隨著高性能、高功率、高頻率等需求的不斷擴展以及技術的不斷提升，超寬禁帶半導體呈現(xiàn)出越來越明顯的應用優(yōu)勢，在多個領域都具有廣泛的應用前景。隨著4G和5G移動通信、雷達探測、軌道交通、光伏發(fā)電、半導體照明、高壓輸變電等應用領域的不斷發(fā)展，寬禁帶和超寬禁帶半導體器件已成為國際半導體器件和材料的研究和產(chǎn)業(yè)化熱點，并不斷的有新的突破提升。

第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門市工業(yè)和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區(qū)管委會、惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。本屆論壇除了重量級開、閉幕大會，設有七大主題技術分會，以及多場產(chǎn)業(yè)峰會，將匯聚全球頂級精英，全面聚焦半導體照明及第三代半導體熱門領域技術前沿及應用進展。

目前，作為IFWS的重要分會之一的“超寬禁帶半導體技術分會“日程出爐，本屆分會得到了三安光電股份有限公司的協(xié)辦支持，江蘇省光電信息功能材料重點實驗室南京大學的學術支持。分會上，來自沙特阿卜杜拉國王科技大學、中山大學、電子科技大學、香港大學、大阪公立大學、西安交通大學、山東大學、中國電子科技集團第四十六研究所、吉林大學、瑞典林雪平大學、北京郵電大學、廈門大學、桂林電子科技大學電氣工程學院、武漢大學、南京大學、鄭州大學、西安交通大學、復旦大學、西安電子科技大學等國內外實力派代表性科研力量將齊聚，共同探討超寬禁帶半導體技術的前沿發(fā)展趨勢及最新動向。

