一、政策及市場(chǎng)動(dòng)向

1、甘肅武威“2023年政府工作報(bào)告”重點(diǎn)提及碳化硅等材料產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)

3月1日，甘肅省武威市人民政府官網(wǎng)對(duì)外發(fā)布“2023年政府工作報(bào)告”，其中提到“要加快碳化硅等材料產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，并計(jì)劃在2023年實(shí)施3萬片碳化硅襯底等項(xiàng)目”。

2、國(guó)產(chǎn)碳化硅功率芯片打入了日本市場(chǎng)

3月9日，據(jù)日本媒體消息，我國(guó)碳化硅打入了日本市場(chǎng)——Japan Power Device（JPD）公司將從3月開始銷售我國(guó)制造的碳化硅功率芯片。國(guó)產(chǎn)SiC將被以JPD品牌在日本銷售，并由JPD公司提供技術(shù)支持和質(zhì)量控制體系。關(guān)于為何要銷售中國(guó)的SiC器件，JPD給出了2個(gè)原因：一方面是因?yàn)槿毡維iC半導(dǎo)體制造商很少出售芯片，采購(gòu)中國(guó)SiC可緩解日本功率模塊等供應(yīng)鏈下游企業(yè)對(duì)SiC芯片的需求；另一方面，主要是由于中國(guó)SiC產(chǎn)品價(jià)格較為低廉。據(jù)悉，JPD將從3家中國(guó)企業(yè)中采購(gòu)SiC器件，產(chǎn)品包括650V、1200V的SiC SBD和SiC MOSFET，采用TO220和TO247封裝形式，樣品將于3月開始出貨。JPD還透露，他們將聯(lián)合一家日本的封裝測(cè)試(OSAT)公司，在4月左右為每個(gè)芯片準(zhǔn)備完整的測(cè)試。

3、更多地鐵線路搭載碳化硅技術(shù)

3月23日，據(jù)“中國(guó)城市軌道交通協(xié)會(huì)”官微報(bào)道，受西安地鐵與中車永濟(jì)委托，經(jīng)中國(guó)城市軌道交通協(xié)會(huì)批準(zhǔn)，“西安地鐵1號(hào)線三期碳化硅永磁牽引系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案”評(píng)審會(huì)已由中國(guó)城市軌道交通協(xié)會(huì)技術(shù)裝備專業(yè)委員會(huì)于3月15日在西安組織召開。會(huì)上，經(jīng)專家組討論，一致通過項(xiàng)目研制的碳化硅永磁牽引系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案，建議前期試驗(yàn)穩(wěn)定后開展一列車碳化硅永磁牽引系統(tǒng)的裝車和試驗(yàn)。據(jù)公開消息，截至目前，國(guó)內(nèi)已知的9條地鐵線路已經(jīng)搭載碳化硅技術(shù)，分別位于西安、廣州、珠海、武漢、上海、蘇州以及深圳等地。為地鐵提供碳化硅技術(shù)的均為中國(guó)中車集團(tuán)旗下的控股子公司。

4、碳化硅技術(shù)在國(guó)內(nèi)外多家車企加速上車

繼一、二月份特斯拉、比亞迪、阿爾特、極氪、奔馳、起亞、一汽紅旗、吉利、大眾、捷尼賽思、現(xiàn)代、瑪莎拉蒂、雷克薩斯、奧迪上車碳化硅，三月份車企表現(xiàn)持續(xù)積極：

3月份，邁凱倫表示，其800V逆變器將搭載意法半導(dǎo)體的SiC模塊。目前，邁凱倫的800V碳化硅逆變器已成功“上車”美國(guó)混合動(dòng)力跑車品牌Czinger。

3月7日，安森美表示已與寶馬汽車集團(tuán)（BMW）簽署了長(zhǎng)期供貨協(xié)議，安森美750V EliteSiC模塊將“上車”寶馬的400V電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)。

3月9日，日產(chǎn)汽車宣布已經(jīng)開發(fā)出新一代電動(dòng)動(dòng)力總成“X-in-1”原型機(jī)，采用SiC技術(shù)，以及“無稀土”電機(jī)，預(yù)計(jì)到2026年電驅(qū)生產(chǎn)成本將降低30%。

3月15日，路虎攬勝宣布采用Wolfspeed碳化硅技術(shù)，預(yù)計(jì)將于2024年底推出。

3月中旬，小鵬G6已在工信部申報(bào)，有望于4月上海車展首發(fā)亮相。據(jù)悉，該車將搭載800V碳化硅高壓電驅(qū)平臺(tái)，預(yù)計(jì)滿電狀態(tài)續(xù)航可達(dá)600km+。

3月24日，“江鈴汽車”官微發(fā)文稱富山智能工廠（位于江西南昌）首批100臺(tái)江鈴E路達(dá)純電輕卡正式下線，這意味著江鈴E路達(dá)進(jìn)入量產(chǎn)階段。值得注意的是，E路達(dá)攜手博世，全球首發(fā)SiC多合一控制器技術(shù)。

二、技術(shù)和產(chǎn)品

1、紅米300W GaN快充刷新手機(jī)快充記錄

2月28日，雷軍公眾號(hào)公開了一款名為“300瓦神仙秒充”的GaN充電器，5分鐘充滿100%電，刷新手機(jī)快充記錄。據(jù)悉，該快充基于Redmi Note 12探索版魔改而來，采用了定制的6:2電荷泵芯片，芯片最高轉(zhuǎn)換效率高達(dá)98%，多顆電荷泵并聯(lián)后直接給電池充電，實(shí)現(xiàn)了300瓦超大功率。此外，它還搭載了第四代GaN集成化方案，功率高、體積小、發(fā)熱低，效率也更高。在功率大漲43%的情況下，其體積與小米上一代210瓦充電器完全相同，功率密度達(dá)到2.31W/cm³。

2、廣汽埃安宣布900V碳化硅電驅(qū)技術(shù)取得突破性進(jìn)展

近日，廣汽埃安官方正式發(fā)布了全新一代電驅(qū)技術(shù)群——夸克電驅(qū)，該動(dòng)力系統(tǒng)最核心的技術(shù)之一是900V碳化硅功率模塊，能夠以最小的體積迸發(fā)出最大的功率。廣汽埃安表示，900V碳化硅技術(shù)結(jié)合全銀精準(zhǔn)低溫?zé)Y(jié)工藝，使SiC模塊回路雜感降低50%以上，熱阻降低約25%，芯片流通能力提升10%以上，功率循環(huán)壽命提升約10%。而結(jié)合SiC芯片驅(qū)動(dòng)與保護(hù)，助力夸克電驅(qū)實(shí)現(xiàn)最高滿功率工作電壓900V，峰值功率高達(dá)320kW，最高效率超99.8%。

