天岳先進在回答投資者提問時表示，碳化硅單晶作為新興半導(dǎo)體材料，面臨碳化硅襯底制備難度大，技術(shù)門檻高等問題，截至目前國際上仍只有少數(shù)企業(yè)掌握襯底規(guī)?；a(chǎn)能力，是產(chǎn)業(yè)鏈的核心關(guān)鍵環(huán)節(jié)。由于目前產(chǎn)業(yè)化制備方法，碳化硅大規(guī)模生產(chǎn)存在晶體缺陷控制難度大的問題，目前公司對缺陷的表征方法和控制手段進行基礎(chǔ)研究，以持續(xù)提高晶體生長效率和質(zhì)量。同時為繼續(xù)保持在全球技術(shù)和產(chǎn)品競爭中的領(lǐng)先優(yōu)勢，公司在前瞻技術(shù)研發(fā)布局上持續(xù)加大投入，未來，公司將不斷緊跟產(chǎn)業(yè)趨勢和技術(shù)前沿，持續(xù)夯實技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，聚焦碳化硅襯底精耕細作，努力爭取在技術(shù)層面實現(xiàn)持續(xù)突破和進步。