI收錄論文7篇，EI收錄論文6篇。

孫樂嘉

西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院副教授

孫樂嘉，西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院，副教授，IEEE member，2008年畢業(yè)于西北工業(yè)大學(xué)，獲工學(xué)學(xué)士學(xué)位，2011年先后于西安交通大學(xué)獲得工學(xué)碩士、工學(xué)博士學(xué)位。主要研究方向為半導(dǎo)體脈沖功率器件與應(yīng)用共性技術(shù)、基于寬禁帶半導(dǎo)體的電力電子系統(tǒng)以及電源管理集成電路等相關(guān)研究。主持/參與國家自然科學(xué)基金、國家重點研發(fā)計劃、國防領(lǐng)域重點研發(fā)計劃等多項課題。在IEEE T-PEL、IEEE EDL、IEEE T-ED、IET-PE、SST等國際權(quán)威期刊發(fā)表SCI檢索論文20余篇，授權(quán)發(fā)明專利30余項。

傅 玥

南京芯干線科技有限公司董事長兼CTO

傅玥，南京芯干線科技有限公司董事長兼CTO。擁有20年功率半導(dǎo)體研發(fā)和量產(chǎn)經(jīng)驗，IEEE高級會員；2023 IEEE ISPSD（全球最權(quán)威的功率器件會議）高壓器件（HV Track）技術(shù)委員會主席；2022 IEEE ISPSD（全球最權(quán)威的功率器件會議）執(zhí)行委員會（Executive Committee）委員及高壓器件（HV Track）技術(shù)委員會主席；2018 IEEE APEC（全球最權(quán)威電源會議）分會主席（Section Chair)。

張召富

武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員

張召富，香港科技大學(xué)博士，劍橋大學(xué)博士后，2022年起任武漢大學(xué)研究員。2018 年畢業(yè)于香港科技大學(xué)，獲得博士學(xué)位；2019-2022 年在 Cambridge University 的 John Robertson 教授（應(yīng)該皇家科學(xué)院 / 工程院雙院士）課題組擔任博士后。主要研究方向?qū)捊麕О雽?dǎo)體材料與器件，具有豐富的第一性原理計算模擬和器件設(shè)計方面的經(jīng)驗， 已經(jīng)在 APL, TED, ACS AMI, Nat. Comm. 等期刊發(fā)表 SCI 期刊論文 100 余篇，包括一作 / 通訊作者文章 50 余篇；以一作者發(fā)表國際學(xué)術(shù)會議論文 18 篇，包括電子器件領(lǐng)域國際最頂級學(xué)術(shù)會議論文 IEDM 1 篇和特邀報告 2 篇；參與撰寫 Wiley 英文專著 1 章；谷歌學(xué)術(shù) h-index 為 25 ，引用 2000 余次。擔任多個期刊青年編委和審稿人。

劉  奧

中國電子科技集團第五十五研究所高級工程師

劉奧，中國電子科技集團第五十五研究所高級工程師。長期從事碳化硅電力電子器件研制及應(yīng)用的相關(guān)工作。參與國內(nèi)多項碳化硅電子電子器件相關(guān)標準的制定，多次承擔有關(guān)碳化硅器件研發(fā)及應(yīng)用的國家重大項目、在國際刊物上發(fā)表多篇學(xué)術(shù)論文，發(fā)表多項相關(guān)專利。

張 靖

賀利氏電子（中國區(qū)）研發(fā)總監(jiān)