3、臺(tái)灣中山大學(xué)晶體研究中心生長(zhǎng)出6英寸導(dǎo)電型4H SiC單晶

3月6日，臺(tái)灣導(dǎo)報(bào)發(fā)文稱，中國(guó)臺(tái)灣省國(guó)立中山大學(xué)晶體研究中心已經(jīng)成功生長(zhǎng)出6英寸導(dǎo)電型4H碳化硅單晶。該大學(xué)的材料與光電科學(xué)學(xué)系教授兼國(guó)際長(zhǎng)周明奇指出，6英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶的中心厚度為19mm，邊緣約為14mm，生長(zhǎng)速度達(dá)到370μm/hr。而目前臺(tái)灣企業(yè)的生長(zhǎng)速度約在150-200μm/hr之間，晶體穩(wěn)定性與良率仍有待提升。周明奇強(qiáng)調(diào)，目前團(tuán)隊(duì)已投入8英寸導(dǎo)電型碳化硅生長(zhǎng)設(shè)備研發(fā)設(shè)計(jì)，今年將持續(xù)推進(jìn)碳化硅晶體生長(zhǎng)核心技術(shù)，也正在打造高真空環(huán)境，研發(fā)生長(zhǎng)半絕緣碳化硅。

4、盛新材料成功產(chǎn)出臺(tái)灣首片8英寸SiC襯底

3月14日，據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體爆料，盛新材料已經(jīng)成功產(chǎn)出臺(tái)灣首片8英寸SiC襯底。盛新材料董事長(zhǎng)謝明凱表示，這是臺(tái)灣成功試產(chǎn)的首爐8英寸SiC，由于臺(tái)灣SiC供應(yīng)鏈在8英寸仍未成熟，包括沒有8英寸的SiC切晶、晶圓廠及元件等產(chǎn)能，所以此次是由臺(tái)灣以外的伙伴完成首片8英寸襯底。2023年，盛新材料規(guī)劃65臺(tái)SiC長(zhǎng)晶爐——廣運(yùn)自制50臺(tái)、日本設(shè)備10臺(tái)、美國(guó)5臺(tái)。該公司稱，在所有長(zhǎng)晶爐全數(shù)啟動(dòng)的假設(shè)下，期望良率達(dá)70%。

5、廈門大學(xué)成功實(shí)現(xiàn)8英寸SiC同質(zhì)外延生長(zhǎng)

廈門大學(xué)成功實(shí)現(xiàn)了8英寸碳化硅同質(zhì)外延生長(zhǎng)，成為國(guó)內(nèi)首家擁有并實(shí)現(xiàn)該項(xiàng)技術(shù)的機(jī)構(gòu)；同時(shí)標(biāo)志著我國(guó)已掌握8英寸碳化硅外延生長(zhǎng)的相關(guān)技術(shù)。據(jù)悉，該外延層厚度為12um，厚度不均勻性為2.3%；摻雜濃度為8.4×10¹?cmˉ³，摻雜濃度不均勻性＜7.5%；表面缺陷（Carrot、Triangle、Downfall、Scratch）密度＜0.5cmˉ²。廈門大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人表示，該技術(shù)的實(shí)現(xiàn)是廈門大學(xué)與瀚天天成等單位產(chǎn)學(xué)研合作的成果，通過克服了8英寸襯底應(yīng)力更大、更易開裂、外延層厚度均勻性更難控制等問題，成功實(shí)現(xiàn)了基于國(guó)產(chǎn)襯底的碳化硅同質(zhì)外延生長(zhǎng)。值得一提的是，瀚天天成一直致力于研發(fā)生產(chǎn)SiC外延片，其“6-8英寸SiC外延晶片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”被列為廈門市2023年重點(diǎn)項(xiàng)目之一。

6、萬年芯微電子推出首款SiC MOSFET技術(shù)的PIM模塊

最近，江西萬年芯微電子有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技術(shù)的PIM模塊，實(shí)現(xiàn)了對(duì)硅基IGBT芯片的模塊替代，在系統(tǒng)損耗方面降低了三分之一。與此同時(shí)，這款產(chǎn)品在技術(shù)上突破傳統(tǒng)PIM模塊灌封封裝模式，模塊體積減少約57％，而且使用了萬年芯自主研發(fā)的10項(xiàng)工藝創(chuàng)新，模塊可靠性得到大幅提升，非常適用于新能源汽車、充電樁、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域。所謂功率集成模塊（PIM）是一個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外殼，內(nèi)部通常會(huì)將功率器件（IGBT、SiC MOSFET）、二極管、檢測(cè)電阻等其它元器件集成在一起，這種單個(gè)封裝可大幅減少生產(chǎn)裝配時(shí)間和器件數(shù)量，能夠降低系統(tǒng)成本和尺寸。

7、國(guó)星光電SiC-SBD通過車規(guī)級(jí)認(rèn)證

近日，國(guó)星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD器件成功通過第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)可靠性驗(yàn)證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證。這標(biāo)志著國(guó)星光電第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品從工業(yè)領(lǐng)域向新能源汽車領(lǐng)域邁出堅(jiān)實(shí)步伐。通過認(rèn)證的國(guó)星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式，在長(zhǎng)達(dá)1000小時(shí)的高溫、高濕等惡劣環(huán)境下驗(yàn)證，仍能保持正常穩(wěn)定的工作狀態(tài)，可更好地適應(yīng)復(fù)雜多變的車載應(yīng)用環(huán)境，具備高度的可靠性、安全性和穩(wěn)定性。

8、連城數(shù)控首次研制的液相法碳化硅長(zhǎng)晶爐順利下線

液相SiC長(zhǎng)晶技術(shù)具有多個(gè)優(yōu)勢(shì)，包括晶體質(zhì)量高、成本低、易擴(kuò)徑、易實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的p型摻雜等，近年來受到高度關(guān)注。3月21日，連城數(shù)控官微發(fā)文稱，該公司半導(dǎo)體晶體事業(yè)部首次研制的液相法碳化硅長(zhǎng)晶爐順利下線，經(jīng)檢驗(yàn)各項(xiàng)性能達(dá)到預(yù)期目標(biāo)。公告還表示，連城數(shù)控今年一季度中標(biāo)某重點(diǎn)客戶190臺(tái)碳化硅感應(yīng)爐。

三、產(chǎn)業(yè)進(jìn)展

1、企業(yè)/項(xiàng)目動(dòng)態(tài)

（1）博康半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目開工

3月6日，博康半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目在浙江嘉興經(jīng)開區(qū)舉行正式開工，總投資約6億元，占地面積46667平方米，其中一期用地約33200平方米，預(yù)計(jì)年產(chǎn)3000片氮化鎵射頻功率芯片。

（2）山東加睿晶欣年產(chǎn)10萬片2英寸氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目環(huán)評(píng)表公示

3月13日，濟(jì)寧國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)公示了山東加睿晶欣年產(chǎn)10萬片2英寸氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目環(huán)評(píng)表。該GaN項(xiàng)目于2019年3月開工建設(shè)，總投資15億元，總建筑面積10.1萬平米，建設(shè)涵蓋生產(chǎn)車間、研發(fā)中心、檢測(cè)等全系列產(chǎn)業(yè)鏈的標(biāo)準(zhǔn)化園區(qū)。根據(jù)公告，該項(xiàng)目一期將購(gòu)置晶體生長(zhǎng)爐、大型多線切割機(jī)、自動(dòng)倒角機(jī)等先進(jìn)設(shè)備266臺(tái)（套），形成長(zhǎng)晶、切割、拋光、激光剝離等全鏈條生產(chǎn)線，年生產(chǎn)2英寸氮化鎵單晶襯底10萬片。

