開年第三代半導(dǎo)體盛會，凝心聚力再啟新征程！—— 第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年2月7-10日（7日報到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。其中，碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術(shù)分會作為重要的技術(shù)分論壇，目前已經(jīng)確認的報告嘉賓日程正式出爐！

材料水平直接決定了器件的性能。以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導(dǎo)體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應(yīng)用。同時，碳化硅外延工藝是非常關(guān)鍵的工藝，器件在外延上實現(xiàn)，外延的質(zhì)量對器件的性能影響非常大，外延質(zhì)量受晶體和襯底加工的影響，碳化硅外延是產(chǎn)業(yè)的中間環(huán)節(jié)，對產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到非常關(guān)鍵的作用。

作為IFWS重要的技術(shù)分論壇，碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術(shù)分會得到了寧波恒普真空科技股份有限公司，勵德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，中國電子科技集團公司第四十八研究所，德國愛思強股份有限公司，湖北九峰山實驗室,哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司協(xié)辦支持，由山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長徐現(xiàn)剛教授，中國科學(xué)院物理研究所功能晶體研究與應(yīng)用中心主任陳小龍研究員，中科院半導(dǎo)體研究所孫國勝研究員，瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經(jīng)理馮淦博士等業(yè)界知名專家擔任程序委員會召集人。

屆時，特邀徐現(xiàn)剛教授和陳小龍研究員共同主持，由浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院副院長、教授皮孝東，南砂晶圓副總經(jīng)理、山東大學(xué)教授陳秀芳，南京百識電子科技有限公司首席執(zhí)行官宣融，德國愛思強股份有限公司中國區(qū)副總經(jīng)理方子文，勵德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司研究員賈維煒，中國科學(xué)院物理研究所副研究員李輝，中國電子科技集團公司第四十六研究所、首席專家王英民，哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長趙麗麗，廈門大學(xué)薩本棟微米納米科學(xué)技術(shù)研究院副教授尹君，北京工業(yè)大學(xué)副教授陳沛等科研院校專家學(xué)者與企業(yè)專家代表共同參與，將圍繞碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術(shù)分享前沿研究。

目前最新日程如下，歡迎參會交流合作：

 

技術(shù)分論壇：碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術(shù) Technical Sub-Forum: SiC Substrate Material Growth, Processing and Epitaxy Technologies
時間：2023年2月9日08:30-12:00 地點：蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店 • K5-6 Time: Feb 9th，2023，08:30-12:00 Location: Kempinski Hotel Suzhou • K5-6
協(xié)辦支持/Co-organizer: 寧波恒普真空科技股份有限公司/NINGBO HIPER VACUUM TECHNOLOGY CO.,LTD 勵德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司/Reed Elsevier Information Technology (Beijing) Co., Ltd. 廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司/Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,ltd 中國電子科技集團公司第四十八研究所/The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation 德國愛思強股份有限公司/ AIXTRON 湖北九峰山實驗室/JFS Laboratory 哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司/Harbin KY Semiconductor Inc
屏幕尺寸 / Slides Size：16:9
主持人 Moderator	徐現(xiàn)剛 / XU Xiangang 山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、教授 Professor & Dean of Institute of Novel Semiconductors, Shandong University 陳小龍 / CHEN Xiaolong 中國科學(xué)院物理研究所功能晶體研究與應(yīng)用中心主任、研究員 Professor and Director of Research & Development Center for Functional Crystals at the Institute of Physics, CAS
08:30-08:50	4H碳化硅單晶的制備和加工技術(shù)進展 Progress of the growth and processing of monocrystalline 4H silicon carbide 皮孝東——浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院副院長、教授 PI Xiaodong——Deputy Dean & Porfessor of Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center, Zhejiang Univerisity
08:50-09:10	大尺寸 Diameter Enlargement and Substrate Preparation of Large Size 4H SiC Single Crystals 陳秀芳——南砂晶圓總經(jīng)理助理，山東大學(xué)教授 CHEN Xiufang——Assistant General Managerof Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,ltd, Professor of Shandong University
09:10-09:30	碳化硅外延與晶圓制造技術(shù) Silicon carbide epitaxy and wafer manufacturing technology 宣融——南京百識電子科技有限公司首席執(zhí)行官 XUAN Rong——CEO of  Nanjing Baizhi Electronic Technology Co., Ltd
09:30-09:50	碳化硅及其他化合物半導(dǎo)體外延大規(guī)模量產(chǎn)方案 High Volume Manufacturing of Sic and Other Compound Semiconductor Epitaxy 方子文——德國愛思強股份有限公司中國區(qū)副總經(jīng)理 FANG Ziwen——Deputy General Manage，China AIXTRON SE
09:50-10:10	全球科研信息賦能第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)創(chuàng)新與發(fā)展——基礎(chǔ)研究及科研策略分析Global scientific research information empowers innovation and development of third-generation semiconductor materials technology - analysis of basic research and scientific research strategies 賈維煒——勵德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司研究員 JIA Weiwei——Researcher of Reed Elsevier Information Technology (Beijing) Co., Ltd.
10:10-10:25	茶歇 / Coffee Break
10:25-10:45	液相法碳化硅單晶生長研究進展 Recent progress on the growth of SiC single crystals from high temperature solutions 李 輝——中國科學(xué)院物理研究所副研究員 LI Hui——Associate Professor of Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences
10:45-11:05	碳化硅單晶技術(shù)進展及挑戰(zhàn) Progress and challenge of silicon carbide single crystal technology 王英民——中國電子科技集團公司第四十六研究所，首席專家 WANG Yingmin——Chief Expert of CETC 46
11:05-11:25	電阻爐8英寸碳化硅單晶制備技術(shù)探索 Research on the preparation technology of 8-inch SiC single crystal in resistance furnace 趙麗麗  哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長 ZHAO Lili   President of Harbin KY Semiconductor Inc
11:25-11:45	200 mm碳化硅晶體生長仿真：基于氣相導(dǎo)流板調(diào)控的傳質(zhì)過程優(yōu)化 Optimized mass transport for 200-mm silicon carbide bulk growth by a designed gas deflector 尹君——廈門大學(xué)薩本棟微米納米科學(xué)技術(shù)研究院副教授 YIN Jun——Associate Professor of Xiamen Univsersity
11:45-12:00	超快激光輔助加工碳化硅襯底晶圓的研究 The study of ultra-fast laser assisted processing of SiC substrate wafer 陳沛——北京工業(yè)大學(xué)副教授 CHEN Pei——Associate Professor of Beijing University of Technology

