近日，嘉興斯達高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地二期項目、合盛硅業(yè)旗下的年產(chǎn)800噸電子級碳化硅顆粒材料及60萬片碳化硅切割片項目等將于3月開始投產(chǎn)/試產(chǎn)。

嘉興斯達高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目預(yù)計3月投產(chǎn)

3月4日，浙江嘉興南湖區(qū)發(fā)布消息稱，南湖區(qū)有14個項目入選浙江省“千項萬億”工程，其中披露了嘉興斯達高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目等3個項目將于今年投產(chǎn)。

項目建設(shè)地點位于嘉興南湖區(qū)，總投資20億元，總用地面積279畝，新增建筑面積20.6萬平方米，新建生產(chǎn)廠房、動力樓、?；瘋}庫等建構(gòu)筑物，購置包括光刻機、涂膠顯影機等工藝設(shè)備。建設(shè)單位為嘉興斯達微電子有限公司，建設(shè)工期為2022-2024年，項目于2022年1月3日開工，計劃2024年3月投入使用。項目投產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)36萬片功率芯片生產(chǎn)能力，年產(chǎn)值10億元，可實現(xiàn)年稅收4億元。

中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地二期項目3月可投入試生產(chǎn)

1月8日，據(jù)“太原日報”消息，山西爍科晶體有限公司中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地（二期）項目已具備設(shè)備進廠條件，預(yù)計將在1月底前開始進場設(shè)備，2024年3月可投入試生產(chǎn)。

中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地（二期）項目投資5億元，主要建設(shè)包括單晶生產(chǎn)車間、動力配套等在內(nèi)的總面積1.6萬平方米的綜合性廠房。項目于2023年9月份開始建設(shè)，10月份進入主體鋼結(jié)構(gòu)施工，11月主體完成封頂。預(yù)計2025年投產(chǎn)，投產(chǎn)后年產(chǎn)能可達30萬片SiC襯底。

值得一提的是，中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地一期項目早在2020年2月實現(xiàn)投產(chǎn)。一期項目總投資為50億元，達產(chǎn)后具備年產(chǎn)10萬片4-6英寸N型碳化硅單晶晶片、5萬片4-6英寸高純半絕緣型碳化硅單晶晶片的生產(chǎn)能力。

據(jù)了解，山西爍科晶體成立于2018年，是國內(nèi)從事第三代半導(dǎo)體材料碳化硅生產(chǎn)和研發(fā)的領(lǐng)軍企業(yè)。中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地（二期）項目是2023年山西省重點工程項目，也是山西爍科晶體有限公司瞄準“成為國內(nèi)卓越、世界一流的碳化硅材料供應(yīng)商”這一目標打造的一張關(guān)鍵拼圖。

合盛硅業(yè)旗下年產(chǎn)800噸電子級碳化硅顆粒材料

及60萬片碳化硅切割片項目預(yù)計今年3月試生產(chǎn)

1月6日，據(jù)“青橙融媒”消息，合盛硅業(yè)旗下的“年產(chǎn)800噸電子級碳化硅顆粒材料及60萬片碳化硅切割片項目”預(yù)計今年3月初試生產(chǎn)。

據(jù)了解，該項目由合盛硅業(yè)子公司內(nèi)蒙古賽盛新材料有限公司建設(shè)，項目于在2023年9月中旬引進呼和浩特金山高新區(qū)，10月3日項目開工。目前，現(xiàn)場鋼結(jié)構(gòu)吊裝、基礎(chǔ)梁混凝土澆筑等工作正有序推進。

該項目位于呼和浩特市賽罕區(qū)昭烏達路街道金橋開發(fā)區(qū)，總投資20億元，新建生產(chǎn)廠房3幢以及新建配電房、空壓站、庫房等生產(chǎn)配套用房。占地面積約為190畝，項目計劃建設(shè)起止年限為2023年11月至2025年11月。11月10日，該項目備案通過。

“金山高新技術(shù)開發(fā)區(qū)在用地、生活設(shè)施、給水供電等方面給我們提供了很大的支持。一期年產(chǎn)800噸電子碳化硅和60萬片的碳化硅項目，預(yù)計今年3月初試產(chǎn)。”內(nèi)蒙古賽盛新能源材料有限公司現(xiàn)場執(zhí)行經(jīng)理楊建明說。

來源：綜合南湖發(fā)布、太原日報、青橙融媒等