由山東大學、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、瀚天天成電子科技(廈門)有限公司、廣東天域半導體股份有限公司、紹興中芯集成電路制造股份有限公司、泰科天潤半導體科技（北京）有限公司、杭州海乾半導體有限公司、安徽長飛先進半導體有限公司、中電化合物半導體有限公司等單位聯(lián)合起草的T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基準標記及尺寸》等3項系列標準已完成征求意見稿的編制。根據(jù)第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化工作管理辦法，2023年3月22日起開始征求意見，截止日期2023年4月21日。

T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基準標記及尺寸》規(guī)定了8英寸碳化硅晶片基準標記及尺寸，適用于碳化硅切割片、研磨片和拋光片。

T/CASAS 026—202X《碳化硅少數(shù)載流子壽命測定 微波光電導法》規(guī)定了用微波光電導法測定碳化硅少數(shù)載流子壽命的方法，適用于4～12英寸碳化硅襯底片和碳化硅外延片及少數(shù)載流子壽命為20 ns～200 μs的碳化硅晶片。

T/CASAS 032—202X《碳化硅晶片表面金屬元素含量的測定電感耦合等離子體質譜法》規(guī)定了電感耦合等離子體質譜法測定碳化硅晶片表面金屬元素含量的方法。適用于碳化硅單晶拋光片和碳化硅外延片表面痕量金屬鈉、鋁、鉀、鈣、鈧、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、銀、鎢、金、汞等元素含量的測定，測定范圍為108 cm-2～1012 cm-2。本文件適用于4～8英寸碳化硅晶片，甚至更大尺寸的晶片，同時也適用于碳化硅退火片等無圖形碳化硅晶片表面痕量金屬元素含量的測定。