據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)，日本最大的半導(dǎo)體晶圓企業(yè)信越化學(xué)工業(yè)和從事ATM及通信設(shè)備的OKI公司日前宣布，其開發(fā)出了以低成本制造使用氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體材料的技術(shù)。新技術(shù)可以在特有的QST基板上噴鎵系氣體，使晶體生長。信越化學(xué)工業(yè)的增厚晶體技術(shù)與OKI的接合技術(shù)相結(jié)合，從基板上只揭下晶體，晶體放在其他基板上作為功率半導(dǎo)體的晶圓使用。新制法可以高效制造晶體，可以降低9成成本。信越化學(xué)工業(yè)透露，這一技術(shù)可以制造6英寸晶圓，希望在2025年增大到8英寸，今后還考慮向半導(dǎo)體廠商銷售技術(shù)等業(yè)務(wù)模式。

氮化鎵是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料之一，可滿足各種應(yīng)用場景對(duì)高效率、低能耗、高性價(jià)比的要求。憑借其強(qiáng)大的高頻低耗優(yōu)勢，GaN器件已在太陽能逆變器、風(fēng)力發(fā)電、新能源汽車等領(lǐng)域陸續(xù)“上車”。隨著最新技術(shù)驅(qū)動(dòng)成本的快速下行，氮化鎵滲透率及市場規(guī)模望加速成長。Yole預(yù)測，2020年全球氮化鎵功率器件市場規(guī)模約為4600萬美元，預(yù)計(jì)2026年可達(dá)11億美元，2020-2026年年均復(fù)合增長率有望達(dá)到70%。

浙商證券研報(bào)此前指出，全球氮化鎵主要?jiǎng)?chuàng)新主體的龍頭集中于日本、美國。氮化鎵產(chǎn)業(yè)國外重點(diǎn)企業(yè)包括日 本住友、美國 Cree、德國英飛凌、韓國 LG、三星等，中國企業(yè)代表有，晶元光電、三安 光電、臺(tái)積電、華燦光電等，目前中國企業(yè)和國外企業(yè)相比，技術(shù)儲(chǔ)備、生產(chǎn)能力等方面仍有巨大差距。

華金證券此前指出，國內(nèi)企業(yè)方面，三安光電、華潤微、英諾賽科、賽微電子、珠海鎵未來等廠商等加速布局氮化鎵并推進(jìn)產(chǎn)品落地和商用。