張靖博士，賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)。張靖博士畢業(yè)于荷蘭代爾夫特理工大學(xué)，專注于高功率電子封裝工藝以及可靠性的研究。研究領(lǐng)域主要集中在第三代半導(dǎo)體器件先進封裝技術(shù)與可靠性評估方面。多項項目成果已被應(yīng)用到相關(guān)產(chǎn)業(yè)當中，包括新能源汽車，高鐵，半導(dǎo)體照明等。張靖博士任IEEE封裝學(xué)會（EPS）荷比盧分會首任創(chuàng)會主席，國際寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會（ITRW）執(zhí)行秘書，并任封裝分會委員。張靖博士同時擔任上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心技術(shù)委員會委員，第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟青年委員會委員，中國第三代半導(dǎo)體路線圖委員會封裝分會委員，納米燒結(jié)材料標準制定委員會成員。他還擔任復(fù)旦大學(xué)校外碩士研究生導(dǎo)師。張靖博士參與的歐盟項目ESiP曾獲歐盟ENIAC Innovation Award。

任  娜

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院特聘研究員、博士生導(dǎo)師

任娜，浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院特聘研究員、博士生導(dǎo)師。2010~2015年期間博士就讀于浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院，2016~2019年期間在美國加州大學(xué)洛杉磯分校做博士后。2010-2021年，十一年期間一直致力于碳化硅（SiC）電力電子器件的相關(guān)研究，其中包括器件物理機制、結(jié)構(gòu)設(shè)計、工藝技術(shù)、芯片研制、器件測試與失效分析、性能與可靠性優(yōu)化等方向，并取得了一系列研究成果。在器件領(lǐng)域國際知名期刊與會議上共發(fā)表約60篇論文，其中SCI論文32篇，獲得了3項美國專利和2項中國發(fā)明專利授權(quán)，正在申請10多項美國專利和10多項中國專利，并獲得2020年Materials期刊杰出論文獎、2017年APEC學(xué)術(shù)會議杰出報告獎、2021年IEEE Wipda Asia會議杰出論文獎。

2020年3月雙聘至浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院，并入選2020年浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心青年人才卓越計劃，在團隊帶頭人的指導(dǎo)下主持建成浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心全套6英寸SiC芯片工藝線。領(lǐng)導(dǎo)工程師團隊與學(xué)生團隊，基于該6寸SiC芯片工藝線開展碳化硅功率器件的研發(fā)工作，并積極與國內(nèi)外企業(yè)合作開發(fā)碳化硅產(chǎn)品技術(shù)，合作企業(yè)包括國網(wǎng)、華為、華潤、中芯紹興、中電科55所等等。

鄭  理

中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所副研究員

鄭理，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 研究員，上海市青聯(lián)委員。長期從事硅基化合物半導(dǎo)體界面調(diào)控和器件制備等研究工作，在硅基GaN界面改性及HEMT器件研制、SiC原位界面重構(gòu)及MOSFET器件研制和Si/PbS量子點界面量子阱能帶自適應(yīng)機制構(gòu)建等方面開展了系列工作。發(fā)表 SCI 收錄論文60余篇，其中部分工作以第一/通訊作者在Nature Communications、IEEE Electron Device Letters等權(quán)威期刊發(fā)表，授權(quán)專利20余件。作為項目負責(zé)人主持國家自然科學(xué)基金面上項目、上海市創(chuàng)新行動計劃和中科院項目等。先后入選/榮獲中國科學(xué)院院長特別獎（2016）、上海市青年科技英才揚帆計劃（2017）、中國科學(xué)院優(yōu)博（2018）、中國電子教育學(xué)會優(yōu)博（2018）、上海市青聯(lián)委員（2019）、中國青科協(xié)會員（2020）、中科院青促會（2020）、上海市青年五四獎?wù)拢?021）、上海市青年科技啟明星計劃（2021）、上海市科技青年35人引領(lǐng)計劃（2021）、全國青年崗位能手（2022）和“振新杯”全國青年職業(yè)技能大賽金獎等。

