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泰科天潤董事長陳彤受邀將出席2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發(fā)展論壇并作大會報告

日期:2023-04-26 閱讀:654
核心提示:隨著新能源汽車的普及及5G的商用,量產(chǎn)新能源車型中搭載碳化硅(SiC)以及5G基站功放使用碳化硅基氮化鎵,催生了碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈從

 隨著新能源汽車的普及及5G的商用,量產(chǎn)新能源車型中搭載碳化硅(SiC)以及5G基站功放使用碳化硅基氮化鎵,催生了碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈從襯底-外延-器件-模塊-應用巨大的市場需求。我國目前在以碳化硅、氮化鎵為首的第三代半導體材料領域已經(jīng)形成了完整的產(chǎn)業(yè)鏈,從材料、裝備及工藝技術等方面也均實現(xiàn)了部分國產(chǎn)化替代,要實現(xiàn)碳化硅關鍵裝備及工藝技術完全的國產(chǎn)自主可控,仍需產(chǎn)業(yè)上下游各方加強協(xié)作,攜手攻克難關。

2023年5月5-7日,“2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發(fā)展論壇”將于長沙召開。論壇在第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導下,由極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國電子科技集團第四十八研究所聯(lián)合組織籌辦。

自半導體誕生以來,半導體材料便不斷升級。與第一代和第二代半導體材料相比,第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。碳化硅是最接近大規(guī)模商業(yè)化的第三代半導體材料,SiC器件正廣泛應用于電力電子領域中,作為制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。國內(nèi)外紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展布局,各地碳化硅項目漸次落,“枝繁葉茂”的同時,也給業(yè)界帶來如何避免過度分散以及更好規(guī)?;l(fā)展的思考。

本屆論壇,泰科天潤董事長陳彤將受邀出席并帶來大會報告,就當前碳化硅項目到底要建多大線的問題,分析碳化硅行業(yè)規(guī)?;l(fā)展的謎題與難題。

欲知詳細最新研究進展與數(shù)據(jù)成果,敬請關注論壇,也歡迎相關領域專家、學者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流,共商合作事宜。

陳彤

陳彤,泰科天潤董事長,中關村高端領軍人才,科技部第三代半導體專家組成員。深耕碳化硅領域數(shù)余載,帶領團隊在第三代半導體碳化硅(SiC)功率器件研發(fā)、生產(chǎn)、量產(chǎn)及產(chǎn)品應用方面取得顯著成果。陳彤博士帶領團隊建成國內(nèi)第一條碳化硅(SiC)功率器件研發(fā)和量產(chǎn)生產(chǎn)線,并成功實現(xiàn)碳化硅(SiC)公司針對新能源、電動汽車、通訊信息產(chǎn)業(yè),提供各類型碳化硅核心器件、及多套行業(yè)解決方案。

陳彤博士率領的團隊2013年開始全面投入碳化硅產(chǎn)業(yè),依托當時國內(nèi)唯一的量產(chǎn)型高溫離子注機等成套設備平臺,以及產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗豐富的技術團隊,通過多年的市場化鑄造,掌握了碳化硅功率器件的設計、關鍵工藝和制造品控全套技術,公司榮獲半導體協(xié)會創(chuàng)新產(chǎn)品、中國芯等系列大獎榮譽,得到半導體行業(yè)內(nèi)的一致首肯。公司已建設成為一個擁有自主SBD、MOSFET等SiC器件核心芯片技術、滿足國內(nèi)外用戶的高端需求,引領我國SiC器件制造的研發(fā)和生產(chǎn)企業(yè)。

公司介紹 

泰科天潤半導體科技(北京)有限公司是中國碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導者之一,致力于中國半導體功率器件制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,并向全球功率器件消費者提供優(yōu)質的半導體功率器件產(chǎn)品和專業(yè)服務。 泰科天潤在北京擁有一座完整的半導體工藝晶圓廠,可在4/6英寸SiC晶圓上實現(xiàn)半導體功率器件的制造工藝。 作為國內(nèi)碳化硅研發(fā)生產(chǎn)和平臺服務型公司,泰科天潤的產(chǎn)品線涉及基礎核心技術產(chǎn)品、碳化硅成型產(chǎn)品以及多套行業(yè)解決方案。

