為更好的推動國內(nèi)功率半導(dǎo)體及集成電路學(xué)術(shù)及產(chǎn)業(yè)交流，在電子科技大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)下，極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 聯(lián)合電子薄膜與集成器件國家重點實驗室 、成都信息工程大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于 2024年4 月26-28日 共同主辦“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2024）”，論壇會議內(nèi)容將涵蓋寬禁帶碳化硅和氮化鎵為代表的高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等幾大主題，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。

會議時間：2024年4月26-28日

會議地點：四川·成都·成都金韻酒店六層

組織機構(gòu)：

指導(dǎo)單位：

電子科技大學(xué)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

主辦單位：

電子薄膜與集成器件全國重點實驗室

成都信息工程大學(xué)

電子科技大學(xué)集成電路研究中心

極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.jycsgw.cn）

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

承辦單位

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

協(xié)辦支持：

成都氮矽科技有限公司

程序委員會：

大會主席：張波

程序委員會主席：羅小蓉

副主席：趙璐冰 周琦

程序委員會：鄧小川 龍世兵 王來利 明鑫 楊樹 劉斯揚 郭清 魏進(jìn) 金銳 周春華 劉成 蔣其夢 高巍 包琦龍 潘嶺峰 葉懷宇 劉雯 張召富 李虞鋒 魏杰等

二、主題方向

1.硅基功率器件與集成技術(shù)

高壓硅基功率器件（>200 V）、器件仿真與設(shè)計技術(shù)、器件測試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、低壓硅基功率器件（≤200 V）、可集成功率器件

2.氮化鎵、III/V族化合物半導(dǎo)體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導(dǎo)體功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

3.碳化硅、氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)

碳化硅功率器件、氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

4.模組與封裝技術(shù)

功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)與封裝可靠性

5.功率集成電路設(shè)計

功率集成IC設(shè)計、寬禁帶功率器件驅(qū)動IC、功率集成電路測試技術(shù)、功率集成工藝平臺與制造技術(shù)

6.面向功率器件及集成電路的核心材料及裝備

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料、退火、刻蝕、離子注入、封裝、檢測及測試設(shè)備等

三、會議日程（擬定）   

時間：2024年4月26-28日    

地點：成都金韻酒店六樓   四川省成都市金牛區(qū)金府路668號

 首批報告嘉賓：

目前首批報告嘉賓及報告主題公布，詳情如下：

（介紹不分先后，僅供參考?。?/span>

魏  進(jìn)

北京大學(xué)集成電路學(xué)院研究員、博士生導(dǎo)師

報告主題：《如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡單易用？》

嘉賓簡介：魏進(jìn)，北京大學(xué)集成電路學(xué)院研究員、博士生導(dǎo)師。長期致力于 GaN 基、 SiC 基功率電子器件的研究，在新型器件結(jié)構(gòu)開發(fā)、可靠性技術(shù)、集成技術(shù)等方面取得一系列有一定國際影響力的創(chuàng)新成果。以一作/通訊作者發(fā)表學(xué)術(shù)論文70余篇，包括本領(lǐng)域權(quán)威學(xué)術(shù)會議IEDM 5篇，ISPSD 19篇，權(quán)威學(xué)術(shù)期刊IEEE EDL 16篇、IEEE TED 18篇。Google總引用3400 余次， H 因子 33，授權(quán)中國/英國/美國專利 10項。近五年作為項目負(fù)責(zé)人承擔(dān)了國家重點研發(fā)計劃子課題、國家自然科學(xué)基金面上項目等科研項目。

