3月8日，據(jù)日媒報道，大阪大學、豐田合成和松下控股公司松下高清三方合作的GaN襯底開發(fā)項目取得了新進展，已成功制備高質(zhì)量6英寸GaN襯底。

據(jù)介紹，豐田合成借助了大阪大學新開發(fā)的技術(shù)成功制備缺陷密度為104/ cm2的6英寸GaN襯底，該技術(shù)結(jié)合了Na助焊劑法和多點晶種法，兼具高質(zhì)量及易擴徑的優(yōu)點。此外，以該技術(shù)為基礎(chǔ)，他們已開發(fā)了兼容8英寸或更大尺寸的晶體生長設(shè)備，用于未來進一步開發(fā)大尺寸襯底。

但是，在使用該技術(shù)制備GaN襯底時，一個晶體生長大約需要一個月的時間，并不適用于大規(guī)模生產(chǎn)。因此豐田合成等正在建立一種高產(chǎn)的大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，將結(jié)合其他晶體生長技術(shù)提升生產(chǎn)力。