 備注：日程或有微調(diào)，最終以現(xiàn)場為準。

【部分嘉賓簡介】

徐現(xiàn)剛

山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、教授

徐現(xiàn)剛，山東大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師，教育部長江計劃特聘教授，國家杰出青年科學(xué)基金獲得者，泰山學(xué)者特聘專家，科技部973國家重點基礎(chǔ)研發(fā)計劃首席科學(xué)家，核心基礎(chǔ)元器件重大專項負責人。國家863計劃半導(dǎo)體照明工程重大項目總體專家組專家，享受國務(wù)院政府特殊津貼專家，獲得山東省科技進步一等獎，國防科學(xué)技術(shù)進步一等獎，山東省技術(shù)發(fā)明一等獎，以及第十屆“山東省優(yōu)秀科技工作者”榮譽稱號。

現(xiàn)任山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院主任。國務(wù)院學(xué)位委員會委員、中國晶體學(xué)會理事、弱光非線性光子學(xué)教育部重點實驗室學(xué)術(shù)委員會委員、中國光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會光電器件分會特聘專家、中國青年科技工作者協(xié)會會員。在國內(nèi)外發(fā)表論文400余篇，被引4000余次。國家授權(quán)發(fā)明專利100余項。

陳小龍

中國科學(xué)院物理研究所功能晶體研究與應(yīng)用中心主任、研究員

陳小龍，博士，德國海德堡大學(xué)和巴洛意特大學(xué)洪堡學(xué)者?，F(xiàn)任中科院物理研究所研究員，博士生導(dǎo)師，1999年獲國家杰出青年科學(xué)基金，2003年入選中國科學(xué)院“百人計劃”，2004年至今兼任中國晶體學(xué)會副理事長和國際衍射數(shù)據(jù)中心（ICDD）中國區(qū)主席，2007年獲ICDD Fellow稱號，2009年成為“新世紀百千萬人才工程”國家級人選，2009年獲第五屆“發(fā)明創(chuàng)業(yè)獎”特等獎，作為負責人帶領(lǐng)寬禁帶半導(dǎo)體材料研究與應(yīng)用團隊獲2010年度“中國科學(xué)院先進集體”榮譽稱號。