姚佳飛

南京郵電大學(xué)南通研究院 執(zhí)行副院長

報告主題：《高K介質(zhì)在橫向功率器件中的應(yīng)用》

嘉賓簡介：姚佳飛，南京郵電大學(xué)副教授、碩士生導(dǎo)師。2016年畢業(yè)于南京郵電大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)，獲博士學(xué)位。入選江蘇省333工程第三層次培養(yǎng)對象、江蘇省科協(xié)青年科技人才托舉工程。擔(dān)任南京郵電大學(xué)南通研究院(有限公司)執(zhí)行副院長/總經(jīng)理、南通市集成電路封裝設(shè)計重點實驗室主任。主要從事硅基、SOI基和SiC基新型功率器件的設(shè)計、建模、封裝、表征和測試研究，以及基于新型功率器件的匹配電路、驅(qū)動電路設(shè)計、版圖設(shè)計和封測研究。主持國家自然科學(xué)基金面上項目、國家自然科學(xué)基金青年基金項目、江蘇省自然科學(xué)基金面上項目、國家重點實驗室開放課題等項目15項，在TDE、CPB等國內(nèi)外高水平期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文60余篇，申請專利60余項。

金  銳

北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體研究所所長，教授級高工

報告主題：《碳化硅MOSFET研究進(jìn)展及面臨的挑戰(zhàn)》

嘉賓簡介：金銳，教授級高級工程師，2009年畢業(yè)于英國帝國理工大學(xué)物理學(xué)專業(yè)，獲理學(xué)博士學(xué)位?，F(xiàn)任北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體研究所所長，是北京市優(yōu)秀青年骨干計劃獲得者，“IEEE PES輸配電技術(shù)委員會”委員，“中國電機工程學(xué)會電力電子器件專委會”委員，“功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟”副秘書長。主持編寫柔性輸電用IGBT器件相關(guān)企業(yè)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)4項，出版專著2部，發(fā)表論文80余篇，申請專利150余項。

長期從事大功率半導(dǎo)體芯片和器件研發(fā)工作，作為“先進(jìn)輸電技術(shù)國家重點實驗室”器件方向?qū)W術(shù)帶頭人，研發(fā)的3300V絕緣柵雙極晶體管（IGBT）芯片和器件實現(xiàn)技術(shù)突破，被收錄在2020年國資委《中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果推薦目錄》。2021年，自研3300V/1500A IGBT在廈門柔性直流輸電工程的鷺島換流站成功掛網(wǎng)運行，標(biāo)志著IGBT核心技術(shù)實現(xiàn)了完全自主可控。作為最年輕的首席科學(xué)家，主持2016年首批國家重點研發(fā)計劃項目，成功研制了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的超大功率4500V/3000A壓接型IGBT,可以支持大規(guī)模海上風(fēng)電接入和長距離大容量柔性直流輸電等新能源的戰(zhàn)略實施,并在張北柔性直流工程延慶站示范應(yīng)用，在國家“十三五”科技創(chuàng)新成就展中得到高度認(rèn)可。

黃銘敏

四川大學(xué)物理學(xué)院微電子學(xué)系，

微電子技術(shù)四川省重點實驗室，副教授

報告主題：《碳化硅功率器件的輻射效應(yīng)及抗輻射技術(shù)》

嘉賓簡介：黃銘敏，2016年6月博士畢業(yè)于電子科技大學(xué)。從事低功耗、高可靠、抗輻射功率半導(dǎo)體器件研究。主持國家自然科學(xué)基金青年基金項目、四川省科技計劃項目和多項橫向項目，參與國家自然科學(xué)基金面上項目、國防科技工業(yè)抗輻照中心創(chuàng)新基金等多個項目，研究涉及IGBT和超結(jié)MOSFET的新結(jié)構(gòu)設(shè)計及開關(guān)可靠性優(yōu)化、碳化硅功率器件的輻射效應(yīng)及抗輻射技術(shù)等。已在IEEE EDL、IEEE TED等知名期刊及國際會議發(fā)表論文40余篇，其中一作/通訊作者SCI論文15篇。已獲授權(quán)發(fā)明專利20余項，其中以第一發(fā)明人獲美國發(fā)明專利1項，中國發(fā)明專利14項。2019年12月發(fā)表論文被Electronics Letters評選為當(dāng)期唯一的Feature Article。擔(dān)任IEEE TED、SST等多個SCI期刊審稿人。獲得四川大學(xué)教學(xué)成果一等獎1次，校級教學(xué)獎項10余次。

