為更好的推動(dòng)國內(nèi)功率半導(dǎo)體及集成電路學(xué)術(shù)及產(chǎn)業(yè)交流，在電子科技大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)下，極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 聯(lián)合電子薄膜與集成器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 、成都信息工程大學(xué)、電子科技大學(xué)集成電路研究中心、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 于 2024年4月26-28日 共同主辦“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2024）”，論壇會(huì)議內(nèi)容將涵蓋寬禁帶碳化硅和氮化鎵為代表的高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等幾大主題，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計(jì)、芯片加工、模塊封裝、測(cè)試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機(jī)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。

會(huì)議時(shí)間：2024年4月26-28日

會(huì)議地點(diǎn)：四川·成都·成都金韻酒店六層

組織機(jī)構(gòu)：

指導(dǎo)單位：

電子科技大學(xué)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

主辦單位：

電子薄膜與集成器件全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

成都信息工程大學(xué)

電子科技大學(xué)集成電路研究中心

極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.jycsgw.cn）

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

承辦單位

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

協(xié)辦支持：

成都氮矽科技有限公司

程序委員會(huì)：

大會(huì)主席：張波

程序委員會(huì)主席：羅小蓉

副主席：趙璐冰 周琦

程序委員會(huì)：鄧小川 龍世兵 王來利 明鑫 楊樹 劉斯揚(yáng) 郭清 魏進(jìn) 金銳 周春華 劉成 蔣其夢(mèng) 高巍 包琦龍 潘嶺峰 葉懷宇 劉雯 張召富 李虞鋒 魏杰等

二、主題方向

1.硅基功率器件與集成技術(shù)

高壓硅基功率器件（>200 V）、器件仿真與設(shè)計(jì)技術(shù)、器件測(cè)試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、低壓硅基功率器件（≤200 V）、可集成功率器件

2.氮化鎵、III/V族化合物半導(dǎo)體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導(dǎo)體功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

3.碳化硅、氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)

碳化硅功率器件、氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

4.模組與封裝技術(shù)

功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)與封裝可靠性

5.功率集成電路設(shè)計(jì)

功率集成IC設(shè)計(jì)、寬禁帶功率器件驅(qū)動(dòng)IC、功率集成電路測(cè)試技術(shù)、功率集成工藝平臺(tái)與制造技術(shù)

6.面向功率器件及集成電路的核心材料及裝備

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料、退火、刻蝕、離子注入、封裝、檢測(cè)及測(cè)試設(shè)備等

三、會(huì)議日程（擬定）   

時(shí)間：2024年4月26-28日    

地點(diǎn)：成都金韻酒店六樓   四川省成都市金牛區(qū)金府路668號(hào)

時(shí)間		主要安排
4月26日		注冊(cè) 報(bào)到
4月27日	09:00-17:00	報(bào)到&資料領(lǐng)取
	13:30-17:30	開幕大會(huì)及主旨報(bào)告
	18:00-21:00	歡迎晚宴
4月28日	08:30-12:00	分論壇1：高壓功率與集成（TBD）	分論壇2：器件仿真設(shè)計(jì)與制造（TBD）
	12:00-13:30	午餐&交流
	13:30-17:30	分論壇3：低壓功率與集成（TBD）	分論壇4：模塊封裝及應(yīng)用（TBD）
	18:30-20:30	晚餐&結(jié)束
4月29日	08:30-12:00	商務(wù)考察活動(dòng)&返程
備注：僅供參考，以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。

報(bào)告嘉賓：

目前27位報(bào)告嘉賓及報(bào)告主題公布，詳情如下：

（介紹不分先后，僅供參考?。?/span>

羅小蓉

成都信息工程大學(xué)副校長(zhǎng)

電子科技大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師

報(bào)告主題：《氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用》

嘉賓簡(jiǎn)介：羅小蓉，教授，博導(dǎo)，國家級(jí)人才計(jì)劃入選者，愛思唯爾中國高被引學(xué)者，獲國家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)、四川省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、教育部自然科學(xué)二等獎(jiǎng)等。長(zhǎng)期從事氮化鎵、氧化鎵和硅基功率半導(dǎo)體器件與集成電路的研究，主持國防卓越青年科技基金、173重點(diǎn)項(xiàng)目、國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目、國家科技重大專項(xiàng)和重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃以及省部級(jí)項(xiàng)目等40余項(xiàng)，發(fā)表SCI論文120余篇，其中以第一作者和通訊作者在微電子器件頂級(jí)期刊IEEE EDL和IEEE TED上發(fā)表論文40余篇，作為第一發(fā)明人申請(qǐng)專利150余項(xiàng)，其中授權(quán)美國發(fā)明專利6項(xiàng)、中國發(fā)明專利80余項(xiàng)。

 

魏  進(jìn)

