據(jù)韓媒報道，近日三星代工業(yè)務總裁崔世英講述三星晶圓代工藍圖，計劃2025年將GAA制程芯片擴展到3D封裝，因制程微縮對降低成本和縮小芯片面積有其限制，因此三星多樣化后段先進技術。

 

消息顯示，因兩種制程復雜性都很高，產(chǎn)業(yè)界尚未嘗試結合GAA制程與3D先進封裝。GAA制程取代傳統(tǒng)FinFET制程技術，可以最大化資料傳輸路徑面積，并減少芯片尺寸。而3D先進封裝是整合技術，使不同小芯片像單芯片發(fā)揮作用。在制程微縮逐步接近極限的現(xiàn)在，英特爾和臺積電等都在激烈競爭，以加速商業(yè)化。

 

三星于2020年首次推出7納米EUV制程的3D先進封裝X-Cube，并于2022年率先量產(chǎn)3納米GAA制程，且半導體業(yè)務部門另組先進封裝（AVP）團隊，加速下代半導體后段制程研發(fā)，三星預估將在2027年量產(chǎn)1.4納米先進制程。

 

為了強化晶圓代工業(yè)務，三星已經(jīng)宣布發(fā)展本土系統(tǒng)半導體生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展計劃，預計2024年擴展多項目晶圓（MPW）服務，目標是成為人工智能和高效能運算（HPC）關鍵推動者，采用4納米制程，2025年MPW服務總量成長超過10%，帶動韓國系統(tǒng)半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。