近日，根據(jù)士蘭微最新投資者關系活動記錄表披露，在SiC領域，目前士蘭明鎵已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術的開發(fā)，已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上，并已向客戶送樣。2023年，士蘭明鎵將加快推進SiC芯片生產(chǎn)線建設進度，預計2023年年底將形成月產(chǎn)6000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。

士蘭明鎵成立于2018年2月1日，為杭州士蘭微電子股份有限公司與廈門半導體投資集團有限公司雙方協(xié)議注冊成立，注冊資本12億元，主要設計和制造GaN外延藍綠白光LED芯片、GaAs外延紅光LED芯片、GaAs外延激光器件芯片、InP光通訊器件芯片以及第三代功率半導體芯片等化合物半導體芯片。

據(jù)悉，2022年士蘭明鎵已著手實施“SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項目的建設，同年四季度，SiC芯片生產(chǎn)線已實現(xiàn)初步通線，并形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。根據(jù)此前公告，SiC功率器件生產(chǎn)線建設項目達產(chǎn)后將新增年產(chǎn)14.4萬片SiC-MOSFET/SBD功率半導體器件芯片的生產(chǎn)能力。

此外，本次投資者關系活動記錄表顯示，該公司12英寸線目前月產(chǎn)能約6萬片，產(chǎn)出約5萬片。此前公告顯示，項目建成后將形成一條年產(chǎn)36萬片12英寸功率芯片生產(chǎn)線，用于生產(chǎn)FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET功率芯片產(chǎn)品。