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瞻芯電子再推3款車規(guī)級第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品

日期:2024-03-11 閱讀:265
核心提示:瞻芯電子官微消息,3月8日,瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified)。

瞻芯電子官微消息,3月8日,瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified)。瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET芯片,具備業(yè)界較低的損耗水平,且驅(qū)動電壓為15V~18V,兼容性更好。這3款產(chǎn)品導(dǎo)通電阻分別為25mΩ,40mΩ和60mΩ,且采用TO247-4封裝,可耐受-55°C ~175°C工作溫度,同時(shí)因TO247-4封裝具有開爾文源極引腳,而能顯著減小柵極驅(qū)動電壓尖峰。這3款產(chǎn)品的型號及主要參數(shù)如下表:

瞻芯電子第二代SiC MOSFET

瞻芯電子第二代SiC MOSFET產(chǎn)品與工藝平臺是依托浙江瞻芯電子SiC晶圓廠開發(fā)的, 自2023年9月份發(fā)布第一款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品以來,至今已有十幾款采用同代技術(shù)平臺的量產(chǎn)產(chǎn)品。瞻芯電子第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,對比上一代產(chǎn)品,通過優(yōu)化柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì),讓器件的比導(dǎo)通電阻降低約25%,能進(jìn)一步降低器件損耗,提升系統(tǒng)效率。

產(chǎn)品應(yīng)用

瞻芯電子采用TO247-4封裝的車規(guī)級第二代650V SiC MOSFET系列產(chǎn)品,因其具備高速開關(guān),且低損耗,以及良好的驅(qū)動兼容性等優(yōu)秀特性,而能為功率變換系統(tǒng)提供高頻、高效率的解決方案,主要適用于下列場景:

· 電機(jī)驅(qū)動

·光伏逆變器

· 車載直流變換器(DC/DC)

·車載充電機(jī)(OBC)

·開關(guān)電源

 

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