2023年5月5-7日，“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術(shù)發(fā)展論壇”在長沙召開。論壇在第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導下，由極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國電子科技集團第四十八研究所等單位聯(lián)合組織。論壇圍繞“碳化硅襯底、外延及器件相關(guān)裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展”、“關(guān)鍵零部件及制造工藝創(chuàng)新突破”、“產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導體”，邀請產(chǎn)業(yè)鏈上下游的企業(yè)及高?？蒲性核砩钊胙杏懀瑪y手促進國內(nèi)碳化硅及其他半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

期間，在“碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)”分論壇上，湖南德智新材料有限公司副總經(jīng)理、首席技術(shù)官余盛杰分享了《半導體設(shè)備用SiC零部件開發(fā)及應用》的主題報告。

化合物半導體是指以SiC、GaN、GaAs為代表的的寬禁帶半導體材料，主要應用于高壓、高溫、高頻場景。隨著應用場景不斷增加，對于化合物半導體的需求越來越大，化合物半導體發(fā)展迅速，因此，其芯片產(chǎn)能及制造能力就顯得極為重要。

同時，SiC零部件是化合物半導體芯片制造過程中必不可少的高頻耗材，也是唯一接觸晶圓片的零部件，并對芯片性能、制造成本及產(chǎn)能具有重要的影響。本報告重點講述化合物半導體設(shè)備用SiC零部件性能要求及其對芯片制造的影響，分享德智新材開發(fā)的SiC零部件在化合物半導體芯片制造中應用情況，同時展望未來SiC零部件的發(fā)展方向。

嘉賓簡介：余盛杰，10年+新材料領(lǐng)域科研、產(chǎn)品開發(fā)及管理經(jīng)驗，師從國內(nèi)SiC資深博導陳照峰教授，南京航空航天大學材料學博士，湖南德智新材料有限公司創(chuàng)始人之一，現(xiàn)任副總經(jīng)理，湖南省2020年產(chǎn)業(yè)項目建設(shè)引進100個科技創(chuàng)新人才，湖南省株洲市“雙創(chuàng)人才”。主要從事CVD SiC薄膜、SiC納米線、C/SiC及SiC/SiC復合材料等領(lǐng)域的研究，發(fā)表SCI等論文20余篇，其中SCI收錄16篇，EI論文1篇，在SiC涂層領(lǐng)域具有扎實的研究基礎(chǔ)及豐富的技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。