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廈門市翔安區(qū)-6-8英寸SiC外延晶片產(chǎn)業(yè)化項目可行性研究報告

日期:2024-01-11 閱讀:275
核心提示:公司是全球領域的碳化硅外延晶片供應商,為客戶提供大尺寸、高質量的外延晶片產(chǎn)品。隨著碳化硅領域景氣度不斷提升,下游客戶對公

 公司是全球領域的碳化硅外延晶片供應商,為客戶提供大尺寸、高質量的外延晶片產(chǎn)品。隨著碳化硅領域景氣度不斷提升,下游客戶對公司產(chǎn)能和產(chǎn)品技術指標都提出了更高的要求,本次資金將全部用于公司主營業(yè)務。外延行業(yè)作為第三代半導體碳化硅行業(yè)的重要部分,本次投向符合《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和 2035 年遠景目標綱要》和《質量強國建設綱要》等國家科技創(chuàng)新領域政策方向。

公司具有經(jīng)驗豐富的研發(fā)團隊,具有超過數(shù)十年碳化硅行業(yè)的從業(yè)經(jīng)驗,積極跟蹤境內外行業(yè)前沿的最新進展,已經(jīng)形成有梯次的公司高質量產(chǎn)品開發(fā)規(guī)劃。公司已經(jīng)向多家境內外碳化硅功率器件龍頭實現(xiàn)批量供貨,來自下游客戶持續(xù)更新的高規(guī)格器件需求對碳化硅材料的改進形成實時反饋,理論技術和實時反饋的積累都為項目實施提供了充分的技術保障。

(一)項目基本情況

本項目建設內容主要包括碳化硅外延晶片生產(chǎn)場地的建設、生產(chǎn)與輔助設備的購置、相關人員的招聘等。項目通過建設高標準的碳化硅外延晶片潔凈廠房、引進先進的外延生長設備及配套設施、招聘高素質且經(jīng)驗豐富的生產(chǎn)及管理人員,打造高自動化水平、空間結構布局合理的碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化基地,滿足公司未來業(yè)務發(fā)展新增 6-8 英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)能的需要,具有良好的市場前景。本項目預計建設期約為 36 個月,項目總投資 349,438.88 萬元

(二)項目建設必要性及合理性

基于碳化硅行業(yè)快速發(fā)展的戰(zhàn)略機遇,全球主要碳化硅器件企業(yè)逐步加大生產(chǎn)供應計劃,歐美日本大廠近期均宣布大幅增加 8 英寸碳化硅器件投資,平均每家大廠投資高達 50 億美元。國內大批企業(yè)均宣布擴產(chǎn)或加入碳化硅半導體產(chǎn)業(yè),新建產(chǎn)能將陸續(xù)釋放,對應上游碳化硅外延的數(shù)量和質量需求將快速提升。公司作為全球領先的碳化硅外延供應商,打破產(chǎn)能瓶頸限制和及時響應客戶需求對公司具有重大戰(zhàn)略意義。

基于中國科技自立自強的背景,碳化硅外延是技術密集型產(chǎn)品,也是碳化硅器件不可或缺的一個重要部分,外延生產(chǎn)技術、設備、材料、工藝的要求極高。公司已經(jīng)掌握外延片多項核心技術,但必須擴大產(chǎn)能,及時獲取國內外高端功率器件廠商的反饋,提升企業(yè)技術水平,從而為我國的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈建設作出貢獻。

(三)項目建設可行性

1、市場可行性

廣闊的市場前景是項目產(chǎn)能消化的重要基礎。碳化硅產(chǎn)業(yè)下游的功率器件未來也會隨著新能源汽車、光伏發(fā)電、儲能、軌道交通等領域對其的性能要求不斷提高而進一步擴大市場規(guī)模。碳化硅器件原有市場存量增長和碳化硅滲透率提升導致的增量增長使得碳化硅功率器件市場規(guī)模逐步提升。根據(jù) CASA 統(tǒng)計,2022 年 SiC 功率電子市場規(guī)模約為 21 億美元,預計到 2027 年 SiC 功率電子市場規(guī)模接近 80 億美元,復合增長率為 30%。