備注：以上嘉賓簡介未經(jīng)其本人確認，僅供參考。

【關(guān)于協(xié)辦單位介紹】

》勵德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司

愛思唯爾是全球信息與分析領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，幫助科研和醫(yī)學(xué)專業(yè)人員推動科學(xué)發(fā)展、改善醫(yī)療成果從而造福社會。140多年以來，我們一直致力于與科研與醫(yī)學(xué)專業(yè)人員合作，支持他們更高效地開展工作。從學(xué)術(shù)出版起家，愛思唯爾提供知識資源和分析服務(wù)，幫助我們的用戶取得科研突破，推動社會進步。我們在戰(zhàn)略研究管理、研發(fā)表現(xiàn)、臨床決策支持和醫(yī)學(xué)教育領(lǐng)域提供數(shù)字化解決方案，包括ScienceDirect， Scopus， SciVal， ClinicalKey 和Sherpath。愛思唯爾是勵訊集團（RELX）的成員之一，勵訊集團（RELX）為全球?qū)I(yè)人士和商業(yè)客戶提供科學(xué)、醫(yī)療、法律和商業(yè)領(lǐng)域信息分析服務(wù)及決策工具。

愛思唯爾在2021年與中科院產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略院合作在中科院院刊上發(fā)表了有關(guān)中美互聯(lián)網(wǎng)科研產(chǎn)出分析文章，被70多家國內(nèi)媒體轉(zhuǎn)載，并得到國務(wù)院政策辦關(guān)注，從而研究中國高科技企業(yè)在內(nèi)部創(chuàng)新環(huán)境優(yōu)化支持。愛思唯爾從全球最大的學(xué)術(shù)出版社到科研信息分析服務(wù)的轉(zhuǎn)變，希望可以為中國企業(yè)科學(xué)家提供更多全球先進的科研工具及數(shù)據(jù)，加速企業(yè)創(chuàng)新速度，強化企業(yè)科研能力。

》中國電子科技集團公司第四十八研究所

中國電子科技集團公司第四十八研究所（以下簡稱48所）又名“長沙半導(dǎo)體 工藝設(shè)備研究所”，成立于1964年5月，隸屬于中國電子科技集團有限公司?，F(xiàn) 有科研生產(chǎn)人員近1000人，其中享受國務(wù)院政府特殊津貼專家29人，研究員 33人。

48所技術(shù)力量雄厚，專業(yè)門類齊全，是國內(nèi)唯一從事以三束（離子束、電子 束、分子束）為主的軍民兩用型骨干科研生產(chǎn)單位，產(chǎn)品包括第三代半導(dǎo)體裝備 以及集成電路裝備、光伏電池裝備、磁性材料裝備、冶金材料裝備、特種傳感器與系統(tǒng)，并具備裝備整線集成能力。產(chǎn)品銷售覆蓋含香港、臺灣在內(nèi)的全國29個 省市、特區(qū)，出口到美國、德國、法國、西班牙、俄羅斯、澳大利亞、埃及、土 耳其等20多個國家和地區(qū)。

48所擁有國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（湖南）、國防科技工業(yè)有源層優(yōu) 化生長創(chuàng)新中心、國家光伏裝備工程技術(shù)研究中心、中國-埃及可再生能源國家聯(lián) 合實驗室等5個國家級平臺和博士后科研工作站，取得重大科研成果380余項，其 中填補國內(nèi)空白148項、達到國際先進水平138項、列為國家替代進口119項，擁有專利396項。

》北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司

北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司（ 002371.SZ 簡稱：北方華創(chuàng)）成立于2001年，是北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司的全資子公司。北方華創(chuàng)微電子的主要產(chǎn)品包括刻蝕機、薄膜、氧化/擴散爐、清洗機、氣體質(zhì)量流量計等半導(dǎo)體工藝裝備及核心零部件，廣泛應(yīng)用于集成電路、半導(dǎo)體照明、光伏、平板顯示等領(lǐng)域，為半導(dǎo)體、新能源、新材料等領(lǐng)域提供解決方案。