（3）博格華納碳化硅模塊項(xiàng)目啟用

3月14日，博格華納PDS蘇州研發(fā)中心暨二期廠房正式啟用，預(yù)計(jì)投產(chǎn)后將年產(chǎn)180萬臺(tái)功率電子控制單元。報(bào)道稱，博格華納研發(fā)中心將專注于電力電子、逆變器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品的全方位設(shè)計(jì)，并結(jié)合本土Viper功率模塊 (硅基IGBT模塊和碳化硅基MOSFET模塊）測(cè)試的開發(fā)，成為全球第二大Viper生產(chǎn)基地。據(jù)悉，博格華納二期廠房及研發(fā)中心總建筑面積2.2萬平方米，包含一幢可容納450名員工的四層研發(fā)中心大樓和一幢二層生產(chǎn)車間。

（4）愛仕特與臺(tái)灣漢磊達(dá)成多方面重要合作

3月15日，臺(tái)灣漢磊集團(tuán)董事長(zhǎng)徐建華到訪深圳愛仕特科技有限公司，雙方在以下方面達(dá)成重要合作：基于雙方2022年已簽署的LTA協(xié)議，漢磊將重點(diǎn)考慮滿足愛仕特的代工產(chǎn)能需求；1700V和3300V SiC MOS的量產(chǎn)準(zhǔn)備；共同合作開發(fā)SiC MOS trench工藝技術(shù)；共同合作開發(fā)SiC MOS 8英寸工藝技術(shù)。

（5）揚(yáng)帆半導(dǎo)體“年產(chǎn)碳化硅襯底材料3萬片項(xiàng)目”環(huán)評(píng)表對(duì)外公布

近日，揚(yáng)帆半導(dǎo)體“年產(chǎn)碳化硅襯底材料3萬片項(xiàng)目”環(huán)評(píng)表對(duì)外公布。根據(jù)報(bào)告，揚(yáng)帆半導(dǎo)體擬投資7000萬元新建該碳化硅項(xiàng)目，占地面積1500平方米。早在2022年11月，蘇州市吳江區(qū)人民政府發(fā)布了該碳化硅項(xiàng)目備案證，并提到項(xiàng)目將于2023年開工，擬購(gòu)置切割機(jī)、研磨機(jī)、雙面拋光機(jī)等各類生產(chǎn)、檢測(cè)及輔助設(shè)備37臺(tái)（套），預(yù)計(jì)建成后將年產(chǎn)碳化硅襯底材料3萬片。

（6）中核紀(jì)元之光碳化硅材料生產(chǎn)廠房及配套工程建設(shè)項(xiàng)目即將開建

3月16日，中國(guó)核工業(yè)集團(tuán)電子采購(gòu)平臺(tái)對(duì)外公示了“中核紀(jì)元之光碳化硅材料生產(chǎn)廠房及配套工程建設(shè)項(xiàng)目”的中標(biāo)候選人，投標(biāo)報(bào)價(jià)約為1456萬元或1633萬元。今年2月，該平臺(tái)還發(fā)布了該碳化硅項(xiàng)目建設(shè)的招標(biāo)公告。根據(jù)公告，該碳化硅項(xiàng)目位于陜西省延安市安塞區(qū)工業(yè)園區(qū)內(nèi)，建筑面積總計(jì)4569平方米，計(jì)劃施工總工期為365天。該項(xiàng)目主要生產(chǎn)的產(chǎn)品為碳化硅單晶材料，產(chǎn)能規(guī)劃為15000片/年，配套碳化硅單晶生長(zhǎng)爐50 臺(tái)套（先期20臺(tái)套，后續(xù)30臺(tái)套），將提供N型碳化硅材料。消息報(bào)道，中電科2所未來將為該項(xiàng)目提供技術(shù)支持，并與中核匯能公司、陜西紀(jì)元之光新能源有限公司等共同推進(jìn)SiC產(chǎn)業(yè)落地。此前，2022年12月，中電科2所官微發(fā)文稱，安塞區(qū)SiC襯底生產(chǎn)項(xiàng)目由中核匯能公司引入，陜西紀(jì)元之光新能源有限公司投資、建設(shè)、運(yùn)營(yíng)。

（7）總投資達(dá)80億元的天域半導(dǎo)體建設(shè)項(xiàng)目在東莞動(dòng)工

3月17日，總投資達(dá)80億元的天域半導(dǎo)體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目在東莞市動(dòng)工，建成后將用于生產(chǎn)6英寸、8英寸碳化硅外延晶片，預(yù)計(jì)年產(chǎn)能120萬片。

（8）廣東光大第三代半導(dǎo)體科研制造中心1區(qū)項(xiàng)目動(dòng)工

3月17日，廣東光大第三代半導(dǎo)體科研制造中心1區(qū)（松山湖）項(xiàng)目動(dòng)工。該項(xiàng)目由東莞市中晶松湖半導(dǎo)體科技有限公司、東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司投資44億元，占地面積約202畝，建筑面積約19萬平方米，建成后主要生產(chǎn)制造2-4英寸氮化鎵襯底、2-6英寸GaN on GaN/Si器件、4英寸Mini LED外延芯片。

（9）中國(guó)中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開工

3月18日，一期投資59億元的中國(guó)中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目在宜興經(jīng)開區(qū)開工。此次開工的中國(guó)中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目投資體量大、科技含量高，項(xiàng)目一期投資59億元，產(chǎn)品主要用于新能源汽車領(lǐng)域，預(yù)計(jì)明年全面投入量產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后可新增年產(chǎn)36萬片中低壓組件基材的生產(chǎn)能力，滿足每年300萬臺(tái)新能源汽車或300GW新能源發(fā)電裝機(jī)需求。

（10）世紀(jì)金光北京6英寸碳化硅晶圓線將升級(jí)改造

3月20日，世紀(jì)金光官微發(fā)布消息稱，其北京的6英寸碳化硅晶圓線將升級(jí)改造，并對(duì)外發(fā)布相關(guān)采購(gòu)需求。此次項(xiàng)目有設(shè)備升級(jí)改造、設(shè)備二次配等需求，其中設(shè)備類需求達(dá)36臺(tái)套，承建方須有碳化硅設(shè)備升級(jí)加改造經(jīng)驗(yàn)。

（11）聯(lián)合電子碳化硅模塊項(xiàng)目今年6月竣工

3月20日，聯(lián)合汽車電子太倉(cāng)分公司二期項(xiàng)目已經(jīng)全面封頂，目前正處于內(nèi)部機(jī)電安裝階段，生產(chǎn)設(shè)備也在同步調(diào)試中，預(yù)計(jì)今年6月底竣工交付。報(bào)道稱，太倉(cāng)聯(lián)電新能源汽車動(dòng)力總成項(xiàng)目位于高新區(qū)，是由聯(lián)合汽車電子有限公司總投資50.5億元建設(shè)，總占地面積147畝，分為二期和三期廠房建設(shè)。其中，二期廠房于2022年7月開工，計(jì)劃將于今年7月投產(chǎn)，總建筑面積約2.2萬平方米，規(guī)劃布置2條電機(jī)線、1條電橋線以及3條碳化硅功率模塊生產(chǎn)線。二期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，聯(lián)電太倉(cāng)分公司預(yù)計(jì)可年產(chǎn)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)120萬件、汽車驅(qū)動(dòng)電橋60萬件、汽車功率模塊270萬件。

