隨著近年逐步開始商業(yè)化和產(chǎn)業(yè)化，功率半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)迎來了新的發(fā)展賽道，并逐步形成與行業(yè)應(yīng)用緊密相關(guān)的新發(fā)展趨勢。尤其是IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件技術(shù)與應(yīng)用。據(jù)統(tǒng)計，全球IGBT市場規(guī)模從2015年的約150億美元增長到2021年的近220億美元。IGBT產(chǎn)業(yè)鏈逐漸完善，包括IGBT芯片設(shè)計與制造、封裝測試、模塊組裝等環(huán)節(jié)。各個環(huán)節(jié)的企業(yè)積極開展研發(fā)合作和技術(shù)創(chuàng)新，推動整個產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展。
為推動IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用，由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、中國國際貿(mào)易促進委員會電子信息行業(yè)分會、勵展博覽集團聯(lián)合主辦，2023先進IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇將于7月20日-21日在NEPCON China 2023 電子展(第三十一屆國際電子生產(chǎn)設(shè)備暨微電子工業(yè)展覽會)期間，在上海世博展覽館舉辦。
中國電子科技集團公司第五十五研究所副主任設(shè)計師李赟受邀將出席論壇，并帶來《適用于萬伏級IGBT器件研制的4H-SiC外延材料生長技術(shù)》的主題報告，分享最新研究成果與技術(shù)進展。
欲知詳細最新研究進展與數(shù)據(jù)成果，敬請關(guān)注論壇，也歡迎相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜?、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流，共商合作事宜。
李赟，博士，正高級工程師。主要從事SiC材料外延工作。先后承擔(dān)或參與“863"、“973”、“核高基”和重點研發(fā)計劃等重大科研項目，突破大尺寸低缺陷SiC外延關(guān)鍵技術(shù)，建立外延工藝平臺，實現(xiàn)SiC外延材料自主保障供應(yīng)。基于自主研發(fā)的材料, 實現(xiàn)SiC MOSFET系列產(chǎn)品批產(chǎn)；研制了國內(nèi)首個20kV n溝道IGBT芯片研制成功。發(fā)表科技論文8篇(第一作者)，授權(quán)發(fā)明專利15項(第一發(fā)明人)，其中2項PCT專利分別獲歐盟及韓國授權(quán)。牽頭編制行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)2項(已發(fā)布)。獲得國防科技進步獎1次，電子學(xué)會技術(shù)發(fā)明獎1次。
論壇信息
時間：7月20日-21日
地點：上海世博展覽館·NEPCON論壇區(qū)
主辦單位：
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
中國國際貿(mào)易促進委員會電子信息行業(yè)分會
勵展博覽集團
承辦單位：
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
報告議題（擬）：
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國產(chǎn)IGBT技術(shù)進展及市場現(xiàn)狀 |
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碳化硅肖特基二級管技術(shù) |
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IGBT模塊封裝技術(shù) |
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助力集成商打造半導(dǎo)體行業(yè)智能物流解決方案 |
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高壓功率器件封裝絕緣問題及面臨的調(diào)整 |
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單雙面銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝中的應(yīng)用 |
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第三代半導(dǎo)體功率器件封裝技術(shù)現(xiàn)狀及挑戰(zhàn) |
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IGBT的真空焊接技術(shù) |
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超高壓碳化硅功率器件 |
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碳化硅離子注入技術(shù) |
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第三代半導(dǎo)體功率器件可靠性測試方法和實現(xiàn) |
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IGBT芯片設(shè)計 |
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車規(guī)級IGBT 與 碳化硅IGBT 技術(shù)趨勢 |
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基于SiC功率芯片的高功率密度電驅(qū)系統(tǒng) |
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SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計 |
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車規(guī)級氮化鎵功率器件技術(shù) |
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用于功率器的關(guān)鍵設(shè)備技術(shù)/等離子去膠設(shè)備技術(shù) |
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IGBT模塊散熱及可靠性研究 |
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碳化硅芯片設(shè)計 |
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