》江蘇博睿光電股份有限公司

江蘇博睿光電股份有限公司成立于2009年9月，公司專業(yè)從事新型光電材料的研究、開發(fā)和應(yīng)用工作，深度布局高性能稀土發(fā)光材料、界面連接材料、高導(dǎo)熱陶瓷基板、特殊結(jié)構(gòu)封裝等領(lǐng)域，在第三代半導(dǎo)體封裝材料領(lǐng)域，已形成科研開發(fā)、規(guī)模生產(chǎn)和專業(yè)化服務(wù)的完整體系。公司為國家重點專精特新小巨人企業(yè)、國家高新技術(shù)企業(yè)；公司建有國家博士后科研工作站、江蘇省工程技術(shù)研究中心、江蘇省企業(yè)技術(shù)中心等科研平臺。

公司秉持技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動營銷增長的經(jīng)營模式，憑借技術(shù)創(chuàng)新，公司全色系熒光粉產(chǎn)品及應(yīng)用解決方案已覆蓋全光譜照明、激光照明、高顯色通用照明等應(yīng)用場景，產(chǎn)品性能已全面達到甚至超過國際先進水平，全面滿足國內(nèi)外封裝企業(yè)多樣化的技術(shù)需求，是國內(nèi)LED熒光粉領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，也是國際知名照明企業(yè)的熒光粉主要供應(yīng)商之一和戰(zhàn)略合作伙伴。

》南京芯干線科技有限公司

芯干線科技是一家優(yōu)秀的氮化鎵及碳化硅功率器件原廠，由資深海歸博士、電源行業(yè)精英和一群有激情與夢想的專業(yè)人士創(chuàng)建，專注于第三代半導(dǎo)體功率器件及模塊的設(shè)計研發(fā)，服務(wù)于未來電源科技。公司總部位于南京，在蘇州和深圳有辦公室，不只有一流的功率器件和模塊產(chǎn)品，還可以為客戶提供完整的氮化鎵電源系統(tǒng)解決方案。公司一直秉承精益求精的科研精神，現(xiàn)已推出了多種氮化鎵和碳化硅的功率器件。往后將繼續(xù)豐富第三代半導(dǎo)體器件及模塊的產(chǎn)品線，在提升核心競爭力的同時進一步加強客戶應(yīng)用方案的細化，開拓新的應(yīng)用領(lǐng)域，致力于成為一家世界領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體設(shè)計企業(yè)，為提升全球能源轉(zhuǎn)換效率及節(jié)能減排貢獻應(yīng)有之力。

》蘇州博湃半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

蘇州博湃半導(dǎo)體是半導(dǎo)體技術(shù)的高科技創(chuàng)新者和制造商，推動功率半導(dǎo)體、先進封裝技術(shù)及新能源應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。蘇州博湃主要為客戶提供設(shè)備解決方案、材料解決方案以及工程解決方案，憑借全球領(lǐng)先的核心技術(shù)積累，吸納國內(nèi)外先進的SiC功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)與AMB覆銅陶瓷基板技術(shù)與工藝，致力于成為全球電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新及高品質(zhì)解決方案的供應(yīng)商。

》深圳市先進連接科技有限公司

深圳市先進連接科技有限公司（以下簡稱先進連接），坐落于被評為深圳市寶安區(qū)科技創(chuàng)新桃花源的全至科技創(chuàng)新園，是一家集納米銀燒結(jié)材料及芯片封裝用燒結(jié)設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、咨詢及技術(shù)服務(wù)于一體的綜合性高科技公司。

先連科技創(chuàng)始于2015年，一直精耕于高端電子焊接材料、專用設(shè)備及工藝的研發(fā)、推廣，在國內(nèi)率先實現(xiàn)上述技術(shù)產(chǎn)業(yè)化，并榮獲“第十屆全國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽三等獎”、“深圳市創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽二等獎”，先后通過了ISO質(zhì)量體系認證、研究生聯(lián)合培養(yǎng)基地、國家高新技術(shù)企業(yè)認證。

憑借專業(yè)的技術(shù)、創(chuàng)新的理念、對卓越的不懈追求以及具有企業(yè)家精神的管理團隊，我們不斷努力提升業(yè)績表現(xiàn)。我們通過發(fā)揮材料方面的專長，充分利用先連科技在納米銀技術(shù)應(yīng)用的領(lǐng)先地位，致力于為客戶創(chuàng)造高質(zhì)量解決方案，幫助客戶提升長期競爭力。