（12）颶芯科技國(guó)內(nèi)首條GaN激光器芯片量產(chǎn)線投產(chǎn)

3月22日，颶芯科技的氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線投產(chǎn)發(fā)布會(huì)在柳州市舉行，柳州市市長(zhǎng)張壯出席發(fā)布會(huì)并宣布產(chǎn)線正式投產(chǎn)。氮化鎵半導(dǎo)體激光器目前覆蓋近紫外（375nm）至綠光（532nm）的波長(zhǎng)范圍，廣泛的應(yīng)用于激光曝光、激光顯示、激光焊接、激光照明、激光指示等重要領(lǐng)域。由于技術(shù)門檻較高，只有國(guó)際極少數(shù)頂尖企業(yè)掌握該芯片的生產(chǎn)制造技術(shù)。經(jīng)過兩年多的不懈努力，颶芯科技（hurricanechip.com）建成了國(guó)內(nèi)首條氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線，產(chǎn)線包含8大工藝站點(diǎn)，擁有全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體量產(chǎn)設(shè)備100余臺(tái)，涵蓋襯底、外延、工藝與封測(cè)等各生產(chǎn)環(huán)節(jié)。颶芯科技技術(shù)團(tuán)隊(duì)來源于北京大學(xué)。

（13）博世近68億汽車級(jí)碳化硅項(xiàng)目奠基開工

3月25日，博世新能源汽車核心部件及自動(dòng)駕駛研發(fā)制造基地在蘇州工業(yè)園區(qū)奠基。博世計(jì)劃在未來幾年內(nèi)累計(jì)向“博世新能源汽車核心部件及自動(dòng)駕駛研發(fā)制造基地”投資約70億人民幣（約10億美元），以擴(kuò)大在華布局，進(jìn)一步提升博世在電動(dòng)智能出行領(lǐng)域的本土研發(fā)和制造實(shí)力。項(xiàng)目全部建成后計(jì)容面積超過30萬平方米，其中一期工程建筑面積超7萬平方米，共有四棟建筑，包括66000平方米的生產(chǎn)制造車間、3200平方米的能源中心、400平方米的倉(cāng)庫(kù)及1700平方米的安防保障區(qū)，預(yù)計(jì)于2024年年中竣工。

（14）安徽西電蕪湖研究院舉辦寬禁帶半導(dǎo)體器件試制線通線儀式

3月25日，安徽西電蕪湖研究院舉辦了寬禁帶半導(dǎo)體器件試制線通線儀式，該項(xiàng)目建成后，將具備4-6英寸碳化硅、6-8英寸氮化鎵外延材料生長(zhǎng)到器件研制的全套工藝流程能力。

（15）清華大學(xué)蘇州汽車研究院和至信微電子簽約共建“碳化硅聯(lián)合研發(fā)中心”

3月25日，清華大學(xué)蘇州汽車研究院宣布和深圳市至信微電子在蘇州吳江區(qū)正式簽約共建“碳化硅聯(lián)合研發(fā)中心”，旨在推動(dòng)SiC技術(shù)在汽車電子領(lǐng)域的研究和運(yùn)用，加速SiC在新能源車產(chǎn)線前端應(yīng)用的落地與定制開發(fā)。據(jù)悉，雙方將利用各自領(lǐng)域內(nèi)的尖端技術(shù)和資源，致力把研發(fā)中心建成國(guó)內(nèi)一流的碳化硅芯片及其功率模組等技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)平臺(tái)、科技成果轉(zhuǎn)化平臺(tái)、碳化硅創(chuàng)新企業(yè)孵化平臺(tái)、碳化硅技術(shù)服務(wù)平臺(tái)和碳化硅專業(yè)人才培養(yǎng)平臺(tái)。

（16）泰科天潤(rùn)北京總部項(xiàng)目舉行開工奠基儀式

3月27日，泰科天潤(rùn)的北京總部項(xiàng)目舉行了開工奠基儀式。該項(xiàng)目規(guī)劃建筑面積4.6萬平米，項(xiàng)目建成后，泰科天潤(rùn)將整體遷入中關(guān)村順義園三代半產(chǎn)業(yè)基地內(nèi)。2022年8月，泰科天潤(rùn)競(jìng)得北京市順義區(qū)1塊工業(yè)用地，用于擴(kuò)大位于北京生產(chǎn)基地的碳化硅產(chǎn)能——計(jì)劃建設(shè)辦公研發(fā)總部基地及6-8英寸碳化硅功率器件生產(chǎn)基地。

（17）寶士曼半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室順利完成第一個(gè)客戶項(xiàng)目

3月27日，寶士曼半導(dǎo)體官微宣布，其實(shí)驗(yàn)室已于近日順利完成第一個(gè)客戶項(xiàng)目，包含貼片與燒結(jié)工藝，實(shí)現(xiàn)了蘇州寶士曼工程服務(wù)由0到1的突破。報(bào)道稱，蘇州寶士曼工程中心實(shí)驗(yàn)室已于2022年11月正式揭幕，復(fù)刻歐洲技術(shù)，聚焦功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，為國(guó)內(nèi)模塊廠商、新能源車企拉通先進(jìn)封裝的工藝流程提供完整解決方案。目前，該實(shí)驗(yàn)室已具備獨(dú)立承接項(xiàng)目的能力，幫助客戶從設(shè)計(jì)、打樣到小批量量產(chǎn)。此外，今年2月“寶士曼集成電路專用設(shè)備項(xiàng)目”被列入《2023年江蘇省重大項(xiàng)目清單》。據(jù)悉，該項(xiàng)目位于蘇州吳中高新區(qū)，占地面積50畝，建筑面積約7.5萬平方米，總投資10億元，年度計(jì)劃投資3億元。項(xiàng)目建成后用于第三代半導(dǎo)體及集成電路專用設(shè)備的研發(fā)生產(chǎn)，將加速助推寶士曼研發(fā)和生產(chǎn)裝配能力在蘇州落地。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)半導(dǎo)體封裝設(shè)備250套，預(yù)計(jì)產(chǎn)值8.5億元，稅收7000萬元。

（18）盛美上海獲國(guó)內(nèi)SiC襯底制造商訂單

3月28日，消息透露，盛美上海首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設(shè)備的采購(gòu)訂單。該采購(gòu)訂單來自一家中國(guó)碳化硅襯底制造商，預(yù)計(jì)將在2023年第三季度末之前發(fā)貨。目前，該公司推出的 CMP 后清洗設(shè)備可用于高質(zhì)量硅襯底及碳化硅襯底的制造。

2、投資擴(kuò)產(chǎn)

