半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：晶盛機(jī)電近期在機(jī)構(gòu)調(diào)研中指出，公司成功研發(fā)出具有國(guó)際先進(jìn)水平的 8 英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備，引領(lǐng)國(guó)內(nèi)碳化硅行業(yè)技術(shù)升級(jí)。

晶盛機(jī)電表示，目前公司在 8 英寸襯底基礎(chǔ)上，已實(shí)現(xiàn) 8 英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備的自主研發(fā)與調(diào)試，外延的厚度均勻性 1.5%以內(nèi)、摻雜均勻性 4%以內(nèi)，已達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平,這是公司在第三代半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的又一次重要技術(shù)突破。