從終端應用領域看,碳化硅功率器件應用于新能源汽車、光伏發(fā)電、儲能、軌道交通等領域,其中汽車是最大的終端應用市場。2021 年全球用于汽車的碳化硅功率器件約占全球碳化硅功率器件市場規(guī)模的 64%,未來隨著新能源汽車滲透率的提升,預計2027 年占比上升至 79%;其次為能源領域(光伏發(fā)電及儲能系統(tǒng)),2021 年約占全球碳化硅功率器件市場規(guī)模的 14%。由于我國錨定碳達峰和碳中和,碳化硅功率器件市場規(guī)模受可再生能源相關政策推動,增速強勁。

得益于新能源汽車等上述行業(yè)快速發(fā)展,英飛凌、Wolfspeed、意法半導體、安森美、三菱電機、羅姆等多家企業(yè)均宣布巨額碳化硅器件擴產(chǎn)計劃,公司具有強勁的市場需求消化產(chǎn)能。

2、技術可行性

經(jīng)過多年的積累與研發(fā)創(chuàng)新,公司擁有雄厚的技術積累。公司研發(fā)出了先進的 6英寸 4H-SiC 外延生長工藝,采用該工藝生產(chǎn)的 6 英寸碳化硅外延晶片質量達到了國際領先水平。上述技術成果都為項目實施提供了充分的技術保障。

3、團隊可行性

公司擁有一支強大的技術創(chuàng)新團隊,擁有碳化硅半導體領域頂尖的碳化硅技術人才,具有豐富的碳化硅研發(fā)、生產(chǎn)綜合經(jīng)驗。公司研發(fā)團隊先后聯(lián)合相關上下游企業(yè)、高等院校等共同承擔和參與了國家科技重大專項 02 專項、國家科技部 863 項目、國家重點研發(fā)計劃和廈門市重大專項項目等,同時也獨立承擔了國家發(fā)改委和科技部研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目,經(jīng)驗豐富并掌握前沿技術的團隊是本次募投項目順利實施的關鍵保障。

(四)項目涉及的審批、批準或備案程序

本項目已取得廈門火炬高技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會出具的《廈門市企業(yè)投資項目備 案 證 明 ( 外 資 ) 》 ( 備 案 證 號 : 廈 高 管 計 備 2023146 號 ) , 項 目 代 碼2210-350298-06-01-590671;《廈門市企業(yè)投資項目備案證明(外資)》(備案證號:廈高管經(jīng)備 2023426 號),項目代碼 2302-350298-06-01-957645;《廈門市企業(yè)投資項

目備案證明(外資)》(備案證號:廈高管經(jīng)備 2023422 號),項目代碼2312-350298-06-02-488334;《廈門市企業(yè)投資項目備案證明(外資)》(備案證號:廈高管經(jīng)備 2023424 號),項目代碼 2312-350298-06-02-477098。

(五)項目環(huán)境保護情況

本項目建成后主要從事 SiC 外延晶片的生產(chǎn)。生產(chǎn)過程中可能會產(chǎn)生主要污染物為廢氣、廢水及固體廢棄物,另外還產(chǎn)生少許的生活污水和生活垃圾。公司將在項目建設期和項目運營期采取必要的環(huán)境保護措施。

本項目已取得廈門市翔安生態(tài)環(huán)境局出具的《關于瀚天天成電子科技(廈門)股份有限公司 6-8 英寸 SiC 外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目(一期)環(huán)境影響報告表的批復》和《關于瀚天天成電子科技(廈門)股份有限公司6-8 英寸 SiC 外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化擴產(chǎn)項目(二期)環(huán)境影響報告表的批復》。

(六)項目涉及的新取得土地或房產(chǎn)情況

本項目選址位于翔安區(qū)市頭路與舫陽南路交叉口西南側 2022XG09-G 地塊。公司已取得對應不動產(chǎn)權證,證號閩(2023)廈門市不動產(chǎn)權第 0058102 號。

(來源:思瀚研究院)

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