魏  進

北京大學集成電路學院研究員、博士生導師

報告主題：《如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡單易用？》

嘉賓簡介：魏進，北京大學集成電路學院研究員、博士生導師。長期致力于 GaN 基、 SiC 基功率電子器件的研究，在新型器件結(jié)構(gòu)開發(fā)、可靠性技術(shù)、集成技術(shù)等方面取得一系列有一定國際影響力的創(chuàng)新成果。以一作/通訊作者發(fā)表學術(shù)論文70余篇，包括本領域權(quán)威學術(shù)會議IEDM 5篇，ISPSD 19篇，權(quán)威學術(shù)期刊IEEE EDL 16篇、IEEE TED 18篇。Google總引用3400 余次， H 因子 33，授權(quán)中國/英國/美國專利 10項。近五年作為項目負責人承擔了國家重點研發(fā)計劃子課題、國家自然科學基金面上項目等科研項目。

姚佳飛

南京郵電大學南通研究院 執(zhí)行副院長

報告主題：《高K介質(zhì)在橫向功率器件中的應用》

嘉賓簡介：姚佳飛，南京郵電大學副教授、碩士生導師。2016年畢業(yè)于南京郵電大學微電子學與固體電子學專業(yè)，獲博士學位。入選江蘇省333工程第三層次培養(yǎng)對象、江蘇省科協(xié)青年科技人才托舉工程。擔任南京郵電大學南通研究院(有限公司)執(zhí)行副院長/總經(jīng)理、南通市集成電路封裝設計重點實驗室主任。主要從事硅基、SOI基和SiC基新型功率器件的設計、建模、封裝、表征和測試研究，以及基于新型功率器件的匹配電路、驅(qū)動電路設計、版圖設計和封測研究。主持國家自然科學基金面上項目、國家自然科學基金青年基金項目、江蘇省自然科學基金面上項目、國家重點實驗室開放課題等項目15項，在TDE、CPB等國內(nèi)外高水平期刊上發(fā)表學術(shù)論文60余篇，申請專利60余項。

金  銳

北京智慧能源研究院功率半導體研究所所長，教授級高工

報告主題：《碳化硅MOSFET研究進展及面臨的挑戰(zhàn)》

嘉賓簡介：金銳，教授級高級工程師，2009年畢業(yè)于英國帝國理工大學物理學專業(yè)，獲理學博士學位?，F(xiàn)任北京智慧能源研究院功率半導體研究所所長，是北京市優(yōu)秀青年骨干計劃獲得者，“IEEE PES輸配電技術(shù)委員會”委員，“中國電機工程學會電力電子器件專委會”委員，“功率半導體技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟”副秘書長。主持編寫柔性輸電用IGBT器件相關(guān)企業(yè)和行業(yè)標準4項，出版專著2部，發(fā)表論文80余篇，申請專利150余項。

長期從事大功率半導體芯片和器件研發(fā)工作，作為“先進輸電技術(shù)國家重點實驗室”器件方向?qū)W術(shù)帶頭人，研發(fā)的3300V絕緣柵雙極晶體管（IGBT）芯片和器件實現(xiàn)技術(shù)突破，被收錄在2020年國資委《中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果推薦目錄》。2021年，自研3300V/1500A IGBT在廈門柔性直流輸電工程的鷺島換流站成功掛網(wǎng)運行，標志著IGBT核心技術(shù)實現(xiàn)了完全自主可控。作為最年輕的首席科學家，主持2016年首批國家重點研發(fā)計劃項目，成功研制了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的超大功率4500V/3000A壓接型IGBT,可以支持大規(guī)模海上風電接入和長距離大容量柔性直流輸電等新能源的戰(zhàn)略實施,并在張北柔性直流工程延慶站示范應用，在國家“十三五”科技創(chuàng)新成就展中得到高度認可。

