據(jù)國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，北京大學(xué)申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種長波長InGaN基發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法“，公開號(hào)CN117747725A，申請(qǐng)日期為2023年12月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種長波長InGaN基發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法。本發(fā)明括襯底、非故意摻雜的氮化鎵層、n型摻雜的氮化鎵層、長溝槽型多量子阱、修復(fù)層、發(fā)光多量子阱和p型摻雜的氮化鎵層；溝槽型多量子阱表面具有環(huán)狀V型坑，為溝槽型多量子阱和修復(fù)層提供應(yīng)力弛豫，使得修復(fù)層的晶格得到擴(kuò)張，有利于提高發(fā)光多量子阱中的銦并入，并且作為空間隔離，避免環(huán)狀V型坑內(nèi)部的量子阱中的載流子受到外部缺陷的影響；修復(fù)層修復(fù)低溫生長的溝槽型多量子阱的粗糙表面，為后續(xù)生長的發(fā)光多量子阱提供平整的生長表面；修復(fù)層作為空穴阻擋層，阻擋來自p型摻雜的氮化鎵層的空穴進(jìn)入到溝槽型多量子阱中，使得空穴集中于發(fā)光多量子阱中用于輻射復(fù)合。