（1）總投資5.3億元 深圳華芯邦碳化硅芯片封裝項(xiàng)目簽約

2月28日，聊城高新區(qū)官微發(fā)文稱，深圳市華芯邦科技有限公司的碳化硅芯片封裝項(xiàng)目成功簽約并落戶山東聊城高新區(qū)，項(xiàng)目投資金額為5.3億元。目前，華芯邦自主研發(fā)的SiC電源芯片已經(jīng)成功打破國(guó)外壟斷，效能等參數(shù)均處于行業(yè)領(lǐng)先水平，產(chǎn)品可批量應(yīng)用在儲(chǔ)能系統(tǒng)、光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)、新能源車系統(tǒng)等領(lǐng)域。華芯邦成立于2008年12月，是fab-lite模式數(shù)?；旌闲酒萍计髽I(yè)，目前已經(jīng)在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多元化產(chǎn)品布局，包括 PMIC芯片、MCU芯片、MEMS芯片等。

（2）總投資25億元 碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目簽約

3月3日，山東省東營(yíng)市河口區(qū)人民政府與高金富恒集團(tuán)在廣州舉行了“碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目”簽約儀式，項(xiàng)目總投資25億元，將年產(chǎn)6英寸碳化硅導(dǎo)電片36萬片，項(xiàng)目將在本月開工建設(shè)。

（3）總投資4.2億元 華凱科技建SiC封裝項(xiàng)目

3月13日，江門臺(tái)官網(wǎng)發(fā)文稱，華凱科技目前正在建設(shè)一個(gè)新項(xiàng)目，該項(xiàng)目占地24000平米，未來將成為華南地區(qū)重要的碳化硅和集成電路生產(chǎn)基地。根據(jù)華凱科技總經(jīng)理兼高級(jí)工程師李衛(wèi)國(guó)介紹，該項(xiàng)目將分兩期進(jìn)行，第一期投資1.6億，目標(biāo)達(dá)到年產(chǎn)量40億只；第二期投資2.6個(gè)億，重點(diǎn)在碳化硅、功率器件、IGBT模塊、新能源應(yīng)用方面發(fā)展，兩期投資完成之后，年產(chǎn)量將達(dá)到70億只。

（4）碳化硅器件應(yīng)用制造項(xiàng)目落戶徐州高新區(qū)

3月20日，2023徐州（北京）投資洽談會(huì)在北京舉行。會(huì)上，共有10個(gè)項(xiàng)目簽約落戶銅山區(qū)（徐州高新區(qū)），其中包括一個(gè)碳化硅器件應(yīng)用制造項(xiàng)目。根據(jù)報(bào)道，該碳化硅器件應(yīng)用制造項(xiàng)目主要建設(shè)碳化硅模組產(chǎn)品制造基地，預(yù)計(jì)2027年全面達(dá)產(chǎn)，滿產(chǎn)年產(chǎn)值達(dá)9億元。

（5）總投資10.59億元 通科半導(dǎo)體芯片封裝測(cè)試產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目奠基動(dòng)工

3月24日，佛山市三水區(qū)云東海街道舉行了2023年重點(diǎn)項(xiàng)目簽約暨動(dòng)竣工儀式，其中包括通科半導(dǎo)體芯片封裝測(cè)試產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目奠基動(dòng)工。該項(xiàng)目投資額達(dá)10.59億元，主要從事半導(dǎo)體分立器件研發(fā)及制造，生產(chǎn)全系列功率器件與集成電路，還將專注于功率半導(dǎo)體器件與集成電路、MCU、車規(guī)級(jí)碳化硅、GaN等SiP封裝高端產(chǎn)品領(lǐng)域。

（6）平煤神馬與平發(fā)集團(tuán)投資7億元生產(chǎn)碳化硅高純粉體

3月24日，據(jù)河南平頂山政府消息，中國(guó)平煤神馬控股集團(tuán)與平頂山發(fā)展投資控股集團(tuán)成立合資公司簽約儀式于23日在市黨政綜合辦公大樓舉行。據(jù)悉，中國(guó)平煤神馬和平發(fā)集團(tuán)于今年年初共同出資，建設(shè)年產(chǎn)1000噸碳化硅高純粉體項(xiàng)目。項(xiàng)目公司名稱為河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司，總投資7億元，項(xiàng)目建成后產(chǎn)能將達(dá)全國(guó)第一、國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率達(dá)到30%以上、全球市場(chǎng)占有率達(dá)到10%以上。

（7）總投資2.5億元 合盛硅業(yè)上海研發(fā)中心在南翔動(dòng)工

3月27日，合盛硅業(yè)上海研發(fā)中心在南翔動(dòng)工，預(yù)計(jì)全部建成后將著力研發(fā)碳化硅長(zhǎng)晶技術(shù)和有機(jī)硅材料高端產(chǎn)品；該項(xiàng)目總投資為2.5億元，計(jì)劃2024年底竣工，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值約為7.1億元。

3、資本動(dòng)態(tài)

（1）瞻芯電子完成數(shù)億元B輪融資

2月28日，據(jù)瞻芯電子官微消息已完成數(shù)億元B輪融資。據(jù)悉，本輪融資由國(guó)方創(chuàng)新領(lǐng)投，國(guó)中資本、臨港新片區(qū)基金、金石投資、鐘鼎資本、長(zhǎng)石資本等眾多機(jī)構(gòu)跟投，老股東臨芯投資、光速中國(guó)、廣發(fā)信德持續(xù)追加。融資資金將進(jìn)一步用于SiC領(lǐng)域。領(lǐng)頭機(jī)構(gòu)國(guó)方創(chuàng)新表示，瞻芯電子旗下碳化硅MOSFET、SBD、驅(qū)動(dòng)IC三大產(chǎn)品均已完成車規(guī)級(jí)認(rèn)證，獲得多家下游行業(yè)龍頭認(rèn)可和大規(guī)模應(yīng)用，2022年自主建設(shè)的SiC晶圓廠已建成投產(chǎn)，成為了國(guó)內(nèi)極少數(shù)具備SiC MOSFET IDM能力的功率半導(dǎo)體整體解決方案商，這是尤其值得關(guān)注的。公開數(shù)據(jù)顯示，他們的SiC MOSFET累計(jì)量產(chǎn)出貨逾310萬顆。

（2）利普思完成超億元Pre-B輪融資

3月17日，利普思半導(dǎo)體官微發(fā)文稱已經(jīng)完成了Pre-B輪融資，金額超億元人民幣，由和高資本領(lǐng)投，上海瀛嘉匯及老股東聯(lián)新資本跟投。報(bào)道稱，利普思半導(dǎo)體本輪融資資金將主要用于公司在無錫和日本工廠產(chǎn)能的提升，擴(kuò)大研發(fā)團(tuán)隊(duì)，以及現(xiàn)金流儲(chǔ)備。同時(shí)，該公司還計(jì)劃在國(guó)內(nèi)建立一個(gè)百萬級(jí)IGBT和SiC模塊的生產(chǎn)基地，產(chǎn)能預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)十倍增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)于明年年底投產(chǎn)。利普思半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人、COO丁烜明表示，經(jīng)過本次Pre-B輪融資，到今年6月份，公司位于日本的工廠產(chǎn)能將達(dá)到30萬只/年，而無錫工廠在覆蓋SiC模塊生產(chǎn)和測(cè)試的同時(shí)，也兼顧車規(guī)級(jí)IGBT模塊，產(chǎn)能將達(dá)到90萬只/年。

