近日，碳化硅襯底國產(chǎn)替代硬核科技企業(yè)乾晶半導(dǎo)體完成 1 億元 Pre-A 輪融資，由紫金港資本和元禾原點(diǎn)等多家機(jī)構(gòu)參與投資。

據(jù)了解，本輪資金將用于增加研發(fā)投入、產(chǎn)線建設(shè)以及企業(yè)運(yùn)營等。

杭州乾晶半導(dǎo)體有限公司成立于 2020 年 7 月，脫胎于著名半導(dǎo)體材料專家楊德仁院士指導(dǎo)下的浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心（簡稱浙大科創(chuàng)中心）先進(jìn)半導(dǎo)體院碳化硅襯底項目，該項目在碳化硅襯底的研發(fā)制備上曾取得了系列研究成果。乾晶半導(dǎo)體與浙大科創(chuàng)中心建有聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，也與浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室建立了緊密的合作關(guān)系。

隨著國家 " 雙碳戰(zhàn)略 " 的推進(jìn)，新能源產(chǎn)業(yè)和電動汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，產(chǎn)生了對功率轉(zhuǎn)換裝置如太陽能逆變器，電動汽車充電樁，車載充電器和馬達(dá)驅(qū)動器等的巨大需求，半導(dǎo)體功率器件是上述各種功率轉(zhuǎn)換裝置的核心。而碳化硅（SiC）材料具有耐高溫和高壓的特點(diǎn)，基于 SiC 的器件還具有高開關(guān)頻率和低靜態(tài)功耗，在高電壓和大電流的領(lǐng)域，SiC 被認(rèn)為是將取代硅成為功率器件的主流材料。

由于碳化硅成本高昂和制備工藝復(fù)雜，目前階段，碳化硅器件在全球半導(dǎo)體市場的滲透率較低，預(yù)計到 2023 年仍然不足 4%，但在未來幾年，碳化硅功率器件將以 34% 年均復(fù)合增長率快速增長，迎來碳化硅市場的爆發(fā)。預(yù)計到 2027 年全球 SiC 功率半導(dǎo)體市場規(guī)模有望突破 60 億美元。

碳化硅產(chǎn)業(yè)價值鏈比較清晰，主要包括襯底、外延、器件和應(yīng)用，其中作為基礎(chǔ)材料的襯底和外延占據(jù)了制造成本中的 70%，這與傳統(tǒng)硅基器件中晶圓制造占一半以上的成本上有著極大不同。碳化硅器件上游襯底和外延價值量凸顯，也讓許多廠商紛紛布局這兩個環(huán)節(jié)。就襯底而言，國內(nèi)外廠商市場占比極不均勻，Wolfspeed、Ⅱ - Ⅳ、SiCrystal 等三家海外廠商就占據(jù)了全球 89% 的市場，國內(nèi)企業(yè)市場份額較小。其主要原因是襯底制備工藝復(fù)雜、技術(shù)要求較高，在長晶、切割等方面良率提升困難，國內(nèi)廠商技術(shù)積累不足，雖然已經(jīng)有天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等國內(nèi)廠商在技術(shù)上進(jìn)行追趕，但是想要重塑行業(yè)格局尚需一定時日。

乾晶半導(dǎo)體依托浙大的學(xué)術(shù)資源，深耕碳化硅領(lǐng)域，在長晶、切割等多個環(huán)節(jié)均有深厚的技術(shù)積累。首先，在長晶技術(shù)方面，乾晶單晶生長技術(shù)路線較國內(nèi)普遍水平較為優(yōu)異，據(jù)了解，乾晶所采用的技術(shù)路線生長的六英寸 SiC 晶體，厚度在 20mm 以上，最厚可達(dá) 50mm，長晶成品率可達(dá) 70%，一顆晶體的生長時間在 5 天，處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。其次，在切割技術(shù)方面，乾晶半導(dǎo)體在工藝開發(fā)過程中，解決了金剛石線高線速切削加工劇烈，晶片翹曲度大的問題，切割一刀時長縮短到 20 小時，大大提高了加工效率，此外，乾晶半導(dǎo)體正在開發(fā)激光剝離技術(shù)，有望進(jìn)一步降低晶片切割損耗和損傷層厚度。目前公司正在衢州搭建中試產(chǎn)線，這些技術(shù)積累將為乾晶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)量爬坡提供保障。