近日，半導體行業(yè)動態(tài)頻頻，一批半導體項目先后簽約、竣工、投產(chǎn)，涵蓋了半導體設(shè)計、材料、制造、設(shè)備等多個領(lǐng)域。

 

 

高投芯未高端功率半導體器件及模組研發(fā)生產(chǎn)項目在成都高新西區(qū)舉行首臺設(shè)備搬入儀式。

 

芯未半導體是高新西區(qū)首家面向新能源場景的功率半導體器件和集成組件制造企業(yè)，項目投產(chǎn)后，可提供從IGBT芯片背面加工-模塊封測代工-集成組件的一條龍代工服務(wù)，為包括功率半導體設(shè)計企業(yè)、制造企業(yè)、終端應(yīng)用企業(yè)等提供IGBT特色代工服務(wù)。

 

成都高新西區(qū)高投芯未高端功率半導體器件及模組研發(fā)生產(chǎn)項目于去年8月開工，成都工業(yè)和信息化當時消息顯示，芯未項目總投資約10億元，分兩期建設(shè)，建成投產(chǎn)后將為功率半導體設(shè)計企業(yè)提供IGBT特色授權(quán)委托加工服務(wù)，包括IGBT芯片、模組及方案組建產(chǎn)品等，預(yù)計實現(xiàn)年營收9億元、年稅收7000萬元。

 

 

四川富樂華功率半導體陶瓷基板項目竣工投產(chǎn)儀式在內(nèi)江經(jīng)開區(qū)舉行。

 

據(jù)悉，該項目由FerroTec（中國）集團旗下子公司江蘇富樂華半導體科技股份有限公司投資10億元新建，占地約120畝，共建設(shè)10余萬平方米的現(xiàn)代化辦公樓、生產(chǎn)廠房和支持系統(tǒng)，引入國內(nèi)外先進的高溫燒結(jié)爐、精密氧化爐、真空釬焊爐、真空蝕刻機、超聲波掃描儀等生產(chǎn)、分析檢測設(shè)備約300臺/套，建成3條年產(chǎn)1080萬片功率半導體陶瓷基板的自動化生產(chǎn)線。

 

消息稱，四川富樂華功率半導體陶瓷基板項目建成投產(chǎn)后，將成為中國內(nèi)陸規(guī)模最大的功率半導體陶瓷基板生產(chǎn)基地，主要向全球功率半導體廠商提供代表全球先進材料和技術(shù)的功率半導體模塊陶瓷基板產(chǎn)品。

 

此外，據(jù)了解，F(xiàn)erroTec（中國）集團下轄的富樂德公司已連續(xù)落戶三期項目。去年3月，F(xiàn)erroTec（中國）集團于下轄的江蘇富樂華公司與內(nèi)江經(jīng)開區(qū)成功簽約落地“功率半導體陶瓷基板項目”，去年6月30日，該項目正式開工。

 

 

羅杰斯curamik高功率半導體陶瓷基板項目正式落地蘇州工業(yè)園區(qū)。

 

公開消息顯示，該項目規(guī)劃總投資1億美元，首期投資3000萬美元，計劃明年建成投用，項目投產(chǎn)后，羅杰斯蘇州將成為羅杰斯美國總部之外，全球唯一擁有集團全部產(chǎn)品研發(fā)制造的基地。

 

據(jù)悉，本次投資將更大地滿足EV/HEV和可再生能源應(yīng)用中日益增長的金屬化陶瓷基板的需求，有助于縮短行業(yè)交付周期。

 

 

在上海舉行的世界人工智能大會“引領(lǐng)未來，賦能煥新”浦東論壇上，輿芯半導體入選浦東新區(qū)第一批人工智能重點項目，并與張江高科成功簽約。

 

