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IFWS 2023前瞻│碳化硅襯底、外延材料生長(zhǎng)與加工分會(huì)日程出爐

日期:2023-11-23 閱讀:594
核心提示:第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)將于2023年11月27-30日在廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)

 

第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)將于2023年11月27-30日在廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。本屆論壇由廈門(mén)市人民政府、廈門(mén)大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)主辦,廈門(mén)市工業(yè)和信息化局、廈門(mén)市科學(xué)技術(shù)局、廈門(mén)火炬高新區(qū)管委會(huì)、惠新(廈門(mén))科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。

本屆論壇除了重量級(jí)開(kāi)、閉幕大會(huì),設(shè)有七大主題技術(shù)分會(huì),以及多場(chǎng)產(chǎn)業(yè)峰會(huì),將匯聚全球頂級(jí)精英,全面聚焦半導(dǎo)體照明及第三代半導(dǎo)體熱門(mén)領(lǐng)域技術(shù)前沿及應(yīng)用進(jìn)展。

目前,“碳化硅襯底、外延材料生長(zhǎng)與加工”分會(huì)最新報(bào)告日程正式出爐。本屆分會(huì)得到了三安光電股份有限公司、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司、清軟微視(杭州)科技有限公司、九峰山實(shí)驗(yàn)室、德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司的協(xié)辦支持。

屆時(shí),該分會(huì)將有Nitride Crystals Inc.執(zhí)行總裁Yuri Makarov,河北普興電子科技股份有限公司總經(jīng)理薛宏偉,德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司中國(guó)區(qū)總經(jīng)理方子文,哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長(zhǎng)趙麗麗, 中國(guó)科學(xué)院大連理化所研究員、大連創(chuàng)銳光譜科技有限公司董事長(zhǎng)金盛燁,山東大學(xué)副教授/南砂晶圓技術(shù)總監(jiān)楊祥龍,賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司首席技術(shù)官、副總經(jīng)理吳厚政,北京國(guó)瑞升科技集團(tuán)股份有限公司研發(fā)總監(jiān)苑亞斐、北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理張澤盛,中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所助理研究員閆果果、山東大學(xué)孫麗等多位科研院校知名專(zhuān)家及實(shí)力派企業(yè)代表共同參與,將圍繞碳化硅襯底、外延材料生長(zhǎng)與加工的發(fā)展分享主題報(bào)告。

分會(huì)日程詳情如下:

技術(shù)分論壇:碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)

Technical Sub-Forum: Technologies for SiC Substrate, Epitaxy Growth and Equipment

時(shí)間:2023年11月29日08:25-12:00

地點(diǎn):廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心 • 白鷺

Time: Nov 29, 08:25-12:00

Location: Xiamen International Conference Center • Egret Hall

協(xié)辦支持/Co-organizer:

三安半導(dǎo)體 San'an Co.,ltd

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd

北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 NAURA Technology Group Co., Ltd. 

賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation

清軟微視(杭州)科技有限公司    T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd. 

九峰山實(shí)驗(yàn)室  JFS Laboratory

德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司  AIXTRON SE

河北普興電子科技股份有限公司  HEBEIPOSHINGELECTRONICSTEC      

哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司 KY Semiconductor, Inc

屏幕尺寸 / Slides Size:16:9

主持人

Moderator

徐現(xiàn)剛 / XU Xiangang

山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)、教授

Professor & Dean of Institute of Novel Semiconductors, Shandong University

  淦 / FENG Gan

瀚天天成電子科技(廈門(mén))有限公司總經(jīng)理

General Manager of EpiWorld International Co.,Ltd.

陳小龍/CHEN Xiaolong

中國(guó)科學(xué)院物理研究所研究員

Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences

08:25-08:30

嘉賓致辭 / Opening Address

08:30-08:50

利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長(zhǎng)SiC和AlN晶體

Growth of bulk SiC and AlN crystals by Physical Vapor Transport in a crucible with presence of TaC

Yuri MAKAROV--Nitride Crystals Group Ltd.執(zhí)行總裁

Yuri MAKAROV--President of Nitride Crystals Group Ltd.