（3）中科意創(chuàng)完成了數(shù)千萬元人民幣A+輪融資

3月20日，據(jù)36氪報(bào)道，中科意創(chuàng)已經(jīng)完成了數(shù)千萬元人民幣A+輪融資，由創(chuàng)新工廠獨(dú)家投資，融資資金將用于功率半導(dǎo)體先進(jìn)封裝產(chǎn)線建設(shè)。截至目前，中科意創(chuàng)累計(jì)融資金額已超1億元。

/// 國(guó)外第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài) ///

一、政策及市場(chǎng)動(dòng)向

1、美國(guó)初創(chuàng)公司H3X開始向客戶交付高功率密度碳化硅電動(dòng)機(jī)

據(jù)境外媒體《Aviation Week》報(bào)道，美國(guó)初創(chuàng)公司H3X開始向客戶交付高功率密度碳化硅電動(dòng)機(jī)，客戶包括航空航天和國(guó)防應(yīng)用的電動(dòng)飛機(jī)單位。根據(jù)H3X的介紹，他們正在根據(jù)美國(guó)國(guó)家航空航天局(NASA)的合同開展第一階段工作，設(shè)計(jì)一種電機(jī)，為NASA的亞音速單尾發(fā)動(dòng)機(jī)(SUSAN)概念模型提供動(dòng)力。SUSAN是一種續(xù)航為750英里的180座飛機(jī)，采用了混合動(dòng)力動(dòng)力系統(tǒng)。此前，NASA發(fā)布報(bào)告稱，其X-57 Maxwell實(shí)驗(yàn)飛機(jī)的飛行前測(cè)試已成功步入關(guān)鍵階段，并表示該飛機(jī)的巡航電機(jī)控制器使用了碳化硅晶體管，在高功率起飛和巡航期間可提供98%的效率。

2、日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省推動(dòng)日本功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重組整合

日前，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)?。∕ETI）公布了一項(xiàng)倡議，其中提到，日本政府將為碳化硅和其他半導(dǎo)體項(xiàng)目投資提供最多三分之一的資助，但前提是——只有投資金額超過2000億日元（約104億人民幣）以上的項(xiàng)目才會(huì)得到支持。METI在接受媒體采訪時(shí)表示，設(shè)定這個(gè)不容易達(dá)到的補(bǔ)貼數(shù)字，目的是推動(dòng)日本功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重組整合，“我們認(rèn)為重組是必要的，海外功率半導(dǎo)體制造商的資金實(shí)力和資本投資遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過日本制造商，他們太強(qiáng)大了，國(guó)內(nèi)單個(gè)公司無法與之競(jìng)爭(zhēng)。即使日本制造商在技術(shù)實(shí)力上有優(yōu)勢(shì)，也將是一場(chǎng)硬仗”。

3、特斯拉宣稱下一代驅(qū)動(dòng)單元SiC將減少75%引市場(chǎng)熱議

3月2日，特斯拉在投資者日活動(dòng)公開宣稱該公司下一代驅(qū)動(dòng)單元成本將降低約1000美元，碳化硅(SiC)將減少75%，相應(yīng)的工廠占地面積將減少50%?；顒?dòng)上，特斯拉表示，2022年Model 3的成本已降低了30%，但下一代汽車的生產(chǎn)成本還將降低超過50%。而降低驅(qū)動(dòng)單元的造價(jià)是特斯拉降低汽車生產(chǎn)成本的關(guān)鍵一環(huán)。通過碳化硅器件、電池等多個(gè)方面的優(yōu)化，他們可將驅(qū)動(dòng)單元的成本降低約1000美元（近7000元人民幣），并且認(rèn)為其他任何汽車制造商很難做到。最為關(guān)鍵的是特斯拉提出要減少碳化硅器件用量——“我們找出了一種減少75％器件用量的方法，但不會(huì)損害汽車的性能或效率”。當(dāng)前碳化硅SiC功率器件價(jià)格較高，是硅基IGBT的3-5倍左右。顯然這對(duì)于現(xiàn)在面臨投資者壓力的特斯拉來說太貴了。業(yè)界人士普遍對(duì)碳化硅的市場(chǎng)前景是確定性的，唯一讓大家恐慌的是特斯拉減少那么多的用量（75%）會(huì)不會(huì)造成市場(chǎng)需求的下滑。受消息刺激，A股市場(chǎng)碳化硅板塊持續(xù)低走。3月1日至3日，3個(gè)交易日內(nèi)東尼電子大跌逾18%、天岳先進(jìn)跌7.9%，天富能源跌逾5%、晶盛機(jī)電跌近6%。

4、美國(guó)總統(tǒng)拜登“投資美國(guó)”之旅第一站視察Wolfspeed總部

美國(guó)東部時(shí)間3月28日，美國(guó)總統(tǒng)拜登視察了位于美國(guó)北卡羅來納州達(dá)勒姆市的Wolfspeed總部，作為“投資美國(guó)（Invest in America）”之行的首站。拜登強(qiáng)調(diào)了政府將進(jìn)一步促進(jìn)美國(guó)制造業(yè)發(fā)展，重建國(guó)家基礎(chǔ)設(shè)施，并增強(qiáng)供應(yīng)鏈。美國(guó)商務(wù)部部長(zhǎng)吉娜·雷蒙多和北卡羅來納州州長(zhǎng)羅伊·庫(kù)珀同時(shí)出席。拜登“投資美國(guó)”之旅的第一站視察Wolfspeed總部，顯示出美國(guó)政府對(duì)碳化硅這一第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料和部件的重視程度。碳化硅是美國(guó)芯片法案重點(diǎn)支持的方向之一，根據(jù)美國(guó)商務(wù)部概述，該法案計(jì)劃向碳化硅、碳納米管、成熟芯片行業(yè)提供大約100億美元資助。據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)分析，從法案提出到頒布，美國(guó)各地新增了50多個(gè)半導(dǎo)體項(xiàng)目，投資金額超過2100億美元。其中，碳化硅項(xiàng)目建設(shè)企業(yè)包括：Wolfspeed、Coherent(貳陸)、Microchip、SK Siltron CSS、安森美、Pallidus、Entegris等。同一天，Wolfspeed宣布將與北卡羅來納州農(nóng)業(yè)與技術(shù)州立大學(xué)一起申請(qǐng)美國(guó)芯片法案資金，用于在北卡羅來納州農(nóng)業(yè)與技術(shù)大學(xué)校園內(nèi)建立一個(gè)新的碳化硅研發(fā)設(shè)施，打算在今年秋天將該項(xiàng)目的資助申請(qǐng)?zhí)峤唤o美國(guó)聯(lián)邦政府。

