碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性，使得碳化硅功率模塊在高功率和高溫應(yīng)用中具有出色的性能。同時(shí)得益于碳化硅半導(dǎo)體材料高溫性能、高功率密度、高頻特性、低開關(guān)損耗、小尺寸和輕量化等性能和優(yōu)勢。碳化硅功率模塊逐漸成為儲(chǔ)能系統(tǒng)中的一種重要解決方案。碳化硅功率模塊在功率密度提升、散熱優(yōu)化、集成設(shè)計(jì)等方面不斷提升。

2023年7月26日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安開幕。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.jycsgw.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會(huì)、全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織籌辦。

開幕大會(huì)上，蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司應(yīng)用總監(jiān)牛坤宏做了題為“碳化硅功率模塊設(shè)計(jì)及其在儲(chǔ)能應(yīng)用中的機(jī)會(huì)及挑戰(zhàn)”的主題報(bào)告。當(dāng)前，SiC器件各領(lǐng)域加速替代Si基器件，儲(chǔ)能是新型電力系統(tǒng)的重要組成和關(guān)鍵支撐。報(bào)告詳細(xì)分享了當(dāng)前PCS的技術(shù)發(fā)展，認(rèn)為SiC混合ANPC是兼具性能和成本優(yōu)勢的最佳選擇。報(bào)告分享了低寄生參數(shù)的模塊設(shè)計(jì)，高性能、高功率密度的模塊封裝技術(shù)，并指出SiCMOS+IGBT混合方案，大功率PCS的最佳選擇。

CASICON 系列活動(dòng)簡介

 “先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會(huì)（CASICON）” 由【極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動(dòng)?；顒?dòng)聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點(diǎn)，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，通過“主題會(huì)議+項(xiàng)目路演+展覽”的形式，促進(jìn)參與各方交流合作，積極推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動(dòng)將以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動(dòng)內(nèi)容，搭建更好的交流平臺(tái)，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)應(yīng)盡的力量。