長期從事寬禁帶半導(dǎo)體材料和新功能晶體材料探索方面的研究工作，先后主持國家863、973和國家科技支撐計劃等23個科研項目，取得了多項研究成果。系統(tǒng)開展了碳化硅晶體生長的基礎(chǔ)和應(yīng)用開發(fā)研究工作，解決了多項關(guān)鍵科學(xué)問題和系列關(guān)鍵技術(shù)，生長出2-4英寸高質(zhì)量晶體；攻克了晶體制備重復(fù)性和穩(wěn)定性等關(guān)鍵工程化問題，在國內(nèi)率先實現(xiàn)了碳化硅晶體的產(chǎn)業(yè)化，碳化硅系列晶片批量供應(yīng)國內(nèi)用戶，并出口至歐美和日本等發(fā)達國家，打破了國外的長期壟斷，為發(fā)展我國寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)奠定了基礎(chǔ)。發(fā)現(xiàn)了一系列新的功能晶體材料，包括新超導(dǎo)體K0.8Fe2Se2和具有潛在應(yīng)用價值的閃爍晶體YBa3B9O18等，精確測定了新化合物的晶體結(jié)構(gòu)，其中120個化合物的衍射數(shù)據(jù)被ICDD收錄為標準衍射數(shù)據(jù)。在國際有影響的學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表和合作發(fā)表論文360余篇，引用8000余次，申請國家發(fā)明專利50項（已授權(quán)40項），起草國家標準3項（已實施）。在國際學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表論文301篇，共被引用2549次（h因子23）。自1999年來指導(dǎo)博士研究生58余名，其中40人已獲博士學(xué)位。招收博士后4人，3人出站。

孫國勝

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員

東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司副總經(jīng)理

孫國勝，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員，東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司副總經(jīng)理。1994年畢業(yè)于中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所并獲理學(xué)博士學(xué)位，同年留所從事半導(dǎo)體致冷技術(shù)的開發(fā)工作。1997-1998年在美國加州大學(xué)洛杉磯分校（UCLA）物理系做博士后研究工作。目前主要從事第三代寬帶隙SiC（碳化硅）半導(dǎo)體外延材料生長、特性表征、以及SiC功率半導(dǎo)體器件研制工作。先后參加和主持國家“863”、國家重大基礎(chǔ)研究計劃項目（973項目）、國家自然科學(xué)基金委、中國科學(xué)院重點和北京市科委等項目多項。近來，作為廣東省創(chuàng)新科研團隊引進項目的主要成員，與廣東省企業(yè)合作承擔了廣東省戰(zhàn)略性新型產(chǎn)業(yè)項目和東莞市重大方向性項目，開展SiC外延晶片產(chǎn)業(yè)化以及SiC功率半導(dǎo)體器件制造技術(shù)研發(fā)工作。

多年還從事過非晶硅半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)和半導(dǎo)體致冷技術(shù)的研究與開發(fā)工作，曾獲得中國科學(xué)院科學(xué)技術(shù)成果獎（非晶硅中的亞穩(wěn)缺陷及界面問題研究）、陜西省教育委員會科學(xué)技術(shù)進步獎（非晶碳化硅的電致發(fā)光特性及大面積發(fā)光二極管）和中國科學(xué)院留學(xué)回國擇優(yōu)支持項目的資助。從九十年代至今在國內(nèi)外主要學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表研究論文六十余篇，獲得國家發(fā)明和實用新型專利十余項。主要研究領(lǐng)域或方向：第三代寬帶隙SiC半導(dǎo)體材料、物理與器件及產(chǎn)業(yè)化研究。

馮  淦

瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經(jīng)理

馮淦，博士，教授級高級工程師。2003年畢業(yè)于中科院半導(dǎo)體所，獲材料物理與化學(xué)專業(yè)博士學(xué)位，后就職于德國、日本多家科研機構(gòu)，一直從事禁帶半導(dǎo)體外延生長及其大功率器件的研制。2011年9月回國加入瀚天天成電子科技（廈門）有限公司，推動碳化硅半導(dǎo)體外延晶片的國產(chǎn)化，現(xiàn)為瀚天天成公司總經(jīng)理。發(fā)表SCI收錄論文40多篇，申請專利20多項，主持碳化硅外延晶片團體標準二項，多次受邀在國內(nèi)外學(xué)術(shù)會議上做特邀報告。

在其主導(dǎo)下，瀚天天成研發(fā)團隊成功攻克多項碳化硅外延生長關(guān)鍵技術(shù)，成功完成600V、1200V碳化硅外延晶片的研制和產(chǎn)業(yè)化，產(chǎn)品質(zhì)量達到世界領(lǐng)先水平。馮淦博士還主持和參與了國家發(fā)改委2012年“電子信息產(chǎn)業(yè)振興和技術(shù)改造項目”、國家科技部重大科技專項（02專項）“SiC電力電子器件集成制造技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化”、國家科技部863項目“基于SiC器件的并網(wǎng)光伏逆變器研制”和“大尺寸SiC材料與器件制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”、國家科技部重點研發(fā)計劃“中低壓SiC材料、器件及其在電動汽車充電設(shè)備中的應(yīng)用示范”等多項國家級項目。