據(jù)悉，輿芯半導體的芯片項目針對車規(guī)級應(yīng)用設(shè)計，包括入門級車規(guī)AI MCU、主流車規(guī)AI MCU和高端運動控制處理器。這些芯片不僅具備高集成度、低功耗和靈活性，還融入了先進的人工智能技術(shù)。輿芯半導體官方信息顯示，其將利用最領(lǐng)先的車規(guī)MCU工藝平臺，為客戶提供創(chuàng)新解決方案，廣泛應(yīng)用于動力、底盤、引擎發(fā)動機、電動機等汽車場景，滿足電動化和智能化需求。

 

公開消息顯示，近日，輿芯半導體獲近億元天使輪融資。當時消息顯示，該輪融資資金將主要用于車規(guī)級芯片領(lǐng)域的前沿技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品技術(shù)升級以及高端人才儲備等用途。

 

 

近上海強華實業(yè)股份有限公司“集成電路核心裝備新材料生產(chǎn)基地項目”開工儀式舉行。

 

據(jù)悉，強華股份臨港項目坐落于臨港產(chǎn)業(yè)區(qū)，由上海強華實業(yè)股份有限公司投資興建，中國電子系統(tǒng)工程第三建設(shè)有限公司承建。項目占地32畝，主要用于生產(chǎn)8英寸-12英寸高純、高精度石英器件及其它相關(guān)硅基器件。該項目今年3月成功拿地，今年7月便實現(xiàn)了開工建設(shè)。

 

公開資料顯示，上海強華實業(yè)股份有限公司是一家擁有20多年石英加工經(jīng)驗，主要從事高純、高精度石英材料制品研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的民營高新企業(yè)。強華股份是臨港新片區(qū)集成電路材料環(huán)節(jié)的重點企業(yè)。2022年4月，強華正式加入臨港新片區(qū)，成功填補了新片區(qū)石英材料的空白領(lǐng)域。

 

 

位于浙江麗水經(jīng)開區(qū)的富樂德半導體產(chǎn)業(yè)項目開工。

 

麗水經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)消息顯示，該項目總投資約120億元，總用地約400畝，主要建設(shè)12英寸拋光片項目和傳感器、功率器件等半導體項目，2023年度計劃投資10億元。首期建成后將形成年產(chǎn)360萬片300mm半導體拋光片的生產(chǎn)能力，產(chǎn)品具有代替進口產(chǎn)品等特點，預(yù)計可實現(xiàn)年產(chǎn)值22億元。

 

麗水經(jīng)開區(qū)相關(guān)負責人表示，爭取項目首期在2024年底前實現(xiàn)投產(chǎn)。

 

據(jù)了解，富樂徳半導體產(chǎn)業(yè)項目于今年2月簽約落戶浙江麗水，3月份首期用地成功摘牌。當時消息顯示，首期項目計劃今年開工，并在一年內(nèi)實現(xiàn)竣工投運。

 

 

內(nèi)江市舉行2023年第三季度重大項目現(xiàn)場推進活動。

 

其中，投資約22億元的能斯特（內(nèi)江）產(chǎn)業(yè)園正式開工。該項目位于內(nèi)江高新區(qū)，總占地約90畝，總建筑面積約7.9萬平方米，主要建設(shè)高溫陶瓷芯片、PT200高溫傳感器、氧傳感器、氨傳感器、氫傳感器及氮氧傳感器總成研發(fā)生產(chǎn)基地，建成后，中期預(yù)計年均產(chǎn)值達35億元。

 

福賽爾科技集團高級副總裁、能斯特科技公司執(zhí)行董事李亞卓表示，將充分發(fā)揮新材料技術(shù)和行業(yè)優(yōu)勢，借助內(nèi)江市產(chǎn)業(yè)發(fā)展平臺，積極打造具有核心競爭力的高新材料產(chǎn)業(yè)集群，助力內(nèi)江加快建設(shè)成渝發(fā)展主軸工業(yè)強市。

 

 