目前泰科天潤的碳化硅器件650V/2A-100A,1200V/2A-50A,1700V/5A -50A,3300V/0.6A-50A等系列的產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn),產(chǎn)品質量完全可以比肩國際同行業(yè)的先進水平。泰科天潤通過與產(chǎn)業(yè)同行、科研院所、國內(nèi)外專家共同探索與開發(fā),正在將SiC功率器件推廣到更多更廣的應用領域。

論壇信息

組織機構

指導單位

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟

主辦單位

極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(m.jycsgw.cn)

承辦單位

中國電子科技集團公司第四十八研究所

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

協(xié)辦單位

湖南三安半導體有限責任公司

瀏陽泰科天潤半導體技術有限公司

中車時代電氣股份有限公司

中南大學

......

贊助支持

湖南三安半導體有限責任公司

瀏陽泰科天潤半導體技術有限公司

寧波恒普真空科技股份有限公司

蘇州高視半導體技術有限公司

忱芯科技(上海)有限公司

蘇州博宏源機械制造有限公司

江蘇晶工半導體設備有限公司

蘇州德龍激光股份有限公司

北京特思迪半導體設備有限公司

布魯克(北京)科技有限公司

山東海金石墨科技有限公司

湖南德智新材料有限公司

浙江凱威碳材料有限公司

哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術研究院有限公司

浙江飛越機電有限公司

中電科風華信息裝備股份有限公司

吉永商事株式會社

鵬城半導體技術(深圳)有限公司

北京媯水科技有限公司

昂坤視覺(北京)科技有限公司

山西中電科新能源技術有限公司

......

主題方向

1、宏觀趨勢與產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

·碳化硅全球發(fā)展趨勢、現(xiàn)狀及應用前景;

·國內(nèi)產(chǎn)業(yè)政策分析、產(chǎn)業(yè)需求研判;

·國產(chǎn)裝備現(xiàn)狀、行業(yè)發(fā)展痛點及未來展望;

·資金、人才、技術、市場等關鍵要素分析;

2、技術方向與產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)

·碳化硅晶體生長、加工工藝及相關裝備技術;

·外延材料生長、芯片制造等核心工藝技術及裝備

·封裝材料、工藝及裝備技術;

·氮化鎵、氧化鎵等新型半導體材料、工藝和裝備;

3、產(chǎn)業(yè)配套及供應鏈

·襯底、外延、器件等設計軟件及檢測裝備;

·石墨/涂層/清洗/特氣等配套材料、工藝裝備協(xié)同優(yōu)化;

·產(chǎn)品性能/良率/可靠性等要素分析與改進;

·生產(chǎn)流程控制、工藝優(yōu)化與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新;

4、規(guī)模應用與市場探索

·車用碳化硅/氮化鎵器件技術進展;

·碳化硅功率器件技術進展及應用前景;

·產(chǎn)業(yè)化進展及裝備需求;

·市場動力、核心競爭力塑造與面臨挑戰(zhàn)。

時間地點

2023年5月5-7日

湖南·長沙·圣爵菲斯大酒店

日程安排(具體報告陸續(xù)更新中)

開幕大會日程安排

時間

主要安排

5月5日

09:00-13:00

報到&資料領取

13:30-17:30

開幕大會+圓桌對話

18:00-21:00

歡迎晚宴

5月6日

09:00-12:00

分論壇1:碳化硅關鍵裝備、工藝及配套材料技術

論壇2:氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導體

12:00-13:30

午餐&交流

13:30-17:30

分論壇1:碳化硅關鍵裝備、工藝及配套材料技術

論壇2:氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導體

18:30-20:30

晚餐&結束

5月7日

09:00-12:00

商務考察活動&返程

(中國電子科技集團公司第四十八研究所或泰科天潤或湖南三安半導體)

備注:僅供參考,以現(xiàn)場為準。

平行論壇1:

備注:目前報告順序不分先后,最終日程將持續(xù)更新,敬請關注!

