2023年11月27-30日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。本屆論壇由廈門(mén)市人民政府、廈門(mén)大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門(mén)市工業(yè)和信息化局、廈門(mén)市科學(xué)技術(shù)局、廈門(mén)火炬高新區(qū)管委會(huì)、惠新(廈門(mén))科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。

29日，“碳化功率器件及其封裝技術(shù)分會(huì)“如期召開(kāi)，本屆分會(huì)得到了三安光電股份有限公司、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司、清軟微視（杭州）科技有限公司、九峰山實(shí)驗(yàn)室、德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、江蘇博睿光電股份有限公司、哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司、上海瞻芯電子科技有限公司、清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司的協(xié)辦支持。

分會(huì)上，中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五所研究所副主任設(shè)計(jì)師黃潤(rùn)華帶來(lái)了“750V SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)對(duì)器件特性的影響研究”的主題報(bào)告，研究顯示四種SiC MOSFET單元結(jié)構(gòu)已經(jīng)被?；?，實(shí)現(xiàn)并測(cè)試了750V條形和改進(jìn)的六邊形單元結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET，改進(jìn)的六邊形單元結(jié)構(gòu)具有較低的比導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)損耗，在下一步工作中，將優(yōu)化單元結(jié)構(gòu)以降低開(kāi)關(guān)損耗。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考?。?/p>