中核紀元之光碳化硅材料生產(chǎn)項目目前已完成基礎(chǔ)工程和廠房主體建設(shè)，正在進行裝飾裝修和設(shè)備進場前的準備工作，預(yù)計今年10月底項目正式投產(chǎn)使用。

 

據(jù)此前報道，中核紀元之光碳化硅材料生產(chǎn)項目是由中核匯能陜西（能源）有限公司投資建設(shè)，屬省級新材料產(chǎn)業(yè)鏈重點項目，項目總投資6億元。將新建年產(chǎn)50000片碳化硅襯底生產(chǎn)線，包括碳化硅粉料、高純半絕緣碳化硅單晶襯底、N型碳化硅碳單晶襯底以及碳化硅莫桑石材料，配套建設(shè)綜合樓及附屬生活區(qū)。

 

中核紀元之光碳化硅材料生產(chǎn)項目經(jīng)理賀亞偉稱，該項目是一個科技含量高、技術(shù)先進、能耗污染小的高科技產(chǎn)業(yè)項目，建成后將成為延安地區(qū)芯片切割、封裝、電子科技發(fā)展的關(guān)鍵性高新技術(shù)企業(yè)，為帶動高科技企業(yè)入駐延安起到引領(lǐng)示范作用。產(chǎn)品主要用于第三代半導體芯片襯底，在軍工、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域具有廣闊的市場前景。

 

 

浙江省委、省政府舉行2023年“千項萬億”重大項目集中開工儀式，位于衢州的衢州先導集成電路關(guān)鍵材料與高端化合物半導體及器件模組項目參加此次省集中開工。

 

據(jù)消息，項目位于衢州智造新城高新片區(qū)及智造新城東港片區(qū)，總用地面積約1038畝。一期總投資約90億元，建設(shè)用地約838畝；二期投資約20億元，建設(shè)用地約200畝。新建特氣車間、甲類倉庫、原輔料倉庫、研發(fā)樓等，引進國內(nèi)外先進設(shè)備。

 

建設(shè)工期2023-2026年，建成后形成年產(chǎn)MO源2200余噸、電子特氣150噸、光通器件41.5萬片、接入網(wǎng)器件7200萬個、光纖陀螺9.6萬套、數(shù)據(jù)中心480萬套、砷化鎵襯底300萬片、磷化銦襯底30萬片、氮化襯底及其外延片、芯片項目6萬片生產(chǎn)能力，預(yù)計年新增產(chǎn)值約240億元。

 

 

瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司（以下簡稱“瀚天天成”）宣布完成了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的8英寸碳化硅外延工藝的技術(shù)開發(fā)，瀚天天成正式具備了國產(chǎn)8英寸碳化硅外延晶片量產(chǎn)能力。

 

據(jù)悉，瀚天天成上周完成了多項長期合約（LTA）的簽訂，包括價值超過1.92億美元的8英寸長約。公司所生產(chǎn)的8英寸碳化硅外延晶片的質(zhì)量達到國際先進水平，即厚度不均勻性小于3%，濃度不均勻性小于6%，2mm*2mm管芯良率達到98%以上。該技術(shù)突破標志著我國已經(jīng)掌握商業(yè)化的8英寸碳化硅外延生長技術(shù)，進一步推進了碳化硅外延材料的國產(chǎn)化進程，極大地提升了我國在碳化硅外延領(lǐng)域的國際地位。

 

據(jù)瀚天天成公司董事長趙建輝博士介紹，在半導體領(lǐng)域，增大晶片尺寸是提高半導體產(chǎn)品競爭力的最佳途徑。以2mm*2mm尺寸的管芯為例，通過完全同樣的工序，一片8英寸碳化硅外延晶片的芯片（器件）產(chǎn)出量是6英寸晶片產(chǎn)出量的1.8倍，是4英寸晶片產(chǎn)出量的4.3倍。由此可見，8英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)品的推出將能夠有效降低器件生產(chǎn)的成本，對推動碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有深遠的意義。