皮孝東

浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院副院長、教授

皮孝東,浙江大學(xué)半導(dǎo)體材料研究所所長，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院副院長、教授。浙江大學(xué)硅材料國家重點實驗室和浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院雙聘教授，博士生導(dǎo)師。2004年在英國巴斯大學(xué)獲得博士學(xué)位，并受頒新穎研究獎?wù)?。隨后在加拿大麥克馬斯特大學(xué)和美國明尼蘇達大學(xué)雙城分校從事研究工作。于2008年到浙江大學(xué)工作，在2012年由副教授晉升為教授。是中國真空學(xué)會理事和中國真空學(xué)會電子材料與器件專業(yè)委員會副主任委員（2019-2024）、美國物理聯(lián)合會學(xué)術(shù)期刊Applied Physics Letters的編輯顧問委員會成員（2017-2022）、英國物理學(xué)會學(xué)術(shù)期刊Nanotechnology的顧問委員會成員（2019-2021）、《半導(dǎo)體學(xué)報》青年編委（2021-2023）、國家重點研發(fā)計劃“光電子與微電子器件及集成”項目顧問專家（2019-2023）。

主要從事半導(dǎo)體材料和器件研究。在硅基異質(zhì)結(jié)構(gòu)及其光電器件如發(fā)光二極管、光電探測器和光電神經(jīng)形態(tài)器件研究方面取得了系列進展。近期針對寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展的迫切需求，啟動了以半導(dǎo)體碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體的制備、加工、外延和應(yīng)用研究。曾在Physical Review Letters、Advanced Materials、Materials Science & Engineering R、ACS Nano、Nano Letters、Nano Energy和IEDM等學(xué)術(shù)期刊和會議上發(fā)表了系列研究論文。

陳秀芳

南砂晶圓總經(jīng)理助理、山東大學(xué)教授

陳秀芳，山東大學(xué)教授，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司總經(jīng)理助理。主要從事寬帶隙碳化硅等半導(dǎo)體材料及相關(guān)器件、超硬材料加工及納米材料的研究。在該領(lǐng)域中，取得系列重要應(yīng)用型科研成果，先后主持承擔了國家科技重大專項、973計劃、預(yù)研項目、國家重點研發(fā)計劃、科技部“863”計劃、山東省自主創(chuàng)新重大專項等20余項國家及省部級項目。在國內(nèi)外學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文40余篇，申請和獲得授權(quán)發(fā)明專利20余項。獲得“山東省技術(shù)發(fā)明一等獎”、“國家自然科學(xué)基金優(yōu)秀青年基金”、“山東省自然科學(xué)杰出青年基金”等。

李  輝

中科院物理所副研究員

李輝，中科院物理所副研究員。曾獲中科院青年促進會會員、中科院盧嘉錫青年人才獎、英國皇家學(xué)會牛頓高級研究學(xué)者、北京市科學(xué)技術(shù)進步一等獎等榮譽稱號。承擔國家重點研發(fā)計劃2項（課題負責人和單位負責人）、北京市科技計劃（單位負責人）、英國皇家學(xué)會高級牛頓研究學(xué)者項目（負責人）、中科院青年促進會項目、國家自然基金面上、青年基金等10余項，做為項目骨干參與中國科學(xué)院“弘光專項”、科技部863課題等8項。在Chemical Reviews、Nature Energy、Nature Chemistry、JACS、Journal of Crystal Growth等期刊上發(fā)表SCI論文90余篇，獲授權(quán)專利7項，譯著1部。

王英民

中國電子科技集團公司第四十六研究所，首席專家

王英民博士，研究員，中國電科集團首席專家，寬禁帶半導(dǎo)體材料山西省重點實驗室主任，CASA第三代半導(dǎo)體卓越青年，山西省學(xué)術(shù)技術(shù)帶頭人，“三晉英才”領(lǐng)軍人才，山西省新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍人才。2009年畢業(yè)于山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室，獲博士學(xué)位。長期從事碳化硅單晶生長及缺陷表征工作，具有近20年碳化硅單晶材料研制經(jīng)驗。主持并參加了國家自然科學(xué)基金、“863”計劃以及山西省重大專項等20余項國家，省部級課題研究。獲山西省、集團公司、國防系統(tǒng)等省部級科技進步獎5項。在國內(nèi)外期刊和重要國際會議上發(fā)表論文40余篇。申請國家專利18項，授權(quán)9項。