平行論壇1:碳化硅關鍵裝備、工藝及配套材料技術

時間:第二天 • 5月6日 • 09:00-12:00,14:00-17:30

主題:SiC MOS器件可靠性制造技術及裝備

嘉賓:王德君--大連理工大學教授 

主題:國產(chǎn)化碳化硅注入機發(fā)展情況

嘉賓:羅才旺--北京爍科中科信電子裝備有限公司副總經(jīng)理

主題:SiC MOSFET器件及其應用研究的思路和探索

嘉賓:王俊--湖南大學超大功率半導體研究中心主任,教授   

主題:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局

嘉賓:湖南三安半導體有限責任公司

主題:適配xEV動力域控制器的SIC電機控制器

嘉賓:陳文杰--陽光動力電控研發(fā)中心總監(jiān)

主題:碳化硅器件與水冷散熱器的低溫直連技術探索

嘉賓:梅云輝--天津工業(yè)大學電氣工程學院 院長

主題:SIC晶圓全制程質量控制解決方案

嘉賓:鄒偉金--蘇州高視半導體技術有限公司副總經(jīng)理

主題:碳化硅長晶爐石墨熱場結構的國產(chǎn)化探索

嘉賓:趙麗麗--哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術研究院有限公司董事長

主題:碳化硅功率半導體模塊精準動靜態(tài)特性與可靠性測試解決方案

嘉賓:陸 熙--忱芯科技技術總監(jiān)   

主題:碳化硅外延核心技術的產(chǎn)業(yè)化應用

嘉賓:孔令沂--杭州海乾半導體有限公司董事長

主題:碳化硅材料及器件減薄工藝解決方案

嘉賓:劉國敬--北京中電科電子裝備有限公司副總經(jīng)理

主題:碳化硅晶圓減薄裝備技術現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

嘉賓:尹韶輝--湖南大學教授

主題:大規(guī)模量產(chǎn)型碳化硅外延設備技術進展(TBD)

嘉賓:方子文--AIXTRON SE中國區(qū)副總經(jīng)理

主題:碳化硅在新能源汽車中的應用挑戰(zhàn)

嘉賓:TBD

主題:碳化硅單晶用碳化鉭技術(TBD

嘉賓:寧波恒普真空科技股份有限公司

主題:先進拋光技術助力量產(chǎn)型大尺寸碳化硅制造

嘉賓:孫占帥--北京特思迪半導體設備有限公司工藝部部長

主題:半導體設備用SiC部件材料開發(fā)及應用

嘉賓:余盛杰--湖南德智新材料有限公司CTO

主題:碳化硅同質外延層厚度無損紅外反射光譜法測試分析

嘉賓:雷浩東--布魯克(北京)科技有限公司應用工程師

備注:以上報告順序不分先后,最終日程將持續(xù)更新,敬請關注!

 

備注:平行論壇日程安排正在逐一敲定中,后續(xù)每日將持續(xù)更新!

擬參會單位

山東天岳,天科合達,河北同光,山西爍科晶體,南砂晶圓,東莞天域,英飛凌,安森美, 瀚天天成,瞻芯電子,清純半導體,蔚來汽車,中南大學,湖南大學,基本半導體,士蘭微,高意半導體,中科院半導體所,中科院物理所,武漢大學,武漢理工大學,國防科技大學,AIXTRON SE, 中電科四十六所,中電科二所,中電科十三所,中電科五十五所,晶越半導體,小鵬汽車,山東大學,理想汽車,長安汽車、超芯星,中電化合物,世紀金光,浙江大學,西安交通大學,復旦大學、海乾半導體、富士電機、三菱電機.....

