SiC外延生長(zhǎng)是SiC產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵一步。4H-SiC(碳化硅)半導(dǎo)體是制作高溫,高頻,大功率電力電子器件的理想電子材料,近20年來(lái)材料生長(zhǎng)技術(shù)水平不斷提升,材料品質(zhì)逐步提高。

近日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。期間在“碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)”分會(huì)上，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所助理研究員閆果果做了“6英寸碳化硅外延生長(zhǎng)及深能級(jí)缺陷研究”的主題報(bào)告，分享了6英寸4H-SiC的外延生長(zhǎng)，以及深能級(jí)晶圓的研究進(jìn)展。

4H-SiC雙極器件對(duì)外延層的要求涉及厚外延層和低摻雜濃度實(shí)現(xiàn)高阻斷電壓，以及用于低正向電壓降的高載流子壽命。報(bào)告中分享了6μm 4H-SiC外延層、10-11μm 4H-SiC外延層、4H-SiC外延層的批量生產(chǎn)，DLTS樣品和設(shè)備，4H-SiC材料中的深能級(jí)，晶片中深能級(jí)的分布，缺陷濃度和載流子壽命，晶片中深能級(jí)的控制，退火對(duì)深層的影響，碳離子注入退火的影響等研究進(jìn)展。

報(bào)告指出，對(duì)于6英寸4H-SiC的外延生長(zhǎng)方面，用自制的熱壁LPCVD反應(yīng)器對(duì)直徑為150mm的4H-SiC Si面襯底進(jìn)行了均勻外延生長(zhǎng)。已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了4H-SiC外延層的生長(zhǎng)，厚度和摻雜均勻性分別為~0.5%和~3.5%。深能級(jí)晶圓研究方面，4H-SiC外延片的Z1/2缺陷分布均勻，缺陷密度與載流子壽命密切相關(guān)。深能級(jí)瞬態(tài)光譜（DLTS）是表征深能級(jí)的一種有效方法。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考?。?/p>