 

公開資料顯示，瀚天天成成立于2011年3月，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售碳化硅外延晶片的中美合資高新技術(shù)企業(yè)，已形成3英寸、4英寸以及6英寸的完整碳化硅半導體外延晶片生產(chǎn)線，并滿足600V、1200V、1700V器件制作的需求。

 

 

在紹興市舉行的197個重點項目開竣工活動中，紹興560億濱海新區(qū)電子信息基地項目正式上馬。

 

消息顯示，該項目規(guī)劃未來5至10年內(nèi)預(yù)計完成投資560億元。項目分階段建設(shè)，先期計劃投資180億元，形成12英寸晶圓9萬片/月的產(chǎn)能規(guī)模，預(yù)計達產(chǎn)后年產(chǎn)值90億元以上。

 

項目整體實施后，將與已有的集成電路晶圓制造項目構(gòu)建集8英寸和12英寸整合全流程的芯片和模組代工服務(wù)平臺，形成“千畝千億”產(chǎn)業(yè)規(guī)模，打造世界級模擬類芯片技術(shù)研發(fā)和大規(guī)模生產(chǎn)基地，為我國集成電路產(chǎn)業(yè)制造端實現(xiàn)自主可控和關(guān)鍵戰(zhàn)略性產(chǎn)品供應(yīng)鏈安全提供有力保障。

 

 

易卜半導體首條先進封裝生產(chǎn)線如期正式通線。此次通線意味著，易卜半導體具備了先進封裝的量產(chǎn)能力，并為公司的Chiplet等一系列先進封裝自主專利技術(shù)提供了樣品開發(fā)和量產(chǎn)驗證能力。易卜半導體表示，公司將持續(xù)加大設(shè)計和研發(fā)投入，加快客戶導入和量產(chǎn)爬坡。

 

資料顯示，易卜半導體成立于2020年，是一家專注于半導體先進封裝設(shè)計、材料、工藝和制造的高新企業(yè)。公司具有自主研發(fā)的晶圓級扇出型封裝、chiplet和3D芯片等先進封裝的技術(shù)，擁有獨立知識產(chǎn)權(quán)，到目前為止已申請國內(nèi)外發(fā)明專利90項，其中17項已經(jīng)授權(quán)，已初步形成在先進封裝上知識產(chǎn)權(quán)的戰(zhàn)略布局。

 

目前，易卜半導體已經(jīng)在上海寶山建成研發(fā)和生產(chǎn)基地，相關(guān)設(shè)備陸續(xù)進入安裝調(diào)試。據(jù)悉，易卜年產(chǎn)72萬片12吋先進封裝產(chǎn)線項目一期建成約10000平方米的潔凈廠房和研發(fā)實驗大樓，裝備全自動12英寸先進封裝生產(chǎn)和研發(fā)設(shè)備。計劃于2025年形成年產(chǎn)72萬片12英寸先進封裝的生產(chǎn)能力，成功實現(xiàn)多項自主研發(fā)的先進封裝產(chǎn)品的規(guī)模量產(chǎn)。據(jù)悉該公司與中科院微系統(tǒng)所建立戰(zhàn)略合作關(guān)系，在廠內(nèi)同時建設(shè)硅光先進封裝研發(fā)線，產(chǎn)研協(xié)同，形成從研發(fā)到量產(chǎn)的先進封裝技術(shù)通路。

 

 

浙江省“千項萬億”重大項目集中開工儀式舉行。位于金華市武義縣的浙江潤優(yōu)新材料科技有限公司年產(chǎn)4萬噸高純石英制品及半導體硅基新材料項目參與了此次集中開工活動。

 

據(jù)悉，浙江潤優(yōu)新材料年產(chǎn)4萬噸高純石英制品及半導體硅基新材料項目總投資42億元，

 

