3月6日，博康(嘉興)半導體氮化鎵射頻功率芯片先導線項目開工儀式在浙江嘉興經(jīng)開區(qū)舉行。嘉興經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)官方消息顯示，該項目總投資額約6億元，占地面積46667平方米，其中一期用地約33200平方米。該項目瞄準第三代半導體新材料領域，集產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷售等功能為一體。

此次落戶的博康半導體產(chǎn)品將覆蓋電信基礎設施、射頻能源及各類通用市場的應用，為5G移動通訊基站、寬頻帶通信等射頻領域提供半導體產(chǎn)品及解決方案。

（來源：集微網(wǎng)）