近期，天域半導(dǎo)體、天科合達(dá)半導(dǎo)體兩家碳化硅企業(yè)均獲得新一輪融資。

》》天域半導(dǎo)體獲約12億元融資

廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“天域半導(dǎo)體”）獲約12億人民幣融資，投資方包括中國比利時基金、廣東粵科投、南昌產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)、嘉元科技、招商資本、乾創(chuàng)資本等。

本輪融資資金將繼續(xù)用于增加碳化硅外延產(chǎn)線的擴(kuò)產(chǎn)以及持續(xù)加大碳化硅大尺寸外延生長研發(fā)投入。

天域半導(dǎo)體成立于2009年，是一家碳化硅（SiC）外延片企業(yè)，乾創(chuàng)資本消息顯示，該公司是國內(nèi)最早實(shí)現(xiàn)6英寸外延晶片量產(chǎn)，20 kV級以上的厚外延生長實(shí)現(xiàn)，緩變結(jié)、陡變結(jié)等n/p型界面控制技術(shù)，多層連續(xù)外延生長技術(shù)的企業(yè)。

據(jù)悉，天域半導(dǎo)體已提前布局國內(nèi)8英寸SiC外延晶片工藝線的建設(shè)，正積極突破研發(fā)8英寸SiC工藝關(guān)鍵技術(shù)。

》》天科合達(dá)完成Pre-IPO輪融資

近期，北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“天科合達(dá)”）完成Pre-IPO輪融資，投資方包括京銘資本體系京銘鴻瑞產(chǎn)業(yè)基金、歷金銘科產(chǎn)業(yè)基金以及青島匯鑄英才產(chǎn)業(yè)基金等。

天科合達(dá)成立于2006年，是一家從事第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家級高新技術(shù)企業(yè)。目前擁有北京總部基地、北京研發(fā)中心和三家全資子公司，一家控股子公司，產(chǎn)業(yè)涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備、碳化硅單晶襯底制備和碳化硅外延制備。

京銘資本消息顯示，天科合達(dá)從2020年開始開展8英寸導(dǎo)電型SiC單晶襯底的研發(fā)工作，經(jīng)過2年多技術(shù)攻關(guān)，突破了8英寸晶體擴(kuò)徑生長和晶片加工等關(guān)鍵技術(shù)難題，成功制備出高品質(zhì)8英寸導(dǎo)電型SiC單晶襯底。

據(jù)介紹，天科合達(dá)目前產(chǎn)能正在不斷突破，北京二期和徐州二期也在進(jìn)一步規(guī)劃中，預(yù)計2025年底，6英寸有效年產(chǎn)能達(dá)到55萬片，6到8英寸，可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行快速產(chǎn)能切換。

近期，北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“天科合達(dá)”）完成Pre-IPO輪融資，投資方包括京銘資本體系京銘鴻瑞產(chǎn)業(yè)基金、歷金銘科產(chǎn)業(yè)基金以及青島匯鑄英才產(chǎn)業(yè)基金等。

天科合達(dá)成立于2006年，是一家從事第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家級高新技術(shù)企業(yè)。目前擁有北京總部基地、北京研發(fā)中心和三家全資子公司，一家控股子公司，產(chǎn)業(yè)涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備、碳化硅單晶襯底制備和碳化硅外延制備。

京銘資本消息顯示，天科合達(dá)從2020年開始開展8英寸導(dǎo)電型SiC單晶襯底的研發(fā)工作，經(jīng)過2年多技術(shù)攻關(guān)，突破了8英寸晶體擴(kuò)徑生長和晶片加工等關(guān)鍵技術(shù)難題，成功制備出高品質(zhì)8英寸導(dǎo)電型SiC單晶襯底。

據(jù)介紹，天科合達(dá)目前產(chǎn)能正在不斷突破，北京二期和徐州二期也在進(jìn)一步規(guī)劃中，預(yù)計2025年底，6英寸有效年產(chǎn)能達(dá)到55萬片，6到8英寸，可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行快速產(chǎn)能切換。