半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：華潤(rùn)微近日在接受投資者調(diào)研時(shí)稱， 2023年公司IGBT產(chǎn)品營(yíng)收的目標(biāo)是10億元，增長(zhǎng)動(dòng)能方面，一是來(lái)源于晶圓制造工藝的升級(jí)，公司IGBT產(chǎn)品從6吋產(chǎn)線升級(jí)到8吋產(chǎn)線，未來(lái)逐步會(huì)升級(jí)到12吋產(chǎn)線；二是IGBT的產(chǎn)能根據(jù)規(guī)劃目標(biāo)做了擴(kuò)充；三是建立模塊封裝產(chǎn)線；四是公司IGBT產(chǎn)品下游終端應(yīng)用結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化，工控和汽車(chē)電子占比85%，市場(chǎng)空間大。

針對(duì)IGBT產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)，華潤(rùn)微表示，一是公司IDM商業(yè)模式，供應(yīng)鏈可控；二是IGBT產(chǎn)品與FRD均為自有產(chǎn)品，可相互配套；三是公司IGBT產(chǎn)品性能在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先地位。

公司目前6吋、8吋晶圓制造產(chǎn)能是滿載狀態(tài)；重慶12吋處于產(chǎn)能爬坡階段。

公司積極推動(dòng)高壓超結(jié)MOSFET平臺(tái)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)品系列化豐富，2022年同比增長(zhǎng)166%，同時(shí)在MOSFET產(chǎn)品中的占比不斷提升。公司未來(lái)將逐步擴(kuò)大8吋和12吋超結(jié)MOS的產(chǎn)能規(guī)模，2023年超結(jié)MOS預(yù)計(jì)也會(huì)保持較高增速。

公司碳化硅和氮化鎵均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，SiCMOS第一代平面型MOS器件性能?chē)?guó)內(nèi)領(lǐng)先，同時(shí)已啟動(dòng)開(kāi)發(fā)第二代溝槽型MOS結(jié)構(gòu)。2023年碳化硅和氮化鎵產(chǎn)品營(yíng)收力爭(zhēng)規(guī)模上億元平臺(tái)。

目前封裝能力月產(chǎn)能8.7億顆。未來(lái)將通過(guò)重慶封測(cè)基地項(xiàng)目為抓手，全面覆蓋功率半導(dǎo)體產(chǎn)品模塊封裝、晶圓中道生產(chǎn)線、面板級(jí)封裝、第三代半導(dǎo)體封裝等技術(shù)領(lǐng)先門(mén)類(lèi)，有序推進(jìn)封裝工藝升級(jí)。公司模塊產(chǎn)品包含TMBS模塊、IPM模塊、MOS模塊、IGBT模塊四大類(lèi)，2023年將會(huì)實(shí)現(xiàn)較快增長(zhǎng)。