8月8日,鍇威特科創(chuàng)板募資申購開啟。招股書顯示,鍇威特此次IPO擬募資約5.3億元,投建智能功率半導體研發(fā)升級項目、SiC功率器件研發(fā)升級項目、功率半導體研發(fā)工程中心升級項目,以及用于補充營運資金。
圖源:蘇州鍇威特半導體股份有限公司招股書
其中,智能功率半導體研發(fā)升級項目主要涉及公司的主營產(chǎn)品功率器件、功率IC、IPM、光繼電器(PhotoMOS)等系列產(chǎn)品的技術(shù)升級、工藝制程優(yōu)化及部分新品類的研發(fā)及規(guī)?;慨a(chǎn)。其中,功率器件主要包括高可靠性高壓平面MOSFET(包括FRMOS)、第三代超結(jié)MOSFET(SJMOS-FD)、40V-200V屏蔽柵MOSFET產(chǎn)品;功率IC包括高壓高速柵極驅(qū)動IC、高功率密度電源管理IC產(chǎn)品。
該項目實施旨在繼續(xù)加強公司在功率半導體產(chǎn)品的技術(shù)積淀,保持在功率器件、功率IC、IPM、光繼電器(PhotoMOS)產(chǎn)品的領先優(yōu)勢,挖掘高性能智能功率半導體的發(fā)展?jié)摿?,打造全系列產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新平臺,致力于成為市場一流的高性能、智能化功率半導體供應商。
SiC功率器件研發(fā)升級項目主要涉及650V-1700V SiC MOSFET、650V 1700V SiC SBD工藝優(yōu)化、器件升級及SiC功率模塊的規(guī)?;慨a(chǎn)。在SiC功率器件方面,一是SiC MOSFET、SiC SBD由4寸晶圓升級到6寸晶圓的研制;二是在SiC MOSFET基礎上開發(fā)集成SBD器件,開發(fā)出650V和1200V的SiC SKMOS。
功率半導體研發(fā)工程中心升級項目將對功率器件和模塊封裝可靠性、SiC高溫封裝、應用、基于SiC MOSFET制作光繼電器(Photo MOS)以及數(shù)字電源進行持續(xù)深入研究。該項目基于鍇威特現(xiàn)有技術(shù)進行了前瞻性布局,有利于提升公司的技術(shù)創(chuàng)新能力,進一步豐富技術(shù)儲備。項目的實施一方面可以推動公司現(xiàn)有產(chǎn)品的優(yōu)化升級,提升公司產(chǎn)品附加值;另一方面可以推動研發(fā)成果的成功轉(zhuǎn)化,有助于豐富公司的產(chǎn)品種類,開拓新的產(chǎn)品應用領域,增強公司的盈利能力。
此外,在器件可靠性考核與測試應用能力方面,隨著可靠性實驗室及測試應用中心的建設,公司通過購置先進的測試設備,有利于完備公司可靠性考核能力,有助于提高產(chǎn)品良率,提升出廠產(chǎn)品的質(zhì)量,更好的滿足和服務于工業(yè)級及高可靠領域客戶對產(chǎn)品品質(zhì)的需求,同時,也使得公司具備完善的測試評價平臺,并能夠有效制作產(chǎn)品應用方案,指導客戶更好的使用公司產(chǎn)品,從而有利于產(chǎn)品的市場推廣。
資料顯示,鍇威特主營業(yè)務為功率半導體的設計、研發(fā)和銷售,并提供相關技術(shù)服務,主要產(chǎn)品包含功率器件及功率IC兩大類。在功率器件方面,鍇威特產(chǎn)品以高壓平面MOSFET為主,并在平面MOSFET工藝平臺基礎上設計研發(fā)了集成快恢復高壓功率MOSFET(FRMOS)系列產(chǎn)品;在功率IC方面,鍇威特產(chǎn)品主要包括PWM控制IC和柵極驅(qū)動IC。此外,在第三代半導體方面,鍇威特的SiC功率器件已順利實現(xiàn)產(chǎn)品布局并進入產(chǎn)業(yè)化階段。
鍇威特表示,未來,公司將繼續(xù)專注于功率半導體的設計、研發(fā)與銷售,堅持“自主創(chuàng)芯,助力核心芯片國產(chǎn)化”的發(fā)展定位,聚焦消費電子、工業(yè)控制和高可靠領域,在新能源汽車、光伏能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等領域展開布局;在目前掌握的核心技術(shù)基礎上,展開產(chǎn)品系列化及下游市場的進一步拓展、延伸。