半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：近日，中國電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅 MOSFET技術及應用”成功通過技術鑒定。鑒定委員會認為，該項目技術難度大，創(chuàng)新性顯著，總體技術達到國際先進水平。

該項目聚焦新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)等領域?qū)Ω咝阅芨呖煽刻蓟?MOSFET器件自主創(chuàng)新的迫切需求，突破多項關鍵工藝技術，貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺，國內(nèi)率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅 MOSFET器件，實現(xiàn)新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領域碳化硅MOSFET批量供貨，有力保障碳化硅功率器件供應鏈安全，支撐產(chǎn)業(yè)鏈向高端躍升。

下一步，國基南方、55所將面向國家重大戰(zhàn)略需求，聚焦汽車芯片等領域，繼續(xù)完善產(chǎn)品譜系、拓展產(chǎn)品類型，全力提升碳化硅產(chǎn)能，進一步推進新能源汽車用碳化硅 MOSFET芯片和功率模塊關鍵核心技術攻關及產(chǎn)業(yè)化應用，為實現(xiàn)“碳達峰、碳中和”作出新的更大貢獻。

值得關注的是，在今年的4月17日，中國電科55所與一汽聯(lián)合推動碳化硅功率器件及模組科技創(chuàng)新，研發(fā)的首款750V碳化硅功率芯片完成樣品流片，首款全國產(chǎn)1200V塑封2in1碳化硅功率模塊完成A樣件試制。

在750V碳化硅功率芯片項目中，雙方技術團隊從結構設計、工藝技術、材料應用維度開展聯(lián)合攻關，推動碳化硅功率芯片技術達到國際先進水平。目前，已正式進入產(chǎn)品級測試階段。在2in1碳化硅功率模塊項目中，雙方技術團隊圍繞新結構、新工藝、新材料開展聯(lián)合攻關，實現(xiàn)芯片襯底與外延材料制備、芯片晶圓設計與生產(chǎn)、封裝結構設計、塑封工藝開發(fā)與模塊試制等關鍵環(huán)節(jié)全流程自主創(chuàng)新，為碳化硅功率半導體設計與生產(chǎn)全自主化、全國產(chǎn)化打下堅實基礎。

面向未來，55所將持續(xù)強化產(chǎn)業(yè)鏈上下游聯(lián)合攻關，推動碳化硅功率器件及模組關鍵核心技術自主創(chuàng)新，為新能源汽車產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供科技支撐。

此外，碳化硅外延片，指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半導體器件的關鍵材料。在今年4月24日，中國電科稱，電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化工作取得重大進展，6英寸中高壓碳化硅外延片月產(chǎn)能力實現(xiàn)大幅提升。電科材料持續(xù)布局第三代半導體外延材料研發(fā)生產(chǎn)，實現(xiàn)一系列技術突破，在碳化硅外延領域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發(fā)。同時，積極與國產(chǎn)設備廠商合作開發(fā)生產(chǎn)裝備，推動碳化硅核心裝備國產(chǎn)化。未來，電科材料將持續(xù)創(chuàng)新突破，推出更多高端碳化硅材料產(chǎn)品，為助力國內(nèi)新能源汽車、充電樁、光伏等新興產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展蓄勢賦能。