黃銘敏

四川大學物理學院微電子學系，

微電子技術(shù)四川省重點實驗室，副教授

報告主題：《碳化硅功率器件的輻射效應及抗輻射技術(shù)》

嘉賓簡介：黃銘敏，2016年6月博士畢業(yè)于電子科技大學。從事低功耗、高可靠、抗輻射功率半導體器件研究。主持國家自然科學基金青年基金項目、四川省科技計劃項目和多項橫向項目，參與國家自然科學基金面上項目、國防科技工業(yè)抗輻照中心創(chuàng)新基金等多個項目，研究涉及IGBT和超結(jié)MOSFET的新結(jié)構(gòu)設計及開關(guān)可靠性優(yōu)化、碳化硅功率器件的輻射效應及抗輻射技術(shù)等。已在IEEE EDL、IEEE TED等知名期刊及國際會議發(fā)表論文40余篇，其中一作/通訊作者SCI論文15篇。已獲授權(quán)發(fā)明專利20余項，其中以第一發(fā)明人獲美國發(fā)明專利1項，中國發(fā)明專利14項。2019年12月發(fā)表論文被Electronics Letters評選為當期唯一的Feature Article。擔任IEEE TED、SST等多個SCI期刊審稿人。獲得四川大學教學成果一等獎1次，校級教學獎項10余次。

蔣華平

重慶大學研究員

報告主題：《碳化硅MOSFET動態(tài)閾值漂移》

嘉賓簡介：蔣華平，男，1982年生，博士，重慶大學“百人計劃”特聘研究員，博士生導師。專注于碳化硅功率半導體芯片、封裝、測試以及應用技術(shù)研究與開發(fā)10余年：中國中車2年、英國丹尼克斯（Dynex Semiconductor Ltd）4年、英國華威大學（University of Warwick）2年、重慶大學5年。發(fā)表學術(shù)論文共計70余篇，其中期刊論文40余篇、會議論文30余篇。中國發(fā)明專利40余項，其中已授權(quán)14項，英國發(fā)明專利2項。牽頭制定第三代半導體聯(lián)盟團體標準1項，參與制定美國JEDEC標準1項。最早于國際頂級期刊IEEE Electron Device Letter上報道碳化硅MOSFET動態(tài)閾值漂移問題。提出的局域電場增強理論，以及系列學術(shù)論文，被德國Infineon引用，作為JEDEC JEP195標準的制定依據(jù)。牽頭制定第三代半導體聯(lián)盟標準“碳化硅MOSFET開關(guān)運行條件下閾值穩(wěn)定性測試方法”。

周賢達

廣東工業(yè)大學集成電路學院 副教授

報告主題：《非晶氧化物半導體功率器件：理論極限和初步實現(xiàn)》

嘉賓簡介：周賢達，電子科技大學本科（2005年）及碩士（2008年），2013年博士畢業(yè)于香港科技大學，隨后在香港工業(yè)界先后負責功率半導體器件的研發(fā)和生產(chǎn)，2017年至2022年擔任中山大學電子與信息工程學院副研究員，自2022年起擔任廣東工業(yè)大學集成電路學院副教授（青年百人A級）。周賢達博士成功推出過多款量產(chǎn)產(chǎn)品，累計獲中外發(fā)明專利授權(quán)18項，主持2項國家自然科學基金項目，以第一/通訊作者身份在行業(yè)頂級會議和權(quán)威期刊上發(fā)表學術(shù)論文12篇，并長期擔任《IEEE Electron Devices Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》的審稿人以及業(yè)界知名企業(yè)技術(shù)顧問。

林書勛

成都海威華芯科技有限公司 博士 生產(chǎn)總監(jiān)

報告主題：《新型功率半導體器件在新基建中的應用》

嘉賓簡介：林書勛，男，高級工程師，1986年生，2016年獲得北京大學微電子學與固體電子學理學博士學位，同年加入成都海威華芯科技有限公司，現(xiàn)任海威華芯生產(chǎn)總監(jiān)。主要研究方向為化合物半導體器件及電路設計及制造，在半導體物理、器件物理方面有深厚的理論功底，以第一作者在國際著名微電子學期刊雜志IEEE EDL、JAP等上發(fā)表論文10余篇，在國際上首次使用氧化輔助濕法腐蝕的方法實現(xiàn)增強型氮化鎵功率器件，有10年以上化合物半導體研發(fā)及制造經(jīng)驗，并擁有國內(nèi)外專利20余項，參與中國第一條6英寸化合物半導體專用生產(chǎn)線的建設及投產(chǎn)，開發(fā)了多套量產(chǎn)化的化合物半導體工藝制程，承擔國家、省市級科研項目累計十余項。