蔣華平

重慶大學(xué)研究員

報告主題：《碳化硅MOSFET動態(tài)閾值漂移》

嘉賓簡介：蔣華平，男，1982年生，博士，重慶大學(xué)“百人計劃”特聘研究員，博士生導(dǎo)師。專注于碳化硅功率半導(dǎo)體芯片、封裝、測試以及應(yīng)用技術(shù)研究與開發(fā)10余年：中國中車2年、英國丹尼克斯（Dynex Semiconductor Ltd）4年、英國華威大學(xué)（University of Warwick）2年、重慶大學(xué)5年。發(fā)表學(xué)術(shù)論文共計70余篇，其中期刊論文40余篇、會議論文30余篇。中國發(fā)明專利40余項，其中已授權(quán)14項，英國發(fā)明專利2項。牽頭制定第三代半導(dǎo)體聯(lián)盟團體標(biāo)準(zhǔn)1項，參與制定美國JEDEC標(biāo)準(zhǔn)1項。最早于國際頂級期刊IEEE Electron Device Letter上報道碳化硅MOSFET動態(tài)閾值漂移問題。提出的局域電場增強理論，以及系列學(xué)術(shù)論文，被德國Infineon引用，作為JEDEC JEP195標(biāo)準(zhǔn)的制定依據(jù)。牽頭制定第三代半導(dǎo)體聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)“碳化硅MOSFET開關(guān)運行條件下閾值穩(wěn)定性測試方法”。

周賢達(dá)

廣東工業(yè)大學(xué)集成電路學(xué)院 副教授

報告主題：《非晶氧化物半導(dǎo)體功率器件：理論極限和初步實現(xiàn)》

嘉賓簡介：周賢達(dá)，電子科技大學(xué)本科（2005年）及碩士（2008年），2013年博士畢業(yè)于香港科技大學(xué)，隨后在香港工業(yè)界先后負(fù)責(zé)功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)和生產(chǎn)，2017年至2022年擔(dān)任中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院副研究員，自2022年起擔(dān)任廣東工業(yè)大學(xué)集成電路學(xué)院副教授（青年百人A級）。周賢達(dá)博士成功推出過多款量產(chǎn)產(chǎn)品，累計獲中外發(fā)明專利授權(quán)18項，主持2項國家自然科學(xué)基金項目，以第一/通訊作者身份在行業(yè)頂級會議和權(quán)威期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文12篇，并長期擔(dān)任《IEEE Electron Devices Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》的審稿人以及業(yè)界知名企業(yè)技術(shù)顧問。

林書勛

成都海威華芯科技有限公司 博士 生產(chǎn)總監(jiān)

報告主題：《新型功率半導(dǎo)體器件在新基建中的應(yīng)用》

嘉賓簡介：林書勛，男，高級工程師，1986年生，2016年獲得北京大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)理學(xué)博士學(xué)位，同年加入成都海威華芯科技有限公司，現(xiàn)任海威華芯生產(chǎn)總監(jiān)。主要研究方向為化合物半導(dǎo)體器件及電路設(shè)計及制造，在半導(dǎo)體物理、器件物理方面有深厚的理論功底，以第一作者在國際著名微電子學(xué)期刊雜志IEEE EDL、JAP等上發(fā)表論文10余篇，在國際上首次使用氧化輔助濕法腐蝕的方法實現(xiàn)增強型氮化鎵功率器件，有10年以上化合物半導(dǎo)體研發(fā)及制造經(jīng)驗，并擁有國內(nèi)外專利20余項，參與中國第一條6英寸化合物半導(dǎo)體專用生產(chǎn)線的建設(shè)及投產(chǎn)，開發(fā)了多套量產(chǎn)化的化合物半導(dǎo)體工藝制程，承擔(dān)國家、省市級科研項目累計十余項。

唐高飛

杭州云鎵半導(dǎo)體科技有限公司研發(fā)總監(jiān)