分會日程詳情如下

技術分論壇: 超寬禁帶半導體技術 Technical Sub-Forum: Technologies for Ultra-wide Bandgap Semiconductors
時間：2023年11月29日08:30-18:30 地點：廈門國際會議中心酒店 • 1B會議室 Time: Nov 29, 08:30-18:30 Location: Xiamen International Conference Center • 1B Meeting Room
協(xié)辦支持/Co-organizer: 三光光電股份有限公司       San’an Co.,ltd 學術協(xié)辦/Academic Co-organizer 南京大學--江蘇省光電信息功能材料重點實驗室 Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electrionic Materials Seciences and Technology
屏幕尺寸 / Slides Size：16:9
主持人 Moderator	龍世兵 / LONG Shibing 中國科學技術大學微電子學院執(zhí)行院長、教授 Executive Dean & Professor of School of Microelectronics at University of Science and Technology of China 王宏興/WANG Hongxing 西安交通大學教授 Professor of Xi'an Jiaotong University 葉建東 / YE Jiandong 南京大學教授 Professor of Nanjing University
08:25-08:30	嘉賓致辭 / Opening Address
08:30-08:50	氧化鎵異質集成功率電子與射頻器件研究 Heterointegration of Ga2O3 enhancing power electronic and RF devices 葉建東--南京大學教授 YE Jiandong--Professor of Nanjing University
08:50-09:10	基于GaN、AlN、Ga2O3的高集成寬帶隙半導體系統(tǒng) Towards highly integrated wide bandgap semiconductor systems based on GaN, AlN, Ga2O3 李曉航--沙特阿卜杜拉國王科技大學副教授 LI Xiaohang--Associate professor and Principal Investigator，King Abdullah University of Science and Technology (KAUST)
09:10-09:30	氧化鎵異質外延生長技術研究及其應用 Research and Application of Gallium Oxide Heteroepitaxial Growth Technology 王鋼--中山大學教授 WANG Gang--Professor of Sun Yat-sen University
09:30-09:45	高電流密度高擊穿電壓增強型柵控異質結垂直β-Ga2O3 MOSFET High Current Density and High Breakdown Voltage Enhancement-Mode Gate-controlled Heterojunction Vertical β-Ga2O3 MOSFET 蔣卓林--電子科技大學 Jiang Zhuolin--University of Electronic Science and Technology of China
09:50-10:05	基于異質外延E模的β-Ga2O3 NMOS集成電路MOSFET Monolithically integrated β-Ga2O3 NMOS IC based on heteroepitaxial E-mode MOSFETs Vishal Khandelwal--沙特國王科技大學 Vishal Khandelwal--King Abdullah University of Science and Technology,
10:10-10:25	茶歇 / Coffee Break
10:25-10:45	應變金剛石在半導體和光電子領域的應用 Strained diamond for semiconductor and optoelectronics applications 陸洋--香港大學教授 LU Yang--Professor of Hongkong University
10:45-11:05	用于實際器件應用的GaN/3C-SiC/金剛石結的增強熱性能 Enhanced Thermal Performance in GaN/3C-SiC/Diamond Junctions for Practical Device Applications 梁劍波--大阪公立大學副教授 LIANG Jianbo--Associate Professor, Osaka Metropolitan University
11:05-11:20	單晶金剛石高效調控摻雜研究 Research on the high-effectively modulated doping in single crystal diamond 王若錚--西安交通大學副教授 Wang Ruozheng--Associate Professor of Xi'an Jiaotong University
11:20-11:35	氫終端接金剛石MESFET的穩(wěn)定性研究 Research on Stability of H-terminated Diamond MESFET 葛磊--山東大學 GE Lei--Shandong University
11:35-11:50	高導熱GaN/金剛石結構制備及器件性能Fabrication and Device Properties of GaN/Diamond Structure with High Thermal Conductivity 孫杰  中國電子科技集團第四十六研究所工程師 SUN Jie  Senior Engineer, 46th Research Institute of China Electronics Technology Group
11:50-12:05	先進的溝槽結構垂直金剛石二極管實現(xiàn)高性能Advanced vertical diamond diodes with trench structure towards high performances 劉家煒--吉林大學 Jiawei LIU--Jilin University
12:25-13:30	午休 / Adjourn
13:30-13:50	MOVPE growth of gallium oxide for next generation power electronics Daniela GOGOVA--瑞典林雪平大學 Daniela GOGOVA--linkOPING UNIVERSITY, Sweden
13:50-14:10	超寬禁帶半導體氧化鎵外延薄膜沉積技術及研究進展 Research progress and deposition technology of gallium oxide epitaxial thin films 李培剛--北京郵電大學教授 LI Peigang--Professor of Beijing University of Posts and Telecommunications
14:10-14:30	Ga2O3外延薄膜的電子結構及摻雜機理 The Electronic Structure and Doping Mechanism in Ga2O3 Epitaxial Thin Films 張洪良--廈門大學教授 ZHANG Hongliang--Professor of Xiamen University
14:30-14:50	氧化鎵系列薄膜光電器件初探 Gallium oxide based thin films for Optoelectronic application 張法碧-桂林電子科技大學電氣工程學院副院長、教授 LI Haiou--Professor & Deputy Dean of the School of Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Science and Technology
14:50-15:05	高通量界面預測與生成方案——以β-Ga2O3/AlN界面為例 High-Throughput Interface Prediction and Generation Scheme: The Case ofβ-Ga2O3/AlN Interfaces 張召富--武漢大學研究員 ZHANG Zhaofu--Professor of Wuhan University
15:05-15:20	鹵化物氣相外延生長在（0001）藍寶石上的（-310）取向β-Ga2O3：生長和結構表征 (-310)-oriented β-Ga2O3 grown on (0001) sapphire by halide vapor phase epitaxy: growth and structural characterizations 許萬里--南京大學   XU Wanli--Nanjing University
15:10-15:25	茶歇 / Coffee Break
15:25-15:45	氮化硼半導體材料的制備及其在紫外探測方面的應用 Synthesis of Boron Nitride Semiconducting Materials for VUV/UV-C Detection 殷紅--吉林大學教授 YIN Hong--Professor of Jilin University
15:45-16:05	六方氮化硼MOCVD生長機制研究綜述   A Review on Growth Mechanisms of Hexagonal Boron Nitride by MOCVD 劉玉懷--鄭州大學教授 LIU Yuhuai--Zhengzhou University
16:05-16:25	hBN的LPCVD薄膜生長及異質結制備 The film growth and heterojunction fabrication of hBN via LPCVD 李強--西安交通大學副教授 Li Qiang--Associate Professor of Xi'an Jiaotong University
16:25-16:40	Ga2O3/4H-SiC異質結的真空退火工藝研究 Study of vacuum annealing process of Ga2O3/4H-SiC heterojunction 沈毅--復旦大學 SHEN Yi--Fudan University
16:40-16:55	碳基有源無源器件研究 Recent Development of Carbon-based Active and Passive Electronic Devices 馮欣--西安電子科技大學華山準聘副教授 FENG Xin— Huashan Associate Professor of Xidian University
16:55-17:10	不同終端（h-、O-、F-、OH-）調制的h-BN/金剛石（111）的界面電子性質和能帶排列 Interfacial electronic properties and band alignment of h-BN/diamond (111) modulated by different terminals (H-, O-, F-, OH-) 屈藝譜--鄭州大學 QU Yipu--Zhengzhou University
17:10-17:25	脈沖激光沉積法優(yōu)化金剛石復合材料異質外延氧化鎵薄膜Optimization of Heteroepitaxial Gallium Oxide Thin Films on Diamond Composite Substrates using Pulsed Laser Deposition Method 顧林 --復旦大學 GU Lin -Fudan university
17:25-17:40	低功率β-Ga2O3單片逆變器 Low power β-Ga2O3 monolithic inverters Dhanu CHETTRI--沙特國王科技大學 Dhanu CHETTRIKing -Abdullah University of Science and Technology (KAUST)
17:40-17:55	氧化鎵缺陷的研究、合金工程的電子結構調制和太陽能光電探測器的發(fā)展 Study of Gallium oxide defects, electronic structure modulation of alloying engineering, and development of solar-blind photodetectors 徐祥宇--廈門大學 XU Xiangyu--Xiamen University