附：

一年一度行業(yè)盛會，第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA ）將于2023年2月7-10日（7日報到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。在這場被視為“全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)風(fēng)向標”的盛會上，由2014年諾貝爾物理獎獲得者、日本工程院院士、美國工程院院士、中國工程院外籍院士、日本名古屋大學(xué)未來材料與系統(tǒng)研究所教授天野浩，美國工程院院士、美國國家發(fā)明家院士、中國工程院外籍院士、美國弗吉尼亞理工大學(xué)的大學(xué)特聘教授Fred LEE領(lǐng)銜200多個報告嘉賓，緊扣論壇“低碳智聯(lián)·同芯共贏”大會主題，將在開幕大會、主題分會及同期共計近30余場次活動中，全面展現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈前沿技術(shù)進展及產(chǎn)業(yè)發(fā)展“風(fēng)向"。

國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）是由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）在中國地區(qū)舉辦的、具備較強影響力的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域年度盛會，是引領(lǐng)全球第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展，促進相關(guān)產(chǎn)業(yè)、技術(shù)、人才、資金、政策合力發(fā)展的全球性、全產(chǎn)業(yè)鏈合作的高端平臺和高層次綜合性論壇。論壇以促進第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動通信技術(shù)、紫外探測技術(shù)和應(yīng)用的國際交流與合作，全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，成為全球范圍內(nèi)的全產(chǎn)業(yè)鏈合作交流的重要平臺，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向。

中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）伴著中國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一路成長起來，已成為半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模，參與度最高、口碑最好的全球性高層次論壇。十幾年的時間里，論壇盡最大力量打造國際性舞臺，邀請全球頂級專家，傳遞最前沿的產(chǎn)業(yè)、技術(shù)發(fā)展信息。

至今，SSLCHINA已連續(xù)舉辦了十八屆，IFWS也同期連續(xù)舉辦了七屆，全球超過1900位專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、投資人等蒞臨現(xiàn)場發(fā)布了精彩演講，參會觀眾覆蓋了70多個國家和地區(qū)，累計2.9萬余人到現(xiàn)場參會，集齊跨地區(qū)、跨領(lǐng)域的智慧合力，共同召喚產(chǎn)業(yè)發(fā)展新生態(tài)。無論是行業(yè)龍頭企業(yè)、初創(chuàng)團隊或是行業(yè)服務(wù)機構(gòu)，論壇都是十分精準的品牌展示、產(chǎn)品推廣、技術(shù)交流、成果發(fā)布及尋求合作的優(yōu)質(zhì)平臺和窗口。十幾年來，論壇服務(wù)過的客戶遍及全球，涵蓋了大部分國內(nèi)外知名的半導(dǎo)體材料、裝備、器件及應(yīng)用端企業(yè)，數(shù)量近千家，服務(wù)次數(shù)超過1200次。通過論壇期間的交流與對接，很多企業(yè)結(jié)識了潛在的合作伙伴，為自身發(fā)展把握住了機會。更多詳情見附件：

論壇信息

會議時間：2023年2月7日-10日（7日報到）

會議地點：中國 - 蘇州 - 蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店

程序委員會

主席：

張   榮——廈門大學(xué)黨委書記、教授

聯(lián)合主席：

劉   明——中科院院士、復(fù)旦大學(xué)芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院院長、中科院微電子研究所研究員