08:50-09:10

200 mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長(zhǎng)

200mm 4H-SiC for high quality thick-layer homogeneous epitaxial growth

薛宏偉--河北普興電子科技股份有限公司總經(jīng)理

XUE Hong--General Manager of Hebei Poshing Electronic Technology Co., Ltd

09:10-09:30

High throughput Epitaxy Solution for 150mm and 200mm Silicon Carbide

碳化硅6/8英寸高產(chǎn)能外延解決方案

方子文--德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司中國(guó)區(qū)總經(jīng)理

FANG Ziwen--General Manager, AIXTRON SE of China

09:30-09:50

大尺寸SiC單晶的研究進(jìn)展Research progress of 8-inch SiC single crystal

楊祥龍--山東大學(xué)副教授/南砂晶圓技術(shù)總監(jiān)

YANG Xianglong--Associate professor of Shandong University Technical director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co., Ltd

09:50-10:10

化合物半導(dǎo)體襯底和外延缺陷無(wú)損檢測(cè)技術(shù) Nondestructive Inspection for Compound Semiconductor Substrate and Epitaxy

周繼樂(lè)--清軟微視(杭州)科技有限公司 總經(jīng)理

ZHOU Jile-- General Manager of T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd

10:10-10:25

茶歇 / Coffee Break

10:25-10:45

時(shí)間分辨光譜技術(shù)及其在SiC材料檢測(cè)中的應(yīng)用

Transient Absorption Spectroscopy and Its Applications in Semiconductor Testing

金盛燁--中國(guó)科學(xué)院大連理化所研究員、大連創(chuàng)銳光譜科技有限公司董事長(zhǎng)

JIN Shengye--Professor of Dalian Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Chairman of Dalian Chuangrui Spectral Technology Co., Ltd

10:45-11:05

8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

Industrialization progress of 8-inch silicon carbide substrate

趙麗麗--哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長(zhǎng)

ZHAO Lili--President of KY Semiconductor, Inc.

11:05-11:25

精細(xì)石墨——半導(dǎo)體材料制造之柱

Fine Graphite, a pillar for semiconductor material manufacture

吳厚政--賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司首席技術(shù)官

WU Houzheng--CTO of SIAMC Advanced Material Corporation

11:25-11:45

液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究

Research on the Growth Technology of Silicon Carbide Single Crystal by Liquid Phase Method

張澤盛--北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理

ZHANG Zesheng--General Manager of Beijing Lattice Semiconductor Co., Ltd

11:45-12:00

碳化硅襯底粗研磨和精研磨工藝及耗材技術(shù)

 SiC Substrate Coarse Lapping and  Fine Lapping Processes and Consumables

苑亞斐 北京國(guó)瑞升科技集團(tuán)股份有限公司研發(fā)總監(jiān)

YUAN Yafei  R&D Director of Beijing Grish Hitech Co., Ltd

12:00-12:15

熱壁反應(yīng)器在4°離軸襯底上生長(zhǎng)150mm低表面粗糙度4H-SiC外延層

Growth of 150 mm 4H-SiC Epilayers with Low Surface Roughness by a Hot-Wall Reactor on 4° off-Axis Substrates

閆果果--中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所助理研究員

YAN Guoguo--Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 

12:15-12:30

X射線(xiàn)形貌技術(shù)(XRT)在SiC缺陷檢測(cè)中的應(yīng)用

Application of X-ray topography in SiC wafer defect detection

孫麗 山東大學(xué) 

SUN Li  Shandong University

12:00-13:25

午休 / Adjourn

 (備注:本場(chǎng)會(huì)議日程仍在調(diào)整中,僅供參考,最終以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)?。?/span>  

部分嘉賓簡(jiǎn)介

徐現(xiàn)剛

徐現(xiàn)剛

山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)、教授,分會(huì)程序委員會(huì)專(zhuān)家

陳小龍

陳小龍

中國(guó)科學(xué)院物理研究所功能晶體研究與應(yīng)用中心主任、研究員,分會(huì)程序委員會(huì)專(zhuān)家

馮淦

馮  淦

瀚天天成電子科技(廈門(mén))有限公司總經(jīng)理,分會(huì)程序委員會(huì)專(zhuān)家

Yuri MAKAROV

Yuri Makarov,Nitride Crystals Inc. 執(zhí)行總裁

Yuri Makarov博士的科研領(lǐng)域集中在研究晶體的生長(zhǎng)和外延,包括:升華法生長(zhǎng)塊狀SiC晶體、升華法生長(zhǎng)塊狀A(yù)lN晶體、開(kāi)發(fā)和制造PVT法生長(zhǎng)SiC和AlN晶體設(shè)備、開(kāi)發(fā)設(shè)備和氫化物氣相外延法外延生長(zhǎng)技術(shù)、外延生長(zhǎng)和氮化物異質(zhì)結(jié)分析、以及應(yīng)用于醫(yī)學(xué)和生物學(xué)的蛋白質(zhì)和DNA檢測(cè)石墨烯基層傳感器。