趙麗麗

哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長

哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授

趙麗麗博士，2006年在德國獲得德國馬克思普朗克物理所 材料學(xué)博士學(xué)位，2012年哈爾濱工業(yè)大學(xué)“百人計劃”高層次人才引入，投身家鄉(xiāng)教育事業(yè)，在哈工大化工與化學(xué)學(xué)院擔任教授，為國家振興，民族富強培養(yǎng)棟梁之才。趙麗麗博士長期堅持在科研一線、潛心研究新材料與高端裝備，并于2018年受邀擔任深圳第三代半導(dǎo)體研究院晶體材料所所長。2018年響應(yīng)“大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新”的政策，趙麗麗博士持科技成果創(chuàng)辦哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司（簡稱：科友半導(dǎo)體）擔任董事長。2006年-2007年，在瑞士聯(lián)邦工業(yè)大學(xué)蘇黎世分校從事博士后研究工作；2007年-2010年，在挪威麥拓卡夫特（metaLLKRAFT）研發(fā)部，擔任資深研究員；2011年-2013年，在美國可再生能源公司，擔任中國區(qū)總經(jīng)理兼技術(shù)總監(jiān)。2015年至今，在創(chuàng)業(yè)奮斗的過程中，也獲得國家、省、市的各項殊榮。入選國家中組部“創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才”，入選國家科技部“萬人計劃”科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才；黑龍江省杰出青年科學(xué)基金獲得者，獲黑龍江省科學(xué)技術(shù)一、二等獎各一項。黑龍江省巾幗建功標兵、黑龍江省十大杰出青年創(chuàng)業(yè)獎、黑龍江省歸國留學(xué)生人員報國獎；獲得哈爾濱市科技創(chuàng)業(yè)獎、哈爾濱市有突出貢獻專家、哈爾濱高層次創(chuàng)新人才、哈爾濱市有突出貢獻中青年專家、三八紅旗手和省人才代表等榮譽稱號。

方子文

德國愛思強股份有限公司中國區(qū)副總經(jīng)理

方子文，德國愛思強股份有限公司中國區(qū)副總經(jīng)理。方子文博士畢業(yè)于英國利物浦大學(xué)工程學(xué)院，主修先進半導(dǎo)體沉積技術(shù)，現(xiàn)任AIXTRON中國區(qū)市場營銷和工藝高級部門經(jīng)理。他在AIXTRON曾擔任工藝科學(xué)家，實驗室部門經(jīng)理等職，精通三五族化合物半導(dǎo)體MOCVD外延材料生長、制備和測試。其中包括硅基GaN材料用于功率及射頻器件,SiC材料用于功率器件,GaAs/InP激光器，及Mini/Micro LED顯示面板產(chǎn)品使用的外延材料。

宣  融

南京百識電子科技有限公司首席執(zhí)行官

宣融，南京百識電子科技有限公司首席執(zhí)行官，臺灣交通大學(xué)博士，主要研究方向為第三代半導(dǎo)體，發(fā)表著作20篇，半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)＠l(fā)明86件。主要經(jīng)歷如下：研究所畢業(yè)后進入臺灣工研院電光所服務(wù)，在技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)服務(wù)方面皆有優(yōu)良表現(xiàn)。期間取得交大電子物理博士學(xué)位。博士論文為“以硅基板開發(fā)常關(guān)型氮化鎵高電子移動率晶體管”。曾先后供職于臺灣漢磊科技和嘉晶電子，組建第三代半導(dǎo)體技術(shù)團隊，領(lǐng)導(dǎo)并完成多項三代半功率器件新產(chǎn)品的研發(fā)和銷售任務(wù)，多年來率領(lǐng)技術(shù)團隊在氮化鎵和碳化硅功率器件的量產(chǎn)良率提升方面取得卓越成績。2019年創(chuàng)立南京百識電子，擔任南京百識董事、總經(jīng)理和創(chuàng)始人。建立專業(yè)第三代半導(dǎo)體外延片代工廠，目前4/6寸SiC外延片，以及6/8寸GaN on Si外延片生產(chǎn)線均已完成建置，并在2022年順利實現(xiàn)量產(chǎn)；在碳化硅和氮化鎵外延片的生產(chǎn)上，宣融所領(lǐng)導(dǎo)的團隊具備10年以上超過5萬片量產(chǎn)經(jīng)驗。曾獲得臺灣工研院部服務(wù)推廣獎銀牌；工研院電光所杰出研究所金牌；新竹縣社會優(yōu)秀青年；南京浦口區(qū)中青年優(yōu)秀人才；江蘇省雙創(chuàng)人才，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)碩士研究生實踐導(dǎo)師。