 

（備注：本場會議日程仍在調整中，僅供參考，最終以現(xiàn)場為準?。?/span>  

部分嘉賓

龍世兵

中國科學技術大學微電子學院執(zhí)行院長、教授

龍世兵，中國科學技術大學微電子學院執(zhí)行院長、教授。長期從事微納加工、阻變存儲器、超寬禁帶半導體器件領域的研究。IEEE EDL/TED、Adv. Mater.等多種國際著名學術期刊的審稿人。在IEEE EDL、Adv. Mater.、Nat. Commun.等國際學術期刊上發(fā)表論文100余篇，SCI他引5500余次，H因子43，6篇論文入選ESI高引論文。申請專利100余項，其中9項轉移給國內最大的集成電路制造企業(yè)中芯國際，74項授權/受理發(fā)明專利許可給武漢新芯。主持國家自然科學基金、科技部（863、973、重大專項、重點研發(fā)計劃）、中科院、廣東省等資助科研項目20多項。參與獲得國家技術發(fā)明獎二等獎、國家自然科學二等獎、中國科學院杰出科技成就獎。

王宏興

西安交通大學教授

王宏興，西安交通大學教授。2001年至2013年，在日本先后任研究員、高級研究員、工藝開發(fā)負責人、執(zhí)行董事、首席顧問、研發(fā)團隊負責人等職務。在日本期間先后參加和主持了日本通產(chǎn)省，日本學術振興機構以及日本有關大型公司的重大科研項目和產(chǎn)學研結合項目。2013年全職回國后，承擔和主持包括國家基金委重大儀器專項、科技部“863計劃”、“十三五”重點研發(fā)、國家自然科學基金、陜西省統(tǒng)籌等項目，相關研究已初步實現(xiàn)小規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。王宏興教授在III-V族半導體薄膜外延生長及發(fā)光器件，大面積金剛石襯底及高質量金剛石薄膜外延生長，碳納米場致發(fā)射陰極、場致發(fā)射光源及其他場致發(fā)射電子器件，MOCVD設計開發(fā)、特殊直流CVD設計開發(fā)、微波等離子體CVD的設計開發(fā)等領域做出了許多創(chuàng)新性工作。

葉建東

南京大學教授

葉建東，南京大學教授。曾先后就職于新加坡微電子研究所和澳大利亞國立大學。長期從事寬禁帶氧化物半導體材料、物理與器件研究，主持和完成國家重點研發(fā)計劃課題、國家優(yōu)秀青年基金、江蘇省杰出青年基金、江蘇省重點研發(fā)計劃等。在IEEE Power Electron. Dev., IEEE Electron Dev. Lett., IEEE Trans. Electron Dev., Appl. Phys. Lett等學術期刊上發(fā)表130余篇，專著1章，申請/授權發(fā)明專利15/7項。