二、技術(shù)和產(chǎn)品

1、東京大學(xué)孵化公司Gaianixx計(jì)劃使用“中間膜”技術(shù)提升外延質(zhì)量

日媒發(fā)文介紹了東京大學(xué)孵化公司Gaianixx的外延生長(zhǎng)技術(shù)——計(jì)劃使用“中間膜”技術(shù)來防止SiC襯底缺陷轉(zhuǎn)移到外延生長(zhǎng)環(huán)節(jié)，還可以用在硅襯底上生長(zhǎng)SiC外延。根據(jù)官網(wǎng)，Gaianix成立于2021年11月，計(jì)劃引進(jìn)年產(chǎn)7000片中間膜的外延生產(chǎn)設(shè)備，2024年左右開始量產(chǎn)設(shè)備。他們計(jì)劃在2025年前后進(jìn)入SiC等功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。Gaianixx利用獨(dú)特的技術(shù)解決了“馬氏體外延”的傳統(tǒng)難題，可以實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的多層單晶。

2、昭和電工官宣開發(fā)出第三代SiC外延片并開始量產(chǎn)

3月1日，Resonac（昭和電工改名）官網(wǎng)宣布，他們開發(fā)出了第三代SiC外延片（HGE-3G），并已經(jīng)開始量產(chǎn)，質(zhì)量?jī)?yōu)于第二代SiC外延片（HGE-2G）。據(jù)悉，HGE-3G在高電流密度下具有高可靠性，將為SiC功率模塊的普及做出貢獻(xiàn)。

3、EEMCO同萊奧本礦業(yè)大學(xué)利用數(shù)字建模提升SiC晶體生長(zhǎng)質(zhì)量

3月6日，據(jù)外媒報(bào)道，奧地利的萊奧本礦業(yè)大學(xué)在開發(fā)新的建模方法，目標(biāo)是幫助碳化硅企業(yè)提高單晶生長(zhǎng)質(zhì)量。據(jù)該校負(fù)責(zé)人介紹，通過PVT法生產(chǎn)高質(zhì)量的SiC晶體，需要能夠盡可能精確地預(yù)測(cè)晶體生長(zhǎng)過程。雖然傳統(tǒng)物理建模已經(jīng)很先進(jìn)了，然而這需要大量的數(shù)據(jù)和相應(yīng)數(shù)量的實(shí)驗(yàn)，需要耗費(fèi)大量的時(shí)間和財(cái)力。為此，該校CD實(shí)驗(yàn)室希望結(jié)合基于物理和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的模型，以獲得盡可能高效和可預(yù)測(cè)的碳化硅晶體生長(zhǎng)方法，他們的合作伙伴是碳化硅襯底廠商EEMCO GmbH。EEMCO是一家成立于2020年底的初創(chuàng)公司，由EBNER集團(tuán)控股。該公司已經(jīng)開發(fā)出4H SiC單晶生長(zhǎng)爐，正在邁向8英寸4H SiC單晶制造，工廠位于奧地利萊昂丁，目前EEMCO運(yùn)營(yíng)著15個(gè)研究爐，使用PVT工藝在氣相中生長(zhǎng)SiC單晶。

4、GaN Systems發(fā)表最新11kW/800V氮化鎵車載充電器參考設(shè)計(jì)

3月20日，GaN Systems在應(yīng)用電力電子會(huì)議(APEC 2023)上發(fā)表了最新11kW/800V氮化鎵車載充電器(On-Board Charger)參考設(shè)計(jì)，與采用碳化硅晶體管產(chǎn)品相比，提高36%功率密度，降低至少15%整體物料清單(BOM)成本。這款突破性創(chuàng)新11kW/800V氮化鎵車載充電器設(shè)計(jì)，結(jié)合無橋圖騰柱功率因子校正(PFC)結(jié)構(gòu)的三階飛跨電容(flying capacitor)拓樸，及雙主動(dòng)橋式AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器，在功率密度及總物料成本上與市場(chǎng)做出區(qū)隔。三階飛跨電容拓樸中所采用的氮化鎵晶體管能達(dá)到優(yōu)異的切換頻率，有效減低一半電壓壓力，使650V GaN晶體管也能應(yīng)用于這款或其他800V電源系統(tǒng)中。

三、產(chǎn)業(yè)進(jìn)展

1、企業(yè)/項(xiàng)目動(dòng)態(tài)

（1）Coherent官宣未來五年內(nèi)SiC晶圓產(chǎn)量至少增加六倍

3月7日，Coherent宣布在加快對(duì)150毫米和200毫米碳化硅（SiC）襯底和外延晶圓生產(chǎn)的投資，在賓夕法尼亞州的Easton和瑞典的Kista進(jìn)行大規(guī)模的工廠擴(kuò)建（這是該公司先前宣布的在未來10年內(nèi)對(duì)碳化硅投資10億美元的一部分）。據(jù)悉，Coherent將大力建設(shè)其位于Easton的近30萬平方英尺的工廠，以擴(kuò)大其最先進(jìn)的150毫米和200毫米SiC襯底和外延晶圓的生產(chǎn)規(guī)模。預(yù)計(jì)到2027年，Easton的150毫米和200毫米SiC襯底的年產(chǎn)量將達(dá)到相當(dāng)于100萬片。據(jù)介紹，Coherent的客戶正在加快其計(jì)劃，以應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車對(duì)SiC電力電子器件的預(yù)期需求浪潮，高意預(yù)計(jì)這一浪潮將緊隨當(dāng)前的工業(yè)、可再生能源、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的采用周期而來。未來五年內(nèi)，Easton工廠將使Coherent在SiC晶圓的產(chǎn)量至少增加六倍，還將成為高意的200毫米SiC外延晶圓的旗艦制造中心。

（2）Onsemi與寶馬汽車集團(tuán)簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議

3月7日，據(jù)Onsemi官網(wǎng)消息已與寶馬汽車集團(tuán)（BMW）簽署了長(zhǎng)期供貨協(xié)議，安森美750V EliteSiC模塊將“上車”寶馬的400V電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)。Onsemi此前透露，電動(dòng)汽車、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、替代能源和工業(yè)自動(dòng)化等長(zhǎng)期增長(zhǎng)的大趨勢(shì)是被重點(diǎn)關(guān)注的，Onsemi與3家領(lǐng)先的新能源汽車新勢(shì)力簽訂了長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，并將這種合約關(guān)系擴(kuò)大到更多戰(zhàn)略客戶，也與10家能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)軍企業(yè)中的7家建立了合作。目前與客戶簽訂了大量的長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，預(yù)計(jì)在未來3年將帶來40億美元的碳化硅收入。根據(jù)寶馬集團(tuán)的規(guī)劃，到2025年底，寶馬將累計(jì)交付200萬輛純電動(dòng)車；預(yù)計(jì)到2030年，寶馬將在全球累積交付約1000萬輛純電動(dòng)汽車。

（3）Aehr獲得價(jià)值約4600萬元SiC設(shè)備部件訂單

3月14日，Aehr宣布收到一家SiC器件供應(yīng)商的價(jià)值670萬美元（約4600萬人民幣）的后續(xù)訂單——采購(gòu)WaferPak™全晶圓接觸器，以滿足電動(dòng)汽車市場(chǎng)對(duì)碳化硅功率半導(dǎo)體不斷增長(zhǎng)的產(chǎn)能需求。Aehr表示，這批WaferPak™全晶圓接觸器預(yù)計(jì)將從本財(cái)季開始交付，持續(xù)到2023年8月31日完成交付發(fā)貨。據(jù)悉，采購(gòu)方是一家500強(qiáng)半導(dǎo)體器件供應(yīng)商，并且是Aehr的老客戶。

