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總投資約6億元,博康嘉興氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目開工

日期:2023-03-07 閱讀:279
核心提示:據(jù)悉,日前,博康(嘉興)半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目開工儀式在浙江嘉興經(jīng)開區(qū)舉行。
據(jù)悉,日前,博康(嘉興)半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目開工儀式在浙江嘉興經(jīng)開區(qū)舉行。
 
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圖源:國家級嘉興經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)
 
嘉興經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)官方消息顯示,該項(xiàng)目總投資額約6億元,占地面積46667平方米,其中一期用地約33200平方米。該項(xiàng)目瞄準(zhǔn)第三代半導(dǎo)體新材料領(lǐng)域,集產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷售等功能為一體。
 
此次落戶的博康半導(dǎo)體產(chǎn)品將覆蓋電信基礎(chǔ)設(shè)施、射頻能源及各類通用市場的應(yīng)用,為5G移動通訊基站、寬頻帶通信等射頻領(lǐng)域提供半導(dǎo)體產(chǎn)品及解決方案。 
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