李曉航

沙特阿卜杜拉國王科技大學副教授

李曉航，沙特阿卜杜拉國王科技大學副教授。致力于第三代半導體超寬禁帶材料、器件、物理、設備的研究，這些領域預期會在未來對光電電子通信生化和生命科學等領域帶來革命性的影響。李曉航教授是半導體深紫外激光研究的先驅者之一：首次實現(xiàn)在藍寶石上低閾值深紫外激光和260nm以下深紫外激光，首次實現(xiàn)在同一襯底上半導體TE和TM深紫外激光，首次實現(xiàn)半導體深紫外表面受激輻射。他也在BAlN和Ga2O3等新型第三代半導體研究做出了開創(chuàng)性的成果。他基于物理研究成果創(chuàng)立的Polarization Toolbox軟件已被來自世界各70多個大學公司和科研院所所使用，包括UCSB、Cornell、ASML、IMEC、RIKEN、Facebook等。李曉航教授獲得過美國晶體生長協(xié)會Harold M. Manasevit Young Investigator Award（全球每兩年一名，系第一位中國人獲該獎），SPIE研究生年度最高獎（全球每年一名，系第一位中國人獲該獎），和IEEE Photonics Society研究生年度最高獎（全球每年十名），佐治亞理工學院和愛迪生創(chuàng)新基金會博士生最高獎（每年一名）。

張洪良

廈門大學教授

張洪良，廈門大學教授。2012年獲得牛津大學無機化學博士學位，2008年新加坡國立大學碩士學位，2003年山東大學本科。2012-2017年先后在美國西北太平洋國家實驗室和劍橋大學從事博士后工作。研究方向為（1）寬禁帶氧化物半導體薄膜外延、能帶調控及光電探測器件；（2）過渡金屬氧化物薄膜電子結構與光、電、磁、催化性能構效關系研究。迄今在Phys. Rev. Lett., Nat. Commun., Adv. Mater.，J. Am. Chem. Soc., Phys. Rev. B.,等發(fā)表論文150余篇，申請專利11項。主持國家重點研發(fā)計劃課題、國家自然科學基金委基金、企業(yè)合作研發(fā)等項目8項。曾獲國家高層次“青年”人才、劍橋大學Herchel Smith Research Fellowship、臺灣積體電路制造公司（TMSC）最佳國際研究生科研獎。

王鋼

中山大學教授

王鋼，中山大學教授，半導體照明材料與器件國家地方聯(lián)合工程實驗室主任，中山大學佛山研究院院長，教育部2007 年度新世紀優(yōu)秀人才支持計劃入選者，科技部“十一五”、“十二五”國家科技重點專項（半導體照明專項）總體專家組專家。主要從事寬禁帶氧化物半導體薄膜材料及器件外延制備技術、電子器件三維異構集成芯片3D打印制造技術、半導體材料高端裝備研發(fā)等方向的研究。

陸洋

香港大學教授

陸洋，香港大學教授、香港青年科學院院士。主要從事微納米力學研究，特別是對于低維材料的力學行為及其尺度效應的探索，促進其在微機械、機電系統(tǒng)、納米技術及先進微納制造等實際應用。

張召富

武漢大學研究員

張召富，武漢大學研究員。2019-2022 年在 Cambridge University 的 John Robertson 教授（英國皇家科學院 / 工程院雙院士）課題組擔任博士后。主要研究方向寬禁帶半導體材料與器件，具有豐富的第一性原理計算模擬和器件設計方面的經(jīng)驗， 已經(jīng)在 APL, TED, ACS AMI, Nat. Comm. 等期刊發(fā)表 SCI 期刊論文 100 余篇。擔任多個期刊青年編委和審稿人。

劉玉懷

鄭州大學教授

劉玉懷，鄭州大學教授、日本名古屋大學客座教授。主要研究方向為氮化物半導體材料與器件，主持國家重點研發(fā)計劃政府間國際科技創(chuàng)新合作重點專項（基于氮化物半導體的深紫外激光器的研究）、國家自然科學基金面上項目、河南省科技攻關項目等12項。發(fā)表論文與會議報告215篇，國際會議邀請報告12次。日本專利公開1項、授權中國發(fā)明專利1項、實用新型項專利1項、軟件著作權5項。紫外LED技術轉移1項。

李強

西安交通大學副教授

李強，西安交通大學副教授。從事寬禁帶半導體材料與器件研究，主要研究方向：氧化物半導體材料（氧化銦錫ITO）和超寬禁帶半導體材料（氮化硼B(yǎng)N）的制備與器件應用。第一發(fā)明人擁有國家授權發(fā)明專利11項，在國內外重要期刊上發(fā)表學術論文50余篇。主持國家及省部級項目6項，主講國家一流本科生課程1門，陜西省精品課程1門，作為主編之一編寫專著1部。