尹  君

廈門大學(xué)薩本棟微米納米科學(xué)技術(shù)研究院副教授

尹君，工學(xué)博士，2014年6月畢業(yè)于華中科技大學(xué)光學(xué)與電子信息學(xué)院/武漢光電國家實驗室；2014年9月加入廈門大學(xué)薩本棟微米納米科學(xué)技術(shù)研究院，任研究型助理教授/師資博士后；2017年8月任副教授職務(wù)。主要研究方向為能源轉(zhuǎn)換相關(guān)的光電子材料與相關(guān)器件，涉及微米納米結(jié)構(gòu)制備及在半導(dǎo)體材料光電行為操控上的應(yīng)用、新型生物及光電傳感器制備、高效全固態(tài)鈣鈦礦太陽能電池研發(fā)等，近年來已在J. Mater. Chem. A、Nanoscale、Adv. Opt. Mater.,ACS Appl. Mater. Interfaces等期刊發(fā)表高水平論文多篇。目前已主持國家自然科學(xué)基金青年基金項目、中國博士后科學(xué)基金面上項目，福建省自然科學(xué)基金面上項目，江西省自然科學(xué)基金重點項目等多項科研課題，并參與國家自然科學(xué)基金面上項目、國家重點研發(fā)計劃項目、福建省科技計劃項目及廈門市科技項目等多項。

陳  沛

北京工業(yè)大學(xué)副教授

陳沛，北京工業(yè)大學(xué)副教授。研究方向為先進電子封裝中的力學(xué)問題與可靠性問題、先進電子封裝中的新型材料與結(jié)構(gòu)中的力學(xué)問題。曾承擔課題國家自然科學(xué)基金青年基金“減薄晶圓損傷層殘余應(yīng)力和力學(xué)性能測量方法研究 （11502005）2016.01-2018.12 （主持）。國家科技重大專項--極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝（“02”專項）任務(wù)“晶圓減薄損傷層表征與控制方法”（2014ZX02504-001-005），2014.1-2017.12（參加）。

賈維煒

勵德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司研究員

（備注：以上嘉賓信息未經(jīng)其本人確認，僅供參考。）

【關(guān)于本場分會協(xié)辦單位】

》》》寧波恒普真空科技股份有限公司

寧波恒普真空科技股份有限公司是一家以材料研究為基礎(chǔ)，以高溫熱場環(huán)境控制為技術(shù)核心的金屬注射成形（MIM)領(lǐng)域和寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備供應(yīng)商，主要從事金屬注射成形（MIM）脫脂燒結(jié)爐、碳化硅晶體生長爐、碳化硅同質(zhì)外延設(shè)備等熱工裝備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。恒普科技以材料基礎(chǔ)研究和創(chuàng)新方法解決行業(yè)需求，為行業(yè)提供全新的解決方案，推動行業(yè)的發(fā)展。

》》》勵德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司

愛思唯爾是全球信息與分析領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，幫助科研和醫(yī)學(xué)專業(yè)人員推動科學(xué)發(fā)展、改善醫(yī)療成果從而造福社會。140多年以來，我們一直致力于與科研與醫(yī)學(xué)專業(yè)人員合作，支持他們更高效地開展工作。從學(xué)術(shù)出版起家，愛思唯爾提供知識資源和分析服務(wù)，幫助我們的用戶取得科研突破，推動社會進步。我們在戰(zhàn)略研究管理、研發(fā)表現(xiàn)、臨床決策支持和醫(yī)學(xué)教育領(lǐng)域提供數(shù)字化解決方案，包括ScienceDirect， Scopus， SciVal， ClinicalKey 和Sherpath。愛思唯爾是勵訊集團（RELX）的成員之一，勵訊集團（RELX）為全球?qū)I(yè)人士和商業(yè)客戶提供科學(xué)、醫(yī)療、法律和商業(yè)領(lǐng)域信息分析服務(wù)及決策工具。

》》》廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司是一家從事碳化硅單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售三位一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。公司以山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室近年來研發(fā)的最新碳化硅單晶生長與襯底加工技術(shù)成果為基礎(chǔ)，同山東大學(xué)開展全方位產(chǎn)學(xué)研合作。公司產(chǎn)品以6英寸半絕緣和n型碳化硅襯底為主，可視市場需求不斷豐富產(chǎn)品線。第三代半導(dǎo)體材料作為新基建的戰(zhàn)略性材料，公司將立足粵港澳大灣區(qū)，力爭發(fā)展成為全國乃至全球馳名的碳化硅半導(dǎo)體公司。