唐高飛

杭州云鎵半導體科技有限公司研發(fā)總監(jiān)

報告主題：《氮化鎵功率器件與工業(yè)級應用前景》

嘉賓簡介：唐高飛，2010~2014畢業(yè)于電子科技大學微電子與固體電子學院，2014~2018于香港科技大學電子及計算機工程系攻讀博士學位，主要從事氮化鎵器件設計與單片集成技術(shù)開發(fā)。2018年加入華為技術(shù)有限公司數(shù)字能源產(chǎn)品線從事氮化鎵器件產(chǎn)品開發(fā)。2023年加入云鎵半導體，目前擔任公司研發(fā)總監(jiān)。

張亞民

北京工業(yè)大學微電子學院副教授

報告主題：《面向氮化鎵微波功率器件的異質(zhì)界面溫升表征方法》

嘉賓簡介：張亞民，北京工業(yè)大學，微電子學院，副教授/博導。2015年6月畢業(yè)于北京工業(yè)大學微電子學與固體電子學專業(yè)，獲工學博士學位，同年留校從事教學科研工作。多年來一直致力于新型半導體器件及可靠性的研究。近5年，作為項目負責人先后主持國家自然科學基金青年基金、面上項目，北京市自然科學基金面上、小米創(chuàng)新聯(lián)合基金等項目14項；發(fā)表SCI論文50余篇，其中近五年以第一作者或通訊作者在IEEE TPE/TIM/TED/EDL、APL等雜志發(fā)表SCI論文20余篇；授權(quán)發(fā)明專利20余件，作為主要人員研制的熱特性分析儀器在30余家企事業(yè)單位應用，獲北京市科學技術(shù)獎-技術(shù)發(fā)明二等獎，中國電子學會技術(shù)發(fā)明二等獎。

代高強

成都復錦功率半導體技術(shù)發(fā)展有限公司

副總裁，電源系統(tǒng)BU負責人

報告主題：《高功率密度高壓DC方案改善算力系統(tǒng)配電效率》

嘉賓簡介：代高強，成都復錦功率半導體技術(shù)發(fā)展有限公司合伙人，電源系統(tǒng)BU負責人，電子科技大學微電子學與固體電子學專業(yè)碩士。從事功率半導體的研發(fā)、應用相關(guān)工作十余年。

化夢媛

南方科技大學 助理教授

報告主題：《Ga-O原子間勢函數(shù)及其應用研究》

嘉賓簡介：化夢媛，2013年本科畢業(yè)于清華大學物理系，2017年博士畢業(yè)于香港科技大學電子及計算機工程系，2018年至今為南方科技大學電子系助理教授，副研究員，博士生導師，致力于寬禁帶半導體器件與IC研究，共發(fā)表國際高水平期刊與會議論文100余篇，引用超3100次。成果包括國際頂會IEDM 7篇， ISPSD 11篇，IEEE EDL 16篇，IEEE TED 8篇等，主持國家及省部級項目5項。

蔣其夢

中國科學院微電子研究所 研究員

報告主題：《氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究》

嘉賓簡介：蔣其夢，中國科學院微電子研究所研究員。2003年到2010年就讀于電子科技大學，2015年畢業(yè)于香港科技大學獲博士學位，同年加入國內(nèi)Tier-1公司工作，2018年任氮化鎵（GaN）功率器件開發(fā)團隊帶頭人。2021年2月加入中科院微電子研究所，聘為研究員，獲中科院百人計劃擇優(yōu)支持。2010年以來一直致力于GaN基功率器件及集成電路的研究，在GaN-on-SOI襯底平臺，硅基GaN襯底交調(diào)效應，硅基GaN集成電路設計等研究方面取得一些較有國際影響力的創(chuàng)新成果。帶領研發(fā)團隊，從0到1實現(xiàn)了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的氮化鎵器件及集成芯片的技術(shù)突破及產(chǎn)品量產(chǎn)。2013年獲得國際頂級會議ISPSD最佳青年口頭報告獎（Charitat Award）。