方子文

方子文

德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司中國(guó)區(qū)總經(jīng)理

方子文博士畢業(yè)于英國(guó)利物浦大學(xué)工程學(xué)院,從事先進(jìn)半導(dǎo)體沉積技術(shù),他在A(yíng)IXTRON曾擔(dān)任工藝科學(xué)家,蘇州實(shí)驗(yàn)室部門(mén)經(jīng)理等職,精通三五族化合物半導(dǎo)體MOCVD外延材料生長(zhǎng)、制備和測(cè)試。其中包括硅基GaN材料用于功率及射頻器件,SiC材料用于功率器件,GaAs/InP激光器,及Mini/Micro LED顯示面板產(chǎn)品使用的外延材料。

趙麗麗

趙麗麗 

哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長(zhǎng) 哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授

趙麗麗博士,長(zhǎng)期堅(jiān)持在科研一線(xiàn)、潛心研究新材料與高端裝備,并于2018年受邀擔(dān)任深圳第三代半導(dǎo)體研究院晶體材料所所長(zhǎng)。2018年響應(yīng)“大眾創(chuàng)業(yè)、萬(wàn)眾創(chuàng)新”的政策,趙麗麗博士持科技成果創(chuàng)辦哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng):科友半導(dǎo)體)擔(dān)任董事長(zhǎng)。2015年至今,在創(chuàng)業(yè)奮斗的過(guò)程中,也獲得國(guó)家、省、市的各項(xiàng)殊榮。

金盛燁

金盛燁

中國(guó)科學(xué)院大連理化所研究員、大連創(chuàng)銳光譜科技有限公司董事長(zhǎng)

金盛燁,杰出青年科學(xué)基金獲得者?,F(xiàn)任中國(guó)科學(xué)院大連化物所研究員、超快時(shí)間分辨光譜與動(dòng)力學(xué)研究組組長(zhǎng)。致力于利用超快時(shí)間分辨光譜技術(shù)(熒光光譜和pump-probe瞬態(tài)吸收光譜)研究半導(dǎo)體材料和器件中光誘導(dǎo)界面電荷分離、能量轉(zhuǎn)移和光催化反應(yīng)動(dòng)力學(xué)過(guò)程。在國(guó)際上首次建立了超快時(shí)間分辨熒光掃描動(dòng)力學(xué)成像方法,實(shí)現(xiàn)在微觀(guān)尺度內(nèi)對(duì)鈣鈦礦光電材料中載流子運(yùn)動(dòng)過(guò)程的直接成像觀(guān)測(cè),為鈣鈦礦光電材料高效光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和制備提供了新思路和新方法。承擔(dān)并參與了十余個(gè)科研項(xiàng)目,2021年作為負(fù)責(zé)人承擔(dān)了中國(guó)科學(xué)院穩(wěn)定支持基礎(chǔ)研究領(lǐng)域青年團(tuán)隊(duì)計(jì)劃項(xiàng)目—表界面超快化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué);2018年作為首席科學(xué)家承擔(dān)了科技部國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目—納米結(jié)構(gòu)跨頻域及跨時(shí)域尺度的動(dòng)力學(xué)表征。

楊祥龍

楊祥龍

山東大學(xué)副教授、南砂晶圓技術(shù)總監(jiān)

楊祥龍,山東大學(xué)副教授,博士生導(dǎo)師。長(zhǎng)期從事寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅晶體生長(zhǎng)和缺陷分析研究,主持承擔(dān)了國(guó)家自然科學(xué)基金、省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、省自然科學(xué)基金等多項(xiàng)科研項(xiàng)目。

吳厚政

吳厚政

賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司首席技術(shù)官、副總經(jīng)理

吳厚政,牛津大學(xué)材料科學(xué)博士,曾任天津大學(xué)教授,教育部先進(jìn)陶瓷及加工重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任,拉夫堡大學(xué)教授,現(xiàn)任賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司首席技術(shù)官、副總經(jīng)理。