顧   瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授

江風(fēng)益——中科院院士、南昌大學(xué)副校長、教授

李晉閩——中國科學(xué)院特聘研究員

張國義——北京大學(xué)東莞光電研究院常務(wù)副院長、教授

沈   波——北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授

唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長

徐   科——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員

邱宇峰——廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長

盛   況——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授

張   波——電子科技大學(xué)教授

陳   敬——香港科技大學(xué)教授

徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、教授

吳偉東——加拿大多倫多大學(xué)教授

張國旗——荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授

Victor Veliadis——PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學(xué)教授

主題論壇召集人（按姓氏拼音排列）：

F1-碳化硅功率電子材料與器件

主題分論壇主席：

盛   況——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授

唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長

a.碳化硅功率電子材料與器件

召集人：

盛   況——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授

柏   松——中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員

張清純——復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任

邱宇峰——廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長

張玉明——西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院院長、教授

王德君——大連理工大學(xué)教授

袁   俊——九峰山實驗室功率器件負責(zé)人

b.芯片制造工藝及裝備

召集人：

唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長

王志越——中電科裝備集團有限公司首席技術(shù)官

杜志游——中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司高級副總裁

吳   軍——北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司副總裁，首席科學(xué)家

F2-氮化物半導(dǎo)體電子材料與器件

主題分論壇主席：

張   波——電子科技大學(xué)教授

吳偉東——加拿大多倫多大學(xué)教授

陳堂勝——中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學(xué)家

馮志紅——中電科第十三所首席科學(xué)家、專用集成電路國家級重點實驗室副主任

a.氮化鎵功率電子材料與器件

召集人：

張  波——電子科技大學(xué)教授

吳偉東——加拿大多倫多大學(xué)教授

劉  揚——中山大學(xué)教授

孫  錢——中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員

張進成——西安電子科技大學(xué)副校長、教授

吳毅鋒——珠海鎵未來科技有限公司總裁

梁輝南——潤新微電子(大連)有限公司總經(jīng)理

王茂俊——北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院副教授

b.射頻電子材料與器件

召集人：

陳堂勝——中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學(xué)家

蔡樹軍——中國電子科技集團公司第五十八研究所所長

張乃千——蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長

張  韻——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長、研究員

敖金平——日本德島大學(xué)教授、江南大學(xué)教授

于洪宇——南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長、教授

馮志紅——中電科第十三所首席科學(xué)家、專用集成電路國家級重點實驗室副主任

劉建利——中興通訊股份有限公司無線射頻總工

F3-功率電子應(yīng)用

主題分論壇主席：

劉    勝——武漢大學(xué)動力與機械學(xué)院院長、教授

趙麗霞——天津工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院常務(wù)副院長、教授

a.功率模塊封裝及可靠性

召集人：

劉   勝——武漢大學(xué)動力與機械學(xué)院院長、教授

趙麗霞——天津工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院常務(wù)副院長、教授

李世瑋——香港科技大學(xué)教授

陸國權(quán)——美國弗吉尼亞大學(xué)教授

羅小兵——華中科技大學(xué)能源與動力工程學(xué)院院長、教授

楊道國——桂林電子科技大學(xué)教授

王來利——西安交通大學(xué)教授

樊嘉杰——復(fù)旦大學(xué)青年研究員

姜  克——安世半導(dǎo)體全球研發(fā)副總裁、I&M事業(yè)部總經(jīng)理

F4-襯底材料與裝備

主題分論壇主席：

沈    波——北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授

徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、教授

陶緒堂——山東大學(xué)講席教授

唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長

a.碳化硅襯底材料生長與加工

召集人

徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、教授

陳小龍——中國科學(xué)院物理研究所功能晶體研究與應(yīng)用中心主任、研究員

孫國勝——中科院半導(dǎo)體研究所研究員

馮  淦——瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經(jīng)理

b.氮化物襯底材料生長與同質(zhì)外延

召集人：

沈  波——北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授

徐  科——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員

黎大兵——中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所研究員

畢文剛——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院副院長

楊  敏——江蘇南大光電材料股份有限公司首席技術(shù)官

c.超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件

召集人:

陶緒堂——山東大學(xué)講席教授

龍世兵——中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授

張進成——西安電子科技大學(xué)副校長、教授

單崇新——鄭州大學(xué)副校長、教授

王新強——北京大學(xué)教授、北大東莞光電研究院院長

王宏興——西安交通大學(xué)教授

葉建東——南京大學(xué)教授

劉玉懷——鄭州大學(xué)教授

韓根全——西安電子科技大學(xué)教授

d.生長、加工裝備與量測設(shè)備

召集人：

唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長

王志越——中電科裝備集團有限公司首席技術(shù)官

杜志游——中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司高級副總裁

吳  軍——北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司副總裁，首席科學(xué)家

F5-半導(dǎo)體照明與光電融合技術(shù)

主題分論壇主席：

江風(fēng)益——中科院院士、南昌大學(xué)副校長、教授

曾一平——中科院半導(dǎo)體所研究員

a.全光譜LED材料、芯片、封裝及可靠性

召集人：

江風(fēng)益——中科院院士、南昌大學(xué)副校長、教授

劉國旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO

云  峰——西安交通大學(xué)教授

羅小兵——華中科技大學(xué)能源與動力工程學(xué)院院長、教授

伊?xí)匝?mdash;—中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員

郭偉玲——北京工業(yè)大學(xué)教授

汪  萊——清華大學(xué)電子工程系副教授、信息光電子研究所所長

汪煉成——中南大學(xué)教授

張建立——南昌大學(xué)研究員

b.半導(dǎo)體激光器

召集人：

曾一平——中科院半導(dǎo)體所研究員

張保平——廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長、教授

莫慶偉——老鷹半導(dǎo)體副總裁、首席科學(xué)家

劉建平——中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員

惠   峰——云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家、中科院半導(dǎo)體所研究員

F6-超越照明創(chuàng)新應(yīng)用

主題分論壇主席：

羅  明——浙江大學(xué)光電系教授

瞿  佳——溫州醫(yī)科大學(xué)附屬眼光醫(yī)院院長、教授

顧  瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授

遲  楠——復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院院長、教授

楊其長——國際歐亞科學(xué)院院士、中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長、研究員

劉  鷹——浙江大學(xué)生物系統(tǒng)工程與食品科學(xué)學(xué)院院長、教授

a.光品質(zhì)與光健康

召集人

羅  明——浙江大學(xué)光電系教授

瞿   佳——溫州醫(yī)科大學(xué)附屬眼光醫(yī)院院長、教授

郝洛西——同濟大學(xué)建筑與城市規(guī)劃學(xué)院教授、國際照明學(xué)會（CIE）副主席

林燕丹——復(fù)旦大學(xué)教授

熊大曦——中國科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所研究員

牟同升——浙江大學(xué)教授

魏敏晨——香港理工大學(xué)副教授

蔡建奇——中國標準化研究院視覺健康與安全防護實驗室主任、研究員

劉  強——武漢大學(xué)顏色科學(xué)與圖像傳播研究所所長、副教授

b.光醫(yī)療

召集人：

顧   瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授

張鳳民——黑龍江省醫(yī)學(xué)科學(xué)院副院長，哈爾濱醫(yī)科大學(xué)伍連德書院院長、國家地方聯(lián)合工程研究中心主任

王彥青——復(fù)旦大學(xué)基礎(chǔ)醫(yī)學(xué)院教授

崔錦江——中科院蘇州醫(yī)工所光與健康研究中心副主任、研究員

蔡本志——哈爾濱醫(yī)科大學(xué)教授

董建飛——中國科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所研究員

陳德福——北京理工大學(xué)醫(yī)工融合研究院特聘副研究員

楊   華——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員

c.光通信與傳感

召集人：

遲   楠——復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院院長、教授

馬驍宇——中科院半導(dǎo)體研究所研究員

陳雄斌——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員

田朋飛——復(fù)旦大學(xué)副研究員

李國強——華南理工大學(xué)教授

林維明——福州大學(xué)教授

房玉龍——中國電子科技集團公司第十三研究所研究員

d.生物與農(nóng)業(yè)光照

召集人：

楊其長——國際歐亞科學(xué)院院士、中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長、研究員

唐國慶——中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟副理事長、木林森執(zhí)行總經(jīng)理