魏家行

東南大學集成電路學院副研究員

報告主題：《碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究》

嘉賓簡介：魏家行，博士，東南大學副研究員，主要從事功率半導體器件及其集成技術(shù)的研究工作。共發(fā)表權(quán)威期刊和國際會議論文40余篇，其中一作/通訊20篇；授權(quán)PCT專利2項，中國發(fā)明專利15項；主持/骨干參與國家自然科學基金、國家重點研發(fā)計劃等項目10余項；獲東南大學“至善青年學者”支持；獲2021年江蘇省科學技術(shù)二等獎。

鄭柘煬

中國科學技術(shù)大學國家示范性微電子學院

特任教授、博士生導師

報告主題：《面向全GaN集成的互補型邏輯器件與電路》

嘉賓簡介：鄭柘煬博士現(xiàn)為中國科學技術(shù)大學微電子學院特任教授、博士生導師。主要研究興趣為半導體理論、器件物理、器件設計、器件-電路交互、以及器件與集成電路的制備工藝，尤其是寬禁帶半導體材料與電子器件在高效電能轉(zhuǎn)換（電力電子/功率電子）以及無線通信（射頻電路）的應用。研究工作發(fā)表于Nature Electronics, IEEE Electron Device Letters, Advanced Materials, Applied Physics Letters, IEDM 和 ISPSD等高水平國際期刊和會議，其中關(guān)于GaN CMOS IC的研究獲得2021年度中國半導體十大進展提名獎。

王方洲

松山湖材料實驗室工程師

報告主題：《低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究》

嘉賓簡介：王方洲博士，松山湖材料實驗室公共技術(shù)平臺工程師，畢業(yè)于電子科技大學，專注于GaN功率半導體器件的理論模型、結(jié)構(gòu)設計、器件工藝和測試表征等方面的研究。在博士期間，通過松山湖材料實驗室牽頭的“廣東省重點領域研發(fā)計劃”合作項目，完整經(jīng)歷其公共技術(shù)平臺的GaN器件工藝能力建設進程，主導和完成全流程關(guān)鍵工藝技術(shù)開發(fā)，面向應用需求實現(xiàn)整片晶圓上的大柵寬器件工藝整合，獲得高性能和高一致性的增強型GaN功率器件。近年來，參與多項國家級和省部級項目，發(fā)表SCI期刊以及國際會議論文共20余篇，其中第一作者論文8篇，h-index為12，申請中國發(fā)明專利17項，其中授權(quán)7項。

更多報告嘉賓將持續(xù)公布，敬請期待！

擬參與單位：

電子科技大學、成都信息工程大學、中芯國際、三安半導體、浙江大學、中國科學技術(shù)大學、東南大學、西安電子科技大學、西安交通大學、清華大學、山東天岳、科友半導體、國星光電、ULVAC、華虹半導體、斯達半導體、蓉矽半導體、陽光電源、揚杰科技、英飛凌、北京大學、廈門大學、中科院半導體所、南京大學、中科院微電子所、長飛半導體、華為、海思半導體、鍇威特、基本半導體、中電科四十六所、中電科五十五所、天津大學、華大九天、西門子、博世、三環(huán)集團、中科院微電子所、中鎵半導體、日立、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、國家電網(wǎng)、華大半導體、意法半導體、中博芯、西安愛科賽博 、小鵬汽車、復旦大學、東莞天域、比亞迪半導體、西安西馳電氣、理想汽車、英諾賽科、士蘭微、芯邁半導體、中國科學院電工所、立昂微電子、長川科技、眾硅電子、萊普科技、海威華芯、麥科信、安徽大學、云鎵半導體……

活動參與：

注冊費2800元，4月18日前注冊報名2500元（含會議資料袋，27日歡迎晚宴、28日自助午餐、晚餐）。

2、繳費方式

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

②移動支付

備注：通過銀行匯款/移動支付，請務必備注：單位簡稱+姓名+成都，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

③現(xiàn)場繳費（接受現(xiàn)金和刷卡）

報告及論文投稿聯(lián)系：

賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com

白女士18888840079，bailu@casmita.com

參會及商務合作：

賈先生 18310277858，jiaxl@casmita.com

張女士 13681329411，zhangww@casmita.com

段先生 13717922543，duanpf@casmita.com

協(xié)議酒店：

酒店名稱：成都金韻酒店（成都金府路668號）

聯(lián)系人 何經(jīng)理 13548180263，2569807009@qq.com

協(xié)議價格：400  元/每晚（含早）