近日，西安郵電大學(xué)由電子工程學(xué)院管理的新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片，這一成果標(biāo)志著學(xué)校在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展。

團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人陳海峰教授介紹，氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲紫外光響應(yīng)特性，在功率器件和光電領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。硅上氧化鎵異質(zhì)外延有利于硅電路與氧化鎵電路的直接集成，同時(shí)擁有成本低和散熱好等優(yōu)勢(shì)。

新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室聘請(qǐng)中國(guó)科學(xué)院院士、微電子學(xué)與固體電子學(xué)家郝躍院士為首席科學(xué)家，團(tuán)隊(duì)師生共30余人，擁有完整的氧化鎵工藝實(shí)驗(yàn)線及超凈工藝間，主要研究超寬禁帶氧化鎵材料與器件。團(tuán)隊(duì)在氧化鎵材料生長(zhǎng)、器件制備、測(cè)試表征等方面具有豐富的科研經(jīng)驗(yàn)，承擔(dān)國(guó)家自然科學(xué)基金、陜西省自然科學(xué)基金、陜西省教育廳基金資助的多個(gè)研究項(xiàng)目，在物理學(xué)報(bào)、半導(dǎo)體學(xué)報(bào)、IEEE Electron Device Letters、Journal of Applied Physics、IEEE Transactions on Electron Devices、Physics Letters A、Nanotechnology、Applied Surface Science、Carbon等發(fā)表研究論文100余篇，授權(quán)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利20余項(xiàng)。