閆果果

閆果果

中科院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體材料科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室助理研究員

閆果果,主要從事第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料--碳化硅同質(zhì)與異質(zhì)外延生長(zhǎng)的研究工作。包括碳化硅生長(zhǎng)設(shè)備研制、碳化硅外延材料生長(zhǎng)、材料測(cè)試表征、外延缺陷研究。參加多項(xiàng)課題研究工作,在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表研究論文多篇,申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利多項(xiàng)。

薛宏偉

薛宏偉

河北普興電子科技股份有限公司總經(jīng)理

張澤盛

張澤盛 

北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理

 

 更多論壇進(jìn)展信息,敬請(qǐng)關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)!

附論壇詳細(xì)信息:

會(huì)議時(shí)間 : 2023年11月27-30日

會(huì)議地點(diǎn) :中國(guó)· 福建 ·廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心

主辦單位:

廈門(mén)市人民政府

廈門(mén)大學(xué)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)

中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)

承辦單位:

廈門(mén)市工業(yè)和信息化局

廈門(mén)市科學(xué)技術(shù)局

廈門(mén)火炬高新區(qū)管委會(huì)

惠新(廈門(mén))科技創(chuàng)新研究院

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

論壇主題:低碳智聯(lián)· 同芯共贏(yíng)

程序委員會(huì) :

程序委員會(huì)主席團(tuán)

主席:

張   榮--中國(guó)科學(xué)院院士,廈門(mén)大學(xué)黨委書(shū)記、教授

聯(lián)合主席:

劉   明--中國(guó)科學(xué)院院士、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所所研究員

顧   瑛--中國(guó)科學(xué)院院士、解放軍總醫(yī)院教授

江風(fēng)益--中國(guó)科學(xué)院院士、南昌大學(xué)副校長(zhǎng)、教授

李晉閩--中國(guó)科學(xué)院特聘研究員

張國(guó)義--北京大學(xué)東莞光電研究院常務(wù)副院長(zhǎng)、教授

沈   波--北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授

徐   科--江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、中科院蘇州納米所副所長(zhǎng)、研究員

邱宇峰--廈門(mén)大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原副院長(zhǎng)

盛   況--浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授

張   波--電子科技大學(xué)教授

陳   敬--香港科技大學(xué)教授

徐現(xiàn)剛--山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)、教授

吳偉東--加拿大多倫多大學(xué)教授

張國(guó)旗--荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授

Victor Veliadis--PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)教授

 

日程總覽:
日程總覽1116
備注:更多同期活動(dòng)正在逐步更新中!
 
注冊(cè)參會(huì):
注冊(cè)參會(huì)

備注:11月15日前注冊(cè)報(bào)名,享受優(yōu)惠票價(jià)!

*中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。

*學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。

*會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。

*若由于某些原因,您繳費(fèi)后無(wú)法參會(huì),可辦理退款事宜,組委會(huì)將扣除已繳費(fèi)金額的5%作為退款手續(xù)費(fèi)。

*IFWS相關(guān)會(huì)議:碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù),氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù),碳化功率器件及其封裝技術(shù)I、Ⅱ,氮化鎵功率電子器件,氮化鎵射頻電子器件,超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù),化合物半導(dǎo)體激光器與異質(zhì)集成技術(shù)、氮化物紫外技術(shù) ;

*SSL技術(shù)會(huì)議:光品質(zhì)與光健康醫(yī)療技術(shù),Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術(shù),半導(dǎo)體照明芯片、封裝及光通信技術(shù),氮化物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù),光農(nóng)業(yè)與生物技術(shù),化合物半導(dǎo)體激光器與異質(zhì)集成技術(shù)、氮化物紫外技術(shù) ;

*IFWS會(huì)議用餐包含:28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐;

*SSL會(huì)議用餐:27日晚餐、28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐。

線(xiàn)上報(bào)名通道:

線(xiàn)上報(bào)名通道

 

組委會(huì)聯(lián)系方式:

1.投稿咨詢(xún)

白老師

010-82387600-602

papersubmission@china-led.net

2.贊助/參會(huì)/參展/商務(wù)合作

張女士

13681329411

zhangww@casmita.com

賈先生

18310277858

jiaxl@casmita.com

余先生

18110121397

yuq@casmita.com 

協(xié)議酒店:

協(xié)議酒店

 

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