寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢(shì)。近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”將于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.jycsgw.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會(huì)、全國(guó)半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

期間，“平行論壇1：功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用”上，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員黃森帶來(lái)《Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成》的主題報(bào)告，分享最新技術(shù)研究進(jìn)展與成果。

報(bào)告中介紹，美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究計(jì)劃局（DARPA）將GaN列為改變世界的13大技術(shù)之一。國(guó)家十四五規(guī)劃“集成電路”專欄明確要求發(fā)展碳化硅，氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體。發(fā)展GaN等功率半導(dǎo)體對(duì)推進(jìn) “碳達(dá)峰&碳中和”戰(zhàn)略提供重要技術(shù)支撐。

報(bào)告中指出，高頻低壓最能體 現(xiàn) GaN 的高效優(yōu)勢(shì)！低壓是GaN基異質(zhì)結(jié)功率器件的未來(lái)優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域，大尺寸Si基AlGaN/GaN增強(qiáng)型MIS-HEMT是GaN低壓功率芯片的發(fā)展趨勢(shì)。超薄勢(shì)壘Si基GaN技術(shù)是實(shí)現(xiàn)GaN基功率集成的良好平臺(tái)。

研究基于超薄勢(shì)壘AlGaN(<6nm)/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了無(wú)需刻蝕AlGaN的本征增強(qiáng)型MIS-HEMT，器件具有高閾值(~2.7 V)、良好的閾值均勻性以及較低的關(guān)態(tài)漏電，突破了P-GaN增強(qiáng)型HEMT的閾值瓶頸。

基于超薄勢(shì)壘AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了E/D模n溝道MIS-HEMT，低開啟電壓功率二極管，以及高擊穿電壓p/n溝道增強(qiáng)型MOSFET，為全GaN功率和射頻器件、數(shù)字/驅(qū)動(dòng)電路的單片集成奠定了基礎(chǔ)；Si基超薄勢(shì)壘MIS-HEMT技術(shù)路線是未來(lái)GaN智能功率超越摩爾發(fā)展的良好選擇。

CASICON 系列活動(dòng)簡(jiǎn)介

 “先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會(huì)（CASICON）” 由【極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國(guó)巡回舉辦的行業(yè)綜合活動(dòng)?；顒?dòng)聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點(diǎn)，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，通過(guò)“主題會(huì)議+項(xiàng)目路演+展覽”的形式，促進(jìn)參與各方交流合作，積極推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動(dòng)將以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，聯(lián)合實(shí)力資源，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動(dòng)內(nèi)容，搭建更好的交流平臺(tái)，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)應(yīng)盡的力量。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考！）