劉   鷹——浙江大學(xué)生物系統(tǒng)工程與食品科學(xué)學(xué)院院長、教授

泮進明——浙江大學(xué)教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事長

賀冬仙——中國農(nóng)業(yè)大學(xué)教授

陳   凱——華普永明光電股份有限公司董事長、總裁

華桂潮——四維生態(tài)董事長

徐  虹——廈門通秮科技有限公司總經(jīng)理

劉厚誠——華南農(nóng)業(yè)大學(xué)教授

李紹華——中科三安光生物產(chǎn)業(yè)研究院院長

F7-新型顯示材料及應(yīng)用

主題分論壇主席：

嚴  群——福州大學(xué)教授

孫小衛(wèi)——南方科技大學(xué)電子與電氣工程系講席教授

畢   勇——中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所研究員、激光應(yīng)用中心主任

a.Mini/Micro-LED顯示材料與裝備

召集人：

嚴   群——福州大學(xué)教授

王新強——北京大學(xué)東莞光電研究院院長、北京大學(xué)教授

閆春輝——中民研究院常務(wù)副院長、納微朗科技（深圳）有限公司董事長

劉   斌——南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授

黃   凱——廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長、教授

馬松林——TCL集團工業(yè)研究院副院長

劉國旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO

邱   云——京東方科技集團股份有限公司技術(shù)企劃部副總監(jiān)

劉召軍——南方科技大學(xué)研究員

b.激光顯示三基色材料與器件

畢   勇——中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所研究員、激光應(yīng)用中心主任

趙德剛——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員

c.鈣鈦礦、量子點及柔性照明與顯示等

召集人：

孫小衛(wèi)——南方科技大學(xué)電子與電氣工程系講席教授

廖良生——蘇州大學(xué)教授

徐   征——北京交通大學(xué)教授

段   煉——清華大學(xué)教授

鐘海政——北京理工大學(xué)教授

F8-固態(tài)紫外材料與器件

主題分論壇主席：

康俊勇——廈門大學(xué)教授

王軍喜——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任

a.固態(tài)紫外發(fā)光材料與器件

b.紫外探測材料與器件

召集人：

康俊勇——廈門大學(xué)教授

王軍喜——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任

黎大兵——中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所研究員

陸   海——南京大學(xué)教授

陳長清——華中科技大學(xué)教授

郭浩中——臺灣交通大學(xué)特聘教授

李曉航——沙特國王科技大學(xué)副教授

許福軍——北京大學(xué)物理學(xué)院副教授

日程安排

注冊權(quán)益收費表

備注：

＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。

＊學(xué)生參會需提交相關(guān)證件。

＊會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。

＊IFWS相關(guān)會議包括：開幕大會，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術(shù),氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù),射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件，閉幕大會。

＊SSLCHINA相關(guān)會議包括：開幕大會，氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)，固態(tài)紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)，生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)，教育照明與健康光環(huán)境，光醫(yī)療應(yīng)用技術(shù)，化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),閉幕大會。

*產(chǎn)業(yè)峰會包括：生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、功率模塊與電源應(yīng)用峰會、第三代半導(dǎo)體標準與檢測研討會、UV LED創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會。

＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續(xù)費。

＊自助餐包含：2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。

論壇線上注冊平臺

IFWS&SSLCHINA 在線注冊通道

*備注：請微信掃碼查看并注冊，注冊成功后可在個人中心查看電子票信息、申請發(fā)票、為他人報名、分享海報等等。

*防疫提醒：目前全國各地防疫政策逐漸放寬，目前進/出蘇州不再查驗核酸、健康碼，組委會提醒參會代表臨行前能做好自我健康檢測，體溫等無異常者，佩戴好口罩即可現(xiàn)場參會。

即日起至2023年2月1日之前，完成注冊繳費即可享受折扣票（詳見上圖），中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學(xué)生參會需提交相關(guān)證件。會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。