更多報主題安排

平行論壇報告主題安排

1.第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及挑戰(zhàn)

2.第三代半導體關鍵裝備的現(xiàn)狀及國產(chǎn)化思考

3.碳化硅器件制造關鍵裝備及國產(chǎn)化進展

4.SiC器件和模塊的最新進展

5.第三代半導體材料外延生長裝備現(xiàn)狀及展望

6.碳化硅涂層石墨盤技術

7.8英寸碳化硅單晶進展

8.國產(chǎn)MBE 設備進展

9.SiC襯底制備技術現(xiàn)狀、趨勢及工藝研究

10.SiC電力電子器件制造及其典型裝備需求

11.SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備研發(fā)

12.SiC MOS器件結構設計

13.激光剝離設備國產(chǎn)化進展

14.先進碳化坦涂層技術

15.車用碳化硅技術進展

16.銀燒結設備技術

17.SiC高溫熱處理設備及工藝應用

18.激光退火技術

19.SiC外延裝備及技術進展

20.碳化硅離子注入設備技術

21.SiC晶體生長、加工技術和裝備

22.拋光裝備國產(chǎn)化之路

23.8寸碳化硅外延制備技術

24.8寸碳化硅襯底技術進展

25.第三代半導體材料生長裝備與工藝自動化

26.化合物半導體工藝設備解決方案

27.GaN器件及其系統(tǒng)的最新研究進展

28.Si襯底GaN基功率電子材料及器件的研究

29.GaN晶片的光電化學機械拋光加工

30.第三代半導體材料加工設備及其智能化

31.激光技術在第三代半導體領域的應用

32.碳化硅單晶生長用石墨技術

33.碳化硅/氧化鎵等缺陷檢測

34.碳化硅基氮化鎵HEMT技術

35.金剛石半導體技術

36.碳化硅半導體功率器件測試方案

37.碳化硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化進展及裝備需求

38.光隔離探頭測試技術

39.電子特氣在第三代半導體產(chǎn)業(yè)中的應用

40.金剛石單晶生長技術

41.SiC單晶制備與裝備研發(fā)進展

42.半導體電子特氣國產(chǎn)化進展

43.半導體晶圓清洗設備國產(chǎn)化進展

44.碳化硅IGBT 技術進展及應用前景

45.車用氮化鎵器件技術進展

46.第三代半導體二手設備市場現(xiàn)狀與存在問題

47.硅基氮化鎵MOCVD設備技術進展及趨勢

48.氧化鎵單晶/襯底外延及功率器件技術

備注:以上部分報告主題僅供參考,報告嘉賓正陸續(xù)確認中,后續(xù)將集中公布。

注冊報名:

1、注冊費2500元,4月29日前注冊報名2200元(含會議資料袋,5月5日歡迎晚宴、5月6日自助午餐、晚餐)。企業(yè)展位預定中,請具體請咨詢。

2、交通費、住宿費等自理。

展覽展示

為促進產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)充分展示交流,組委會開辟出少量展示席位,數(shù)量有限,預訂從速。詳情可咨詢會議聯(lián)系人。

繳費方式

1、通過銀行匯款

開戶行:中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號:336 356 029 261

名 稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

2、線上注冊繳費

長沙在線注冊二維碼

備注:在線注冊平臺注冊請務必填寫正確,以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。

3、現(xiàn)場繳費(接受現(xiàn)金和刷卡)

4、收款單位:本屆論壇指定“北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司”作為會議唯一收款單位。

報告及論文發(fā)表聯(lián)系:

Frank 賈:18310277858,jiaxl@casmita.com

會議報名/參展/贊助咨詢:

賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com

張女士:13681329411,zhangww@casmita.com

張先生:18601159985,zhangtk@casmita.com

協(xié)議酒店:

會議酒店: 長沙圣爵菲斯大酒店

酒店地址:湖南省長沙市開福區(qū)三一大道471號

協(xié)議房價:

·五星酒店房間:大/ 雙 床房 含雙早  468元/晚

·三星酒店房間:大/雙 床房 含雙早  258元/晚

(備注:三星酒店單獨用餐區(qū)用早餐,不能享用酒店健身房和游泳池,具體可咨詢酒店聯(lián)系人)

預訂聯(lián)系人:李子都 圣爵菲斯大酒店營銷經(jīng)理

電話:14726987349

郵箱:136379346@qq.com

備注:預定客房時提“碳化硅”或“半導體會議”均可享受協(xié)議價格。

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