總用地294畝，總建筑面積31.6萬平方米，購置等離子打砣機、焊接機、坩堝熔制爐等先進設(shè)備，采用先進生產(chǎn)工藝生產(chǎn)高純石英制品及半導體硅基新材料。

 

資料顯示，該項目建設(shè)單位為浙江潤優(yōu)新材料科技有限公司，建設(shè)工期為2023-2026年，2023年計劃投資4億元。項目建成后將形成年產(chǎn)4萬噸高純石英制品及半導體硅基新材料生產(chǎn)能力。

 

 

在廣東-新加坡合作理事會第十三次會議上，西安電子科技大學廣州研究院與新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd（以下簡稱“ICCT”）合作共建的“氮化鎵器件和集成電路先進封裝技術(shù)研究中心”項目成功簽約。

 

據(jù)悉，該項目由廣州第三代半導體創(chuàng)新中心團隊與新加坡ICCT展開合作，圍繞第三代半導體射頻器件、電力電子器件等產(chǎn)業(yè)需求，以大幅提升QFN、陶瓷封裝、金屬封裝等封裝技術(shù)研發(fā)能力為目標，聚力開發(fā)滿足產(chǎn)業(yè)前沿需求的先進封裝技術(shù)，推進國內(nèi)領(lǐng)先性能的第三代半導體射頻器件、電力電子器件及其模塊的研制進程，力爭快速實現(xiàn)產(chǎn)品工程化。

 

官方資料顯示，IC Carrier Technologies Pte Ltd （簡稱“ICCT”）由Yew Chee Kiang（楊志強）博士于2013年成立于新加坡，是一家致力于提供半導體封裝材料和封裝技術(shù)服務(wù)的企業(yè)。

 

 

公司擬定增募資不超過1.5億元，用于年產(chǎn)車用及工業(yè)級傳感器600萬只生產(chǎn)研發(fā)項目、微差壓傳感器研發(fā)生產(chǎn)項目。

 

具體來看，敏芯股份年產(chǎn)車用及工業(yè)級傳感器600萬只生產(chǎn)研發(fā)項目總投資1.36億元，擬投入募資5000萬元。該項目將購置先進的軟硬件設(shè)備，建設(shè)現(xiàn)代化、智能化的車用及工業(yè)級傳感器生產(chǎn)線。

 

微差壓傳感器研發(fā)生產(chǎn)項目擬投入募資1億元。該項目將購置先進的軟硬件設(shè)備，開展微差壓傳感器研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工作，充分整合公司多年積累的MEMS（微機電系統(tǒng)）傳感器技術(shù)優(yōu)勢和品牌優(yōu)勢，以微差壓傳感器為技術(shù)核心，持續(xù)開發(fā)面向家用電器、醫(yī)療設(shè)備、汽車系統(tǒng)、儀器儀表、新風系統(tǒng)等應(yīng)用領(lǐng)域的微差壓傳感器產(chǎn)品，助力公司產(chǎn)品在下游應(yīng)用領(lǐng)域的拓展。

 

總投6億，潤邦科技二期半導體光刻膠項目正式奠基

 

據(jù)長風匯信公眾號消息，近日，潤邦半導體材料科技有限公司二期半導體光刻膠項目奠基儀式舉行。

 

據(jù)悉，潤邦一期項目的建設(shè)起步于2020年9月，坐落在張家港保稅區(qū)泛半導體產(chǎn)業(yè)園。經(jīng)過3年的發(fā)展，已成長為具有獨立研發(fā)和生產(chǎn)組織能力的半導體核心材料高科技企業(yè)，與國內(nèi)龍頭企業(yè)形成了廣泛的業(yè)務(wù)合作，并在業(yè)內(nèi)獲得了一定的知名度，目前已實現(xiàn)LOCA、ODF等顯示膠水和半導體光刻產(chǎn)品TARC的量產(chǎn)能力。

 

其二期為半導體光刻膠項目，規(guī)劃總投資6億元，建成后將具備i-line、KrF、ArF光刻膠及包括BARC、TARC、FIRM等輔助材料、部分上游單體的研發(fā)和生產(chǎn)能力。