報告主題：《氮化鎵功率器件與工業(yè)級應(yīng)用前景》

嘉賓簡介：唐高飛，2010~2014畢業(yè)于電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院，2014~2018于香港科技大學(xué)電子及計算機工程系攻讀博士學(xué)位，主要從事氮化鎵器件設(shè)計與單片集成技術(shù)開發(fā)。2018年加入華為技術(shù)有限公司數(shù)字能源產(chǎn)品線從事氮化鎵器件產(chǎn)品開發(fā)。2023年加入云鎵半導(dǎo)體，目前擔(dān)任公司研發(fā)總監(jiān)。

張亞民

北京工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)院副教授

報告主題：《面向氮化鎵微波功率器件的異質(zhì)界面溫升表征方法》

嘉賓簡介：張亞民，北京工業(yè)大學(xué)，微電子學(xué)院，副教授/博導(dǎo)。2015年6月畢業(yè)于北京工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)，獲工學(xué)博士學(xué)位，同年留校從事教學(xué)科研工作。多年來一直致力于新型半導(dǎo)體器件及可靠性的研究。近5年，作為項目負(fù)責(zé)人先后主持國家自然科學(xué)基金青年基金、面上項目，北京市自然科學(xué)基金面上、小米創(chuàng)新聯(lián)合基金等項目14項；發(fā)表SCI論文50余篇，其中近五年以第一作者或通訊作者在IEEE TPE/TIM/TED/EDL、APL等雜志發(fā)表SCI論文20余篇；授權(quán)發(fā)明專利20余件，作為主要人員研制的熱特性分析儀器在30余家企事業(yè)單位應(yīng)用，獲北京市科學(xué)技術(shù)獎-技術(shù)發(fā)明二等獎，中國電子學(xué)會技術(shù)發(fā)明二等獎。

更多報告嘉賓將持續(xù)公布，敬請期待！

擬參與單位：

電子科技大學(xué)、成都信息工程大學(xué)、中芯國際、三安半導(dǎo)體、浙江大學(xué)、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、東南大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西安交通大學(xué)、清華大學(xué)、山東天岳、科友半導(dǎo)體、國星光電、ULVAC、華虹半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)體、蓉矽半導(dǎo)體、陽光電源、揚杰科技、英飛凌、北京大學(xué)、廈門大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、南京大學(xué)、中科院微電子所、長飛半導(dǎo)體、華為、海思半導(dǎo)體、鍇威特、基本半導(dǎo)體、中電科四十六所、中電科五十五所、天津大學(xué)、華大九天、西門子、博世、三環(huán)集團、中科院微電子所、中鎵半導(dǎo)體、日立、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、國家電網(wǎng)、華大半導(dǎo)體、意法半導(dǎo)體、中博芯、西安愛科賽博 、小鵬汽車、復(fù)旦大學(xué)、東莞天域、比亞迪半導(dǎo)體、西安西馳電氣、理想汽車、英諾賽科、士蘭微、芯邁半導(dǎo)體、中國科學(xué)院電工所、立昂微電子、長川科技、眾硅電子、萊普科技、海威華芯、麥科信、安徽大學(xué)、云鎵半導(dǎo)體、高芯（河南）半導(dǎo)體……

活動參與：

注冊費2800元，4月18日前注冊報名2500元（含會議資料袋，27日歡迎晚宴、28日自助午餐、晚餐）。

2、繳費方式

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

②移動支付

備注：通過銀行匯款/移動支付，請務(wù)必備注：單位簡稱+姓名+成都，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

③現(xiàn)場繳費（接受現(xiàn)金和刷卡）

報告及論文投稿聯(lián)系：

賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com

白女士18888840079，bailu@casmita.com

參會及商務(wù)合作：

賈先生 18310277858，jiaxl@casmita.com

張女士 13681329411，zhangww@casmita.com

段先生 13717922543，duanpf@casmita.com

協(xié)議酒店：

酒店名稱：成都金韻酒店（成都金府路668號）

聯(lián)系人 何經(jīng)理 13548180263，2569807009@qq.com

協(xié)議價格：400  元/每晚（含早）