近日，瑤光半導(dǎo)體1期工廠投入運營，規(guī)劃2條萬級潔凈裝配線，目前主要用于碳化硅(SiC）激光退火設(shè)備的研發(fā)生產(chǎn)以及SIC外延設(shè)備( MOCVD)的裝配調(diào)試。

同時，莫干山研究院與瑤光半導(dǎo)體成立聯(lián)合實驗室，該實驗室將承接產(chǎn)學(xué)研孵化項目，共同深入開展相關(guān)課題研究。

國內(nèi)率先量產(chǎn)SiC激光退火設(shè)備

瑤光半導(dǎo)體自主研發(fā)的SiC激光退火設(shè)備(ES500)已經(jīng)率先實現(xiàn)量產(chǎn)，并將于9月完成首批交付。

與同類產(chǎn)品相比，ES500采用多項自主專利技術(shù)。憑借更高的生產(chǎn)效率、更高的安全可靠性、逐行及局部退火雙模式以及全自動生產(chǎn)等多種核心技術(shù)優(yōu)勢，在增效降本方面體現(xiàn)行業(yè)競爭力。

專注第三代寬禁帶半導(dǎo)體制程設(shè)備研發(fā)及制造

瑤光半導(dǎo)體在研設(shè)備“星型SiC MOCVD”（ES600)，將持續(xù)加大自主研發(fā)力度，進一步提供核心部件國產(chǎn)化解決方案。據(jù)了解，ES600計劃于今年四季度完成研發(fā)，這將有望填補國內(nèi)該市場領(lǐng)域的空白。

根據(jù)YOLE數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2027年全球?qū)щ娦吞蓟韫β势骷袌鲆?guī)模將由2021年的10.90億美元增至62.97億美元，2021-2027年每年以34%年均復(fù)合增長率快速增長。

作為國內(nèi)極少數(shù)正向研發(fā)并已實現(xiàn)規(guī)模化、產(chǎn)業(yè)化制造銷售第三代寬禁帶半導(dǎo)體制程設(shè)備的公司，瑤光半導(dǎo)體將繼續(xù)以領(lǐng)先的技術(shù)創(chuàng)新優(yōu)勢，進一步推進半導(dǎo)體制程設(shè)備的研發(fā)生產(chǎn)工作，與芯片研發(fā)制造企業(yè)共贏。