光子信息技術(shù)作為21世紀的戰(zhàn)略性先導技術(shù)，是人工智能、5G、物聯(lián)網(wǎng)等眾多新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的基礎(chǔ)設(shè)施，也是我國在第四次科技革命中實現(xiàn)“換道超車”的重大機遇。記者從近日舉行的中關(guān)村光電子集成產(chǎn)業(yè)發(fā)展研討會上獲悉，我國光電子領(lǐng)域發(fā)展迅猛，國內(nèi)光電子芯片企業(yè)在部分細分領(lǐng)域已實現(xiàn)國際領(lǐng)跑。

濟南晶正電子科技有限公司總經(jīng)理胡文透露，作為全球薄膜鈮酸鋰行業(yè)的領(lǐng)跑者，公司在光學晶體和半導體領(lǐng)域有著豐富的經(jīng)驗，已在國際上率先開發(fā)出并產(chǎn)業(yè)化300至900納米厚度鈮酸鋰單晶薄膜材料產(chǎn)品，市場占有率國際領(lǐng)先。他稱，多功能、可集成化、低功耗的光子芯片關(guān)鍵基礎(chǔ)材料是光子集成的基礎(chǔ)，作為光子芯片領(lǐng)域的“光學硅”，薄膜鈮酸鋰具有頻帶寬、穩(wěn)定性好、傳輸損耗小等突出優(yōu)點，正是攻克低損耗、高品質(zhì)、高集成度光學芯片的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，將在通信、數(shù)據(jù)中心、傳感、量子信息等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

中科鑫通微電子技術(shù)（北京）有限公司總裁隋軍介紹，作為國內(nèi)在“多材料，跨尺寸”光子芯片工藝技術(shù)具有領(lǐng)先優(yōu)勢的創(chuàng)新型科技企業(yè)，公司擁有獨立自主研發(fā)的晶圓級薄膜鈮酸鋰和氮化硅代工工藝和標準器件庫，已成功自主研發(fā)4英寸薄膜鈮酸鋰光子晶圓和8英寸氮化硅光子晶圓。公司目前擁有自主研發(fā)的多材料光子晶圓制造工藝和標準器件庫，能夠為我國光子領(lǐng)域的各類企業(yè)機構(gòu)提供薄膜鈮酸鋰、氮化硅等多材料光子晶圓的代工服務(wù)。

隋軍稱，公司將以光子晶圓代工服務(wù)為核心積極聯(lián)合濟南晶正、北方華創(chuàng)、中興光電等材料、裝備、應(yīng)用領(lǐng)域的核心龍頭企業(yè)，共同為我國光電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻力量。

北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司第一刻蝕事業(yè)部副總經(jīng)理謝秋實說，北方華創(chuàng)作為國內(nèi)半導體設(shè)備領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，正攻堅克難、逐漸打破國外壟斷并形成國產(chǎn)工藝設(shè)備的替代能力，為實現(xiàn)我國光電子產(chǎn)業(yè)設(shè)備的自主可控打下堅實基礎(chǔ)。

國家信息光電子創(chuàng)新中心總經(jīng)理肖希提出，有三方面痛點制約我國光電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展：由于光電子芯片行業(yè)核心器件、實現(xiàn)材料較為多元化，導致光芯片缺乏如同微電子芯片領(lǐng)域“摩爾定律”一般的普適性理論定律；高端光電子特種設(shè)備等依賴進口、自主程度低；應(yīng)用分散、缺乏“殺手級”應(yīng)用。

中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院副院長喬標認為，我國光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，技術(shù)創(chuàng)新、應(yīng)用滲透速度和非?？?。不過面對當前國際形勢及信息化需求暴增的多重挑戰(zhàn)，國內(nèi)光電子產(chǎn)業(yè)仍任務(wù)艱巨，需要在技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)應(yīng)用和生態(tài)價值鏈等多個層面實現(xiàn)突破。

據(jù)悉，中關(guān)村光電子集成產(chǎn)業(yè)發(fā)展研討會由中關(guān)村科技企業(yè)家協(xié)會主辦，北京中關(guān)村信息谷資產(chǎn)管理有限責任公司、中科鑫通微電子技術(shù)（北京）有限公司、北京市順義區(qū)南彩鎮(zhèn)人民政府共同承辦。

來源：北京日報