半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：據(jù)外媒報道，日本移動出行供應商電裝（DENSO CORPORATION）宣布開發(fā)出首款采用碳化硅（SiC）半導體的逆變器。該逆變器集成在由BluE Nexus Corporation開發(fā)的電動驅(qū)動模塊eAxle中，并搭載于雷克薩斯3月30日發(fā)布的首款專用純電動汽車（BEV）的雷克薩斯全新RZ。

圖片來源：電裝

SiC功率半導體由硅和碳組成，與硅（Si）功率半導體相比可顯著降低功率損耗。BEV使用SiC半導體逆變器在特定條件下進行的巡航測試表明，采用SiC功率半導體的逆變器可大大減少功率損耗，是采用Si半導體逆變器的50%以下。因此，BEV的能源效率得到提高，續(xù)航里程也得到延長。

開發(fā)新型逆變器的關(guān)鍵要素

·采用電裝獨特的溝槽型金屬氧化物半導體（MOS）結(jié)構(gòu)的SiC功率半導體可降低因發(fā)熱引起的功率損耗，從而提高每個芯片的輸出。該獨特結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了高電壓和低導通電阻操作。

制造新型逆變器的關(guān)鍵要素

·基于由電裝和株式會社豐田中央研究所（Toyota Central R&D Labs., Inc.）共同開發(fā)的高質(zhì)量技術(shù)，電裝使用SiC外延晶圓，而該外延晶圓也是日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)（New Energy and Industrial Technology Development Organization，NEDO）委托的工作成果之一。因此，電裝已將因晶體原子排列紊亂而導致設(shè)備無法正常運行的晶體缺陷數(shù)量減半。

·通過減少晶體缺陷，確保車用SiC功率半導體器件的質(zhì)量和穩(wěn)定生產(chǎn)。

電裝將其SiC技術(shù)稱為“REVOSIC?”，并用以全面開發(fā)從晶圓到半導體設(shè)備和功率卡等模塊的產(chǎn)品技術(shù)。通過提高車輛能源管理效率，同時利用2022年通過的綠色創(chuàng)新基金（GI基金）的贈款，電裝將為實現(xiàn)碳中和社會做出貢獻。