4月11日，青禾晶元官方宣布，公司近日通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新，在SiC鍵合襯底的研發(fā)上取得重要進(jìn)展，在國(guó)內(nèi)率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。

8寸N型SiC復(fù)合襯底（source：青禾晶元）     對(duì)比6英寸SiC晶圓，8英寸SiC晶圓可用面積幾乎增加一倍，芯片產(chǎn)出可增加80-90％，SiC晶圓升級(jí)到8英寸將會(huì)給汽車和工業(yè)客戶帶來(lái)重大收益。因此，SiC晶圓走向8英寸是業(yè)界公認(rèn)的發(fā)展趨勢(shì)。

SiC長(zhǎng)晶受限于生長(zhǎng)良率低、周期長(zhǎng)等瓶頸導(dǎo)致成本無(wú)法有效降低。先進(jìn)SiC鍵合襯底技術(shù)可以將高、低質(zhì)量SiC襯底進(jìn)行鍵合集成，有效利用低質(zhì)量長(zhǎng)晶襯底，與長(zhǎng)晶技術(shù)一同推進(jìn)SiC材料成本顯著降低，實(shí)現(xiàn)高效地將過(guò)剩的傳統(tǒng)生產(chǎn)力轉(zhuǎn)化為新質(zhì)生產(chǎn)力。

青禾晶元表示，通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新，進(jìn)一步鞏固了青禾晶元在該領(lǐng)域的引領(lǐng)地位，有望加速8英寸SiC襯底量產(chǎn)進(jìn)程，為產(chǎn)業(yè)界客戶提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格。

青禾晶元集團(tuán)是國(guó)際上少數(shù)掌握全套先進(jìn)半導(dǎo)體襯底鍵合集成技術(shù)的半導(dǎo)體公司之一，致力于將國(guó)際前沿的半導(dǎo)體材料融合技術(shù)產(chǎn)業(yè)化，獲得了多家知名產(chǎn)業(yè)方和社會(huì)資本的廣泛認(rèn)可。