由于其寬帶隙和優(yōu)異的材料特性, SiC基功率電子器件現(xiàn)在正成為許多殺手級應(yīng)用的后起之秀，例如汽車、光伏、快速充電、PFC等。然而，在整個SiC功率器件中，材料成本（即襯底和外延層）通常占比50%~75%。這將大大推遲SiC電力電子產(chǎn)品的真正市場爆炸。

2023年11月27-30日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國際會議中心盛大開幕。本屆論壇為期4天，由廈門市人民政府、廈門大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門市工業(yè)和信息化局、廈門市科學(xué)技術(shù)局、廈門火炬高新區(qū)管委會、惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。

期間，“碳化功率器件及其封裝技術(shù)分會”如期舉行，本屆分會由三安半導(dǎo)體、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、 賽邁科先進材料股份有限公司、清軟微視（杭州）科技有限公司、九峰山實驗室、德國愛思強股份有限公司、 河北普興電子科技股份有限公司、 江蘇博睿光電股份有限公司、哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司、上海瞻芯電子科技有限公司、清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司協(xié)辦支持。

會上，三安半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)葉念慈帶來了“產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能”的主題報告，報告指出，與硅基工業(yè)中傳統(tǒng)的水平分工供應(yīng)鏈相比，垂直整合正成為降低SiC功率電子產(chǎn)品整體成本和確保成品質(zhì)量的一種有吸引力的方式。因此，許多SiC玩家相應(yīng)地傾向于IDM（集成器件制造商）模式。

然而，在電力電子代工業(yè)務(wù)中，情況并非如此。特別是在SiC領(lǐng)域，占主導(dǎo)地位的鑄造企業(yè)主要專注于晶圓工藝。材料（即襯底和外延層）要么從外部購買，要么由客戶指定提供。SiC器件代工通常只是因為缺乏技術(shù)、不熟悉IDM模型或資本投資保守而提供晶片處理服務(wù)。這通常會導(dǎo)致高COO和質(zhì)量責(zé)任歸屬問題對最終客戶的影響，特別是基于目前水平分工的商業(yè)模式。湖南三安半導(dǎo)體正致力于解決這一問題，通過在長沙聚集4H-SiC晶體生長、襯底、外延、芯片加工和組裝測試設(shè)施，為代工客戶賦能，建立中國第一個垂直集成供應(yīng)鏈。報告中展示了SiC半導(dǎo)體功率器件代工服務(wù)垂直整合的力量。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認，僅供參考?。?/p>