梁劍波

大阪公立大學副教授

梁劍波，大阪公立大學副教授，主要從事常溫條件下異質半導體材料，半導體材料與金屬，半導體材料與金剛石間的直接鍵合技術的研發(fā)，以及鍵合界面電學，熱學，原子結構以及結合狀態(tài)特性的研究。主持并參與多項日本國家重大科研和新型產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新等研究項目。2015年 4月1日-2019 年3月31日，任職于日本大阪市立大學 工學研究科電子信息系專業(yè)講師，從事單晶剛石基板和晶剛石半導體器件的研發(fā)，應用等離子接合技術制作高效率大功率半導體器件的研發(fā)；2017年3月1日-2017年8月31日，任職于英國布里斯托大學物理研究所問研究員，從事大功率氮化鎵半導體器件的研發(fā)

王若錚

西安交通大學副教授

王若錚，西安交通大學副教授。主要從事超寬禁帶半導體金剛石單晶材料及電子器件的研究工作，包括高質量單晶金剛石外延生長，金剛石P/N型調制摻雜及載流子輸運機理，金剛石功率器件，金剛石微觀結構及材料缺陷等相關研究。主持國家自然科學基金，國家重點研發(fā)計劃子課題，軍科委xx主題項目、xx基金項目，GF重點實驗室基金等，作為骨干參與了國家自然科學基金重大儀器專項、面上項目，國家重點研發(fā)計劃國際合作項目，裝發(fā)xx技術項目，軍科委xx重點課題，陜西省重點研發(fā)課題等。已發(fā)表SCI論文30余篇。

張法碧

桂林電子科技大學電氣工程學院副院長、教授

張法碧，桂林電子科技大學電氣工程學院副院長、教授。研究領域：微電子與固體電子學。研究方向：紫外探測材料器件、寬禁帶半導體材料與器件、二維材料與器件、透明氧化物薄膜與器件、功率器件。“廣西E層次人才”，"廣西創(chuàng)新人才培養(yǎng)示范"，廣西高校引進海外高層次人才“百人計劃”，“廣西高等學校千名中青年骨干教師培育計劃”人選，“日本文部科學省獎學金”獲得者，主持國家自然科學基金地區(qū)項目一項，參與兩項；主持廣西中青年基礎能力提升項目一項；主持廣西重點實驗室主任基金項目三項；參與廣西自然科學基金兩項。在日本攻讀博士學位和從事訪問學者期間主要從事氧化物半導體薄膜的光學和電學性質的研究。

李培剛

北京郵電大學教授

李培剛，北京郵電大學教授。2007年3月到2009年6月，作為洪堡學者（Humboldt Fellow）在德國于利希研究中心工作，2009年7月至2010年8月作為瑪麗居里學者（Marie-Curie Fellow），在希臘激光與電子結構研究所和意大利技術研究所工作。2016年3月至2018年8月，作為訪問學者，在美國杜蘭大學物理系進行合作研究。主持國家自然科學基金面上項目，省自然科學基金，橫向課題等科研項目10余項。發(fā)表或合作發(fā)表SCI收錄論文160余篇，被引用3近2000次。獲得授權發(fā)明專利20余項。

Daniela GOGOVA

瑞典林雪平大學

殷紅

吉林大學教授

更多論壇進展信息，敬請關注半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)！

附論壇詳細信息：

會議時間 : 2023年11月27-30日

會議地點 :中國· 福建 ·廈門國際會議中心

主辦單位：

廈門市人民政府

廈門大學

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）

承辦單位：

廈門市工業(yè)和信息化局

廈門市科學技術局

廈門火炬高新區(qū)管委會

惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

論壇主題：低碳智聯(lián)· 同芯共贏

程序委員會 ：

程序委員會主席團

主席：

張   榮--中國科學院院士，廈門大學黨委書記、教授

聯(lián)合主席：

劉   明--中國科學院院士、中國科學院微電子研究所所研究員

顧   瑛--中國科學院院士、解放軍總醫(yī)院教授

江風益--中國科學院院士、南昌大學副校長、教授

李晉閩--中國科學院特聘研究員

張國義--北京大學東莞光電研究院常務副院長、教授

沈   波--北京大學理學部副主任、教授

徐   科--江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員

邱宇峰--廈門大學講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原副院長

盛   況--浙江大學電氣工程學院院長、教授

張   波--電子科技大學教授

陳   敬--香港科技大學教授

徐現(xiàn)剛--山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授

吳偉東--加拿大多倫多大學教授

張國旗--荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學教授

Victor Veliadis--PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授