近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝 SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測機構(gòu)（廣電計量）全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。包括之前通過測試認證的650V/20A TO-252-3封裝 SiC SBD產(chǎn)品在內(nèi)，芯塔電子已有兩款核心產(chǎn)品通過此項認證。本次認證成功通過，為芯塔電子拓展新能源車用市場奠定了堅實基礎(chǔ)。目前，芯塔電子1200V/80mΩ SiC MOSFET在頭部OBC企業(yè)通過測試，已進入批量導(dǎo)入階段。

芯塔電子1200V/80mΩSiC MOSFET車規(guī)級認證證書

AEC-Q作為國際通用的車規(guī)級電子元器件測試規(guī)范，目前已成為車用元器件質(zhì)量與可靠性的標志，更是打開車載供應(yīng)鏈的敲門磚和試金石。試驗項目包含如高溫反偏、溫度循環(huán)、高壓蒸煮、高加速應(yīng)力、高溫高濕反偏等18項測試，每項都是針對車用分立器件可能遭遇的環(huán)境來設(shè)計，用于驗證電子元器件能否滿足各種嚴苛的應(yīng)用條件、能否經(jīng)受住長期的高能量沖擊和高頻率開關(guān)。

芯塔電子1200V/80mΩTO-263-7封裝器件及晶圓

隨著新能源汽車800V高壓平臺的大規(guī)模上車，SiC器件憑借其自身性能優(yōu)勢進入了黃金賽道。芯塔電子針對新能源汽車車用場景推出了系列SiC應(yīng)用方案，助力新能源車企實現(xiàn)超級快充、降低系統(tǒng)成本、增加續(xù)航里程以及實現(xiàn)輕量化等。

圖一 基于Si MOSFET的6.6kw OBC拓撲

圖1為基于Si MOSFET器件的6.6KW傳統(tǒng)電路拓撲，前一級DC/DC為兩個BOOST PFC 交錯并聯(lián)，后面一級DC/DC為 LLC。圖2為基于SiC MOSFET方案的電路拓撲。前一級DC/DC為單個單相Totem Pole PFC，后一級DC/DC為LLC。

圖二 基于SiC MOSFET的6.6kw OBC拓撲

對應(yīng)前一級的PFC電路，如果使用Si器件，開關(guān)損耗高、功率器件溫度高，因此單個單向PFC電路功率有限，需要兩路PFC 交錯并聯(lián)來擴展功率。在后一級LLC電路中，如果使用低壓Si MOSFET作為同步整流，無法支持高電池電壓（1000V）充電，而使用1200V SiC MOSFET則可以支持高壓電池充電。另外，SiC MOSFET體二極管反向恢復(fù)損耗遠低于Si MOSFET, 非常適合用于V2G功能的OBC。不僅如此，SiC MOSFET使用還有助于提高OBC效率和功率密度。

本次認證充分體現(xiàn)了芯塔電子碳化硅系列產(chǎn)品在可靠性方面的優(yōu)異表現(xiàn)，使得芯塔電子成為國內(nèi)極少數(shù)多款碳化硅功率器件產(chǎn)品取得車規(guī)級認證的廠商之一，為下游車企及T1客戶選擇提供了權(quán)威參考，同時也標志著芯塔電子已邁入國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅器件及應(yīng)用方案品牌供應(yīng)商行列。未來,芯塔電子將持續(xù)聚焦可再生能源、工業(yè)應(yīng)用和新能源汽車領(lǐng)域，以高性能、高可靠性的產(chǎn)品和創(chuàng)新應(yīng)用方案，持續(xù)為客戶創(chuàng)造價值。