據(jù)國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，北京大學(xué)取得一項(xiàng)名為“一種AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法“，授權(quán)公告號(hào)CN114373837B，申請(qǐng)日期為2021年11月。

專利摘要顯示，本發(fā)明涉及化合物半導(dǎo)體光電子器件領(lǐng)域，尤其涉及一種高性能AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件(LED)的器件結(jié)構(gòu)及其制備方法。本發(fā)明所述的AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)具有V形立體pn結(jié)注入結(jié)構(gòu)。所述V形立體pn結(jié)注入結(jié)構(gòu)是通過在AlGaN基量子阱部分的V形腐蝕坑的側(cè)壁的半極性面上進(jìn)一步形成AlGaN電子阻擋層(EBL)、pAlGaN和pGaN接觸層而形成的。該V形立體pn結(jié)注入結(jié)構(gòu)改變了目前廣泛使用的在(0001)面藍(lán)寶石襯底上生長的AlGaN基深紫外LED中空穴只能沿著[0001]方向注入這一固有限制，從而有效解決空穴遷移能力不足導(dǎo)致的注入效率低下的問題，顯著提升LED器件量子阱中空穴濃度和均勻分布，進(jìn)而提升器件的光輸出功率，同時(shí)有效解決了大電流注入下的Droop效應(yīng)問題。