據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，比亞迪（002594）半導(dǎo)體股份有限公司申請一項名為“半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)、制備方法及半導(dǎo)體器件“，公開號CN117374099A，申請日期為2022年6月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)、制備方法及半導(dǎo)體器件，該終端結(jié)構(gòu)包括：漏極電極，位于漏極電極上的襯底，位于襯底上的外延層，位于外延層上的金屬場板和鈍化層；外延層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的兩端還分別設(shè)置有主結(jié)區(qū)和截止環(huán)，主結(jié)區(qū)和截止環(huán)之間的外延層內(nèi)沿外延層的豎向依次設(shè)置至少兩層場限環(huán)結(jié)構(gòu)，每層場限環(huán)結(jié)構(gòu)均包括沿外延層橫向分布的至少一個場限環(huán)，靠近襯底的場限環(huán)結(jié)構(gòu)中場限環(huán)的數(shù)量小于靠近金屬場板的場限環(huán)結(jié)構(gòu)中場限環(huán)的數(shù)量且每層場限環(huán)結(jié)構(gòu)最外側(cè)的場限環(huán)沿襯底至金屬場板的方向呈階梯狀設(shè)置；鈍化層從主結(jié)區(qū)起覆蓋至截止環(huán)的部分區(qū)域，金屬場板覆蓋于截止環(huán)上未被鈍化層覆蓋的區(qū)域。本發(fā)明可以提高擊穿電壓及器件的可靠性。