（4）Wolfspeed與美爾森、西格里碳素公司達(dá)成長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議

3月14日，據(jù)美爾森官網(wǎng)消息已與Wolfspeed簽署了一份重要合同，為后者提供石墨和其他高性能材料，以支持?jǐn)U大Wolfspeed的材料產(chǎn)能，滿足碳化硅材料和器件快速增長(zhǎng)的需求。據(jù)介紹，該協(xié)議涵蓋五年期限，在此期間美爾森的銷售額約為4億美元（約27.5億人民幣）；而美爾森也將增加其設(shè)備和產(chǎn)能以滿足Wolfspeed的需求激增，計(jì)劃在2023年至2025年期間在美國(guó)投資約1.2億美元（約8.25億人民幣）。

3月28日，西格里碳素公司官網(wǎng)稱已經(jīng)與Wolfspeed達(dá)成了一項(xiàng)長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，將為Wolfspeed碳化硅生產(chǎn)設(shè)施提供關(guān)鍵石墨部件，用于后者在莫霍克谷工廠和北卡羅來納州工廠的生產(chǎn)。

（5）羅姆預(yù)計(jì)在碳化硅方面五年投入約87-112億元

最近，羅姆表示正在不斷地進(jìn)行碳化硅方面的投資，預(yù)計(jì)在2021-2025五年投入1700-2200億日元（約87-112億元人民幣）。相比2021年，預(yù)計(jì)2025年羅姆的碳化硅產(chǎn)能提升6倍，到2030年提升25倍。羅姆的兩個(gè)碳化硅生產(chǎn)基地——宮崎基地，還有阿波羅筑后工廠的新廠房也都投入使用。

2、投資擴(kuò)產(chǎn)

（1）SweGaN官宣在瑞典建造GaN外延生產(chǎn)設(shè)施

3月2日，SweGaN官網(wǎng)宣布正在瑞典的創(chuàng)新材料集群建設(shè)一個(gè)新總部，包括一個(gè)大規(guī)模的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施。報(bào)道稱，該項(xiàng)目計(jì)劃于今年第二季度末完成，將部署創(chuàng)新制造工藝，以大批量生產(chǎn)下一代GaN-on-SiC工程外延晶圓，預(yù)計(jì)年產(chǎn)能將高達(dá)4萬片4/6英寸外延片。

（2）約133億元 三菱電機(jī)官宣向功率器件業(yè)務(wù)投資擴(kuò)產(chǎn)

3月14日，三菱電機(jī)官網(wǎng)宣布，將在2021財(cái)年至2025財(cái)年向功率器件業(yè)務(wù)投資2600億日元（約合人民幣133億元），投資金額是之前宣布的投資計(jì)劃的兩倍。其中，約1000億日元（約合人民幣51億元）將用于建造一個(gè)新的8英寸SiC晶圓廠，并增強(qiáng)相關(guān)的生產(chǎn)設(shè)施，以應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車市場(chǎng)的擴(kuò)張需求。

（3）豐田通商聯(lián)合關(guān)西學(xué)院成立SiC功率半導(dǎo)體晶圓研發(fā)公司

豐田集團(tuán)一直都在研發(fā)碳化硅襯底，并且實(shí)現(xiàn)了溝槽SiC MOSFET、模組等全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)布局。3月22日，豐田通商株式會(huì)社宣布，他們聯(lián)合關(guān)西學(xué)院大學(xué)成立了一家SiC功率半導(dǎo)體晶圓研發(fā)公司——QureDA Research。該公司將專注以一種新的晶圓制造方法研發(fā)制造8英寸SiC晶圓，目標(biāo)在2025年將該技術(shù)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。據(jù)悉，QureDA Research注冊(cè)資金為4.5億日元（約2360萬人民幣），由豐田通商和關(guān)西學(xué)院各出資50%成立。

3、資本動(dòng)態(tài)

（1）總價(jià)57.4億！英飛凌收購(gòu)GaN Systems

根據(jù)英飛凌3月2日官網(wǎng)消息，他們與GaN Systems公司宣布，雙方已簽署最終協(xié)議，英飛凌將以8.3億美元（約合人民幣57.39億元）收購(gòu)GaN Systems。根據(jù)公告，英飛凌計(jì)劃以全現(xiàn)金收購(gòu)GaN Systems，資金將來自現(xiàn)有的流動(dòng)資金。

對(duì)這次收購(gòu)，英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示，“基于無與倫比的研發(fā)資源、應(yīng)用理解和客戶項(xiàng)目管道，這次計(jì)劃收購(gòu)GaN Systems將顯著加快我們的GaN路線圖。根據(jù)我們的戰(zhàn)略，此次合并將通過掌握所有相關(guān)的電源技術(shù)，無論是硅、碳化硅還是氮化鎵，進(jìn)一步加強(qiáng)英飛凌在電源系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

而GaN Systems首席執(zhí)行官Jim Witham表示:“GaN Systems團(tuán)隊(duì)很高興與英飛凌合作，在整合互補(bǔ)優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，為客戶提供高度差異化的產(chǎn)品。憑借我們?cè)谔峁┳吭浇鉀Q方案方面的共同專長(zhǎng)，我們將最佳地利用GaN的潛力。將GaN系統(tǒng)的代工資源與英飛凌的內(nèi)部制造能力相結(jié)合，可以實(shí)現(xiàn)最大的增長(zhǎng)能力，讓我們服務(wù)的廣泛目標(biāo)市場(chǎng)加速采用GaN。”

（2）NI收購(gòu)德國(guó)SET GmbH

3月6日，NI宣布收購(gòu)SET GmbH（簡(jiǎn)稱“SET”）。SET主要致力于航空航天和國(guó)防測(cè)試系統(tǒng)開發(fā)，是功率半導(dǎo)體可靠性測(cè)試領(lǐng)域的創(chuàng)新者。據(jù)悉，未來NI和SET將共同縮短關(guān)鍵的、高度差異化的解決方案的上市時(shí)間，并以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等功率電子材料為切入點(diǎn)，加速?gòu)陌雽?dǎo)體到汽車的供應(yīng)鏈融合。對(duì)于此次收購(gòu)，NI表示將擴(kuò)大它在汽車功率半導(dǎo)體可靠性系統(tǒng)中的機(jī)會(huì)，這是一個(gè)高增長(zhǎng)的投資領(lǐng)域。

NI執(zhí)行副總裁兼事業(yè)部總經(jīng)理Ritu Favre表示，“汽車供應(yīng)鏈正在經(jīng)歷一場(chǎng)變革，原始設(shè)備制造商（OEM）和半導(dǎo)體廠商都在新技術(shù)領(lǐng)域迅速創(chuàng)新。對(duì)于這些新技術(shù)在新型電動(dòng)汽車中的表現(xiàn)能進(jìn)行充分預(yù)測(cè)并說明的能力對(duì)于產(chǎn)品最終性能和安全性至關(guān)重要”。