》》》中國電子科技集團公司第四十八研究所

中國電子科技集團公司第四十八研究所（以下簡稱48所）又名“長沙半導(dǎo)體 工藝設(shè)備研究所”，成立于1964年5月，隸屬于中國電子科技集團有限公司。現(xiàn) 有科研生產(chǎn)人員近1000人，其中享受國務(wù)院政府特殊津貼專家29人，研究員 33人。

48所技術(shù)力量雄厚，專業(yè)門類齊全，是國內(nèi)唯一從事以三束（離子束、電子 束、分子束）為主的軍民兩用型骨干科研生產(chǎn)單位，產(chǎn)品包括第三代半導(dǎo)體裝備 以及集成電路裝備、光伏電池裝備、磁性材料裝備、冶金材料裝備、特種傳感器與系統(tǒng)，并具備裝備整線集成能力。產(chǎn)品銷售覆蓋含香港、臺灣在內(nèi)的全國29個 省市、特區(qū)，出口到美國、德國、法國、西班牙、俄羅斯、澳大利亞、埃及、土 耳其等20多個國家和地區(qū)。

48所擁有國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（湖南）、國防科技工業(yè)有源層優(yōu) 化生長創(chuàng)新中心、國家光伏裝備工程技術(shù)研究中心、中國-埃及可再生能源國家聯(lián) 合實驗室等5個國家級平臺和博士后科研工作站，取得重大科研成果380余項，其 中填補國內(nèi)空白148項、達到國際先進水平138項、列為國家替代進口119項，擁有專利396項。

》》》德國愛思強股份有限公司

AIXTRON愛思強是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先的沉積設(shè)備供應(yīng)商。該公司成立于1983年，總部設(shè)在德國黑措根拉特（靠近亞?。⒃趤喼蕖⒚绹皻W洲設(shè)有子公司及銷售辦事處。該公司的技術(shù)解決方案被全世界廣泛的客戶所使用，以制造先進的電子和光電子應(yīng)用元件，這些元件乃基于化合物、硅或有機半導(dǎo)體材料。該元件被廣泛用于創(chuàng)新應(yīng)用、技術(shù)及行業(yè)，其中包括LED應(yīng)用、顯示技術(shù)、數(shù)據(jù)存儲、數(shù)據(jù)傳輸、能源管理和轉(zhuǎn)化、通訊、信號燈和照明技術(shù)以及其他尖端技術(shù)。請瀏覽網(wǎng)站www.aixtron.com 了解AIXTRON愛思強（法蘭克福證券交易所：AIXA，國際證券號碼：DE000A0WMPJ6）的更多信息。

》》》湖北九峰山實驗室

九峰山實驗室與你一起，創(chuàng)造未來。

九峰山實驗室以建設(shè)先進的化合物半導(dǎo)體研發(fā)和創(chuàng)新中心為愿景。我們將來自世界各地的人才聚集在一起，建設(shè)先進的基礎(chǔ)設(shè)施，打造公共、開放、共享的科研平臺，與合作伙伴一起構(gòu)建可持續(xù)發(fā)展的未來。

九峰山實驗室于2021年成立。實驗室緊密結(jié)合全球優(yōu)勢學(xué)科領(lǐng)域和重點產(chǎn)業(yè)布局，連接科研與產(chǎn)業(yè)，建立成熟開放的實驗室運營機制、豐富的基礎(chǔ)IP交付能力、一流的設(shè)備環(huán)境、良好穩(wěn)定的合作關(guān)系，打造成全球最具影響力的化合物半導(dǎo)體科研創(chuàng)新高地。

天工開物檢測分析中心為先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈提供世界級第三方量測能力。

天工開物檢測分析中心是九峰山實驗室重點打造的檢測分析平臺，聚焦于半導(dǎo)體材料和器件的分析與測試，秉持開放的理念，提供專業(yè)、全面的檢測分析服務(wù)。

》》》哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司

哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司成立于2018年5月，企業(yè)坐落于哈爾濱市新區(qū)，是一家專注于第三代半導(dǎo)體裝備研發(fā)、襯底制造、器件設(shè)計、技術(shù)轉(zhuǎn)移和科研成果轉(zhuǎn)化的國家級高新技術(shù)企業(yè)，研發(fā)覆蓋半導(dǎo)體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個領(lǐng)域，已形成系列自主知識產(chǎn)權(quán)，實現(xiàn)先進技術(shù)自主可控?？朴寻雽?dǎo)體投資10億元人民幣，打造產(chǎn)、學(xué)、研一體化的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)，致力成為第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料供應(yīng)商，并在黑龍江建設(shè)第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)及裝備制造的新高地，形成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高端裝備和材料制造的新動能。