 

公開資料顯示，潤邦科技致力于顯示模組膠、半導體光刻制程核心材料的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，該公司擁有三大業(yè)務(wù)板塊電子——顯示結(jié)構(gòu)膠、膠帶類膠水、半導體膠水。

 

江城偉業(yè)半導體成套設(shè)備配套總部基地項目簽約

 

據(jù)鄂州政府網(wǎng)消息，近日，江城偉業(yè)半導體成套設(shè)備配套總部基地項目在葛店經(jīng)開區(qū)正式簽約。

 

消息顯示，該項目總投資為5億元，注冊資本500萬元，建設(shè)周期為1年。項目主要建成集生產(chǎn)、研發(fā)半導體生產(chǎn)線通風相關(guān)成套設(shè)備的總部基地，建設(shè)綜合辦公樓、研發(fā)中心、十條生產(chǎn)車間以及倉庫。項目建成達產(chǎn)后，可實現(xiàn)年產(chǎn)值約3億元。

 

西安奕斯偉技術(shù)創(chuàng)新中心項目

 

據(jù)西安高新區(qū)官微消息，日前，西安奕斯偉技術(shù)創(chuàng)新中心暨西安高新區(qū)重點項目集中竣工投產(chǎn)儀式舉辦，總投資約633億元的69個項目順利竣工投產(chǎn)，涵蓋集成電路、新能源汽車、電子信息、精密制造等領(lǐng)域，并呈現(xiàn)出突出產(chǎn)業(yè)賦能、突出服務(wù)提升、突出民生保障三大特點。其中，西安奕斯偉技術(shù)創(chuàng)新中心項目和先導院南區(qū)項目值得關(guān)注。

 

西安奕斯偉技術(shù)創(chuàng)新中心項目是奕斯偉集團集成電路芯片與方案業(yè)務(wù)在西北地區(qū)研發(fā)、生產(chǎn)和創(chuàng)新應(yīng)用的總部基地，功能涵蓋芯片產(chǎn)品研發(fā)與測試中心、軟件開發(fā)與測試中心、工藝開發(fā)與測試中心、應(yīng)用創(chuàng)新中心、若干專業(yè)實驗室和數(shù)據(jù)中心等，主要產(chǎn)品包括RISC-V CPU IP、智慧連接芯片、多媒體SoC芯片等。

 

先導院南區(qū)項目是西安高新區(qū)與中科院西安光機所院地深度融合發(fā)展重要項目，總投資5億元，以先進激光與光子制造、光子材料與芯片、光子傳感為重點產(chǎn)業(yè)方向，形成“硬科技”產(chǎn)業(yè)集群和創(chuàng)業(yè)生態(tài)，打造光電子產(chǎn)業(yè)核心引擎和光電子產(chǎn)業(yè)高能級創(chuàng)新驅(qū)動平臺。被評為省級創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展工程、市級秦創(chuàng)原立體聯(lián)動孵化器示范平臺和“科創(chuàng)高新”重點項目。

 

凱普林建高功率激光器智能制造基地

 

近期，北京凱普林光電科技股份有限公司（以下簡稱“凱普林”）與天津港保稅區(qū)簽署協(xié)議，增加投資約2.5億元，建設(shè)高功率激光器智能制造基地項目。

 

天津港保稅區(qū)天津空港經(jīng)濟區(qū)消息顯示，該項目將引入高精度自動芯片封裝設(shè)備、全自動耦合等先進自動化設(shè)備，建設(shè)自動化、智能化產(chǎn)線，利用信息化技術(shù)全面提升光纖及半導體激光器產(chǎn)品、組件的智能制造能力，預(yù)計達產(chǎn)后年產(chǎn)能可達7萬臺。目前該項目處于開工籌備階段，預(yù)計2024年投產(chǎn)。