 

科友將在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)內(nèi)實現(xiàn)碳化硅材料端從原材料提純-裝備制造-晶體生長-襯底加工-外延晶圓的全產(chǎn)業(yè)鏈閉合，成為行業(yè)內(nèi)首家材料端全閉合企業(yè)。全力實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)和專利中國化。

附：

一年一度行業(yè)盛會，第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA ）將于2023年2月7-10日（7日報到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。在這場被視為“全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)風(fēng)向標”的盛會上，由2014年諾貝爾物理獎獲得者、日本工程院院士、美國工程院院士、中國工程院外籍院士、日本名古屋大學(xué)未來材料與系統(tǒng)研究所教授天野浩，美國工程院院士、美國國家發(fā)明家院士、中國工程院外籍院士、美國弗吉尼亞理工大學(xué)的大學(xué)特聘教授Fred LEE領(lǐng)銜200多個報告嘉賓，緊扣論壇“低碳智聯(lián)·同芯共贏”大會主題，將在開幕大會、主題分會及同期共計近30余場次活動中，全面展現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈前沿技術(shù)進展及產(chǎn)業(yè)發(fā)展“風(fēng)向"。

國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）是由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）在中國地區(qū)舉辦的、具備較強影響力的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域年度盛會，是引領(lǐng)全球第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展，促進相關(guān)產(chǎn)業(yè)、技術(shù)、人才、資金、政策合力發(fā)展的全球性、全產(chǎn)業(yè)鏈合作的高端平臺和高層次綜合性論壇。論壇以促進第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動通信技術(shù)、紫外探測技術(shù)和應(yīng)用的國際交流與合作，全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，成為全球范圍內(nèi)的全產(chǎn)業(yè)鏈合作交流的重要平臺，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向。

中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）伴著中國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一路成長起來，已成為半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模，參與度最高、口碑最好的全球性高層次論壇。十幾年的時間里，論壇盡最大力量打造國際性舞臺，邀請全球頂級專家，傳遞最前沿的產(chǎn)業(yè)、技術(shù)發(fā)展信息。

至今，SSLCHINA已連續(xù)舉辦了十八屆，IFWS也同期連續(xù)舉辦了七屆，全球超過1900位專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、投資人等蒞臨現(xiàn)場發(fā)布了精彩演講，參會觀眾覆蓋了70多個國家和地區(qū)，累計2.9萬余人到現(xiàn)場參會，集齊跨地區(qū)、跨領(lǐng)域的智慧合力，共同召喚產(chǎn)業(yè)發(fā)展新生態(tài)。無論是行業(yè)龍頭企業(yè)、初創(chuàng)團隊或是行業(yè)服務(wù)機構(gòu)，論壇都是十分精準的品牌展示、產(chǎn)品推廣、技術(shù)交流、成果發(fā)布及尋求合作的優(yōu)質(zhì)平臺和窗口。十幾年來，論壇服務(wù)過的客戶遍及全球，涵蓋了大部分國內(nèi)外知名的半導(dǎo)體材料、裝備、器件及應(yīng)用端企業(yè)，數(shù)量近千家，服務(wù)次數(shù)超過1200次。通過論壇期間的交流與對接，很多企業(yè)結(jié)識了潛在的合作伙伴，為自身發(fā)展把握住了機會。更多詳情見附件：

會議時間：2023年2月7日-10日（7日報到）

會議地點：中國 - 蘇州 - 蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店

日程安排

注冊權(quán)益收費表

備注：

＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。

＊學(xué)生參會需提交相關(guān)證件。

＊會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。

＊IFWS相關(guān)會議包括：開幕大會，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術(shù),氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù),射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件，閉幕大會。

＊SSLCHINA相關(guān)會議包括：開幕大會，氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)，固態(tài)紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)，生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)，教育照明與健康光環(huán)境，光醫(yī)療應(yīng)用技術(shù)，化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),閉幕大會。

*產(chǎn)業(yè)峰會包括：生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、功率模塊與電源應(yīng)用峰會、第三代半導(dǎo)體標準與檢測研討會、UV LED創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會。

＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續(xù)費。

＊自助餐包含：2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。

論壇線上注冊平臺

IFWS&SSLCHINA 在線注冊通道

*備注：請微信掃碼查看并注冊，注冊成功后可在個人中心查看電子票信息、申請發(fā)票、為他人報名、分享海報等等。

2023年2月1日之前，完成注冊繳費即可享受折扣票（詳見上圖），中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學(xué)生參會需提交相關(guān)證件。會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。