北京大學(xué)集成電路學(xué)院研究員、博士生導(dǎo)師

報(bào)告主題：《如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡(jiǎn)單易用？》

嘉賓簡(jiǎn)介：魏進(jìn)，北京大學(xué)集成電路學(xué)院研究員、博士生導(dǎo)師。長(zhǎng)期致力于 GaN 基、 SiC 基功率電子器件的研究，在新型器件結(jié)構(gòu)開發(fā)、可靠性技術(shù)、集成技術(shù)等方面取得一系列有一定國際影響力的創(chuàng)新成果。以一作/通訊作者發(fā)表學(xué)術(shù)論文70余篇，包括本領(lǐng)域權(quán)威學(xué)術(shù)會(huì)議IEDM 5篇，ISPSD 19篇，權(quán)威學(xué)術(shù)期刊IEEE EDL 16篇、IEEE TED 18篇。Google總引用3400 余次， H 因子 32，授權(quán)中國/英國/美國專利 10項(xiàng)。近五年作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人承擔(dān)了國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃子課題、國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目等科研項(xiàng)目。

 

王德君

大連理工大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師

報(bào)告主題：《SiC半導(dǎo)體表界面缺陷及MOS器件可靠性》

嘉賓簡(jiǎn)介：王德君，大連理工大學(xué)教授，博士生導(dǎo)師。長(zhǎng)期從事第三代半導(dǎo)體SiC器件關(guān)鍵技術(shù)及裝備研究。深耕柵氧及界面缺陷分析技術(shù)、可靠性制造技術(shù)及裝備二十余年。解決了SiC MOS器件柵氧可靠性制造中的多項(xiàng)理論和技術(shù)問題，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了重要的理論和技術(shù)支撐。

 

章文通

電子科技大學(xué)教授

報(bào)告主題：《硅基超結(jié)-功率半導(dǎo)體More silicon發(fā)展的主力器件》

嘉賓簡(jiǎn)介：章文通，教授，國家級(jí)青年人才，研究方向?yàn)楣β拾雽?dǎo)體器件與功率集成技術(shù)，主持國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、青年基金項(xiàng)目，參與國家科技重大專項(xiàng)、國家自然科學(xué)基金及多項(xiàng)橫向合作課題項(xiàng)目。在本領(lǐng)域頂級(jí)期刊IEEE EDL和IEEE TED發(fā)表論文22篇，論文3次入選IEEE EDL封面Highlight論文，授權(quán)發(fā)明專利41項(xiàng)，含美國專利2項(xiàng)；獲工信部技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)、中國產(chǎn)學(xué)研合作創(chuàng)新成果二等獎(jiǎng)，電子科技大學(xué)學(xué)術(shù)新人獎(jiǎng)等獎(jiǎng)項(xiàng)，獲中國電子學(xué)會(huì)優(yōu)秀博士論文獎(jiǎng)，并由此入選2020年該學(xué)會(huì)首屆“電子信息前沿青年學(xué)者出版工程”，出版專著《功率超結(jié)器件》。

 

程新紅

中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員

報(bào)告主題：《SiC MOSFET 過流保護(hù)技術(shù)分析與研發(fā)》

嘉賓簡(jiǎn)介：程新紅研究員長(zhǎng)期從事微電子學(xué)與固體電子學(xué)領(lǐng)域研究工作，主要研究方向?yàn)椋簩捊麕О雽?dǎo)體功率器件、功率器件柵極驅(qū)動(dòng)芯片及保護(hù)電路、DC/DC電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。主持承擔(dān)了國家02重大專項(xiàng)課題、國家自然基金項(xiàng)目、中科院國際合作項(xiàng)目、上海市科技創(chuàng)新行動(dòng)計(jì)劃等多項(xiàng)重大科研任務(wù)，取得多項(xiàng)創(chuàng)新性成果，在功率器件等領(lǐng)域中得到了實(shí)際應(yīng)用。在IEEE Transactions on Industrial Electronics等期刊上發(fā)表SCI論文100余篇，申請(qǐng)專利30余件。2020年獲得上海市科學(xué)進(jìn)步二等獎(jiǎng)。

 

金  銳

北京智慧能源研究院

功率半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)，教授級(jí)高工

報(bào)告主題：《碳化硅MOSFET研究進(jìn)展及面臨的挑戰(zhàn)》

嘉賓簡(jiǎn)介：金銳，教授級(jí)高級(jí)工程師，2009年畢業(yè)于英國帝國理工大學(xué)物理學(xué)專業(yè)，獲理學(xué)博士學(xué)位?，F(xiàn)任北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)，是北京市優(yōu)秀青年骨干計(jì)劃獲得者，“IEEE PES輸配電技術(shù)委員會(huì)”委員，“中國電機(jī)工程學(xué)會(huì)電力電子器件專委會(huì)”委員，“功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟”副秘書長(zhǎng)。主持編寫柔性輸電用IGBT器件相關(guān)企業(yè)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)4項(xiàng)，出版專著2部，發(fā)表論文80余篇，申請(qǐng)專利150余項(xiàng)。

長(zhǎng)期從事大功率半導(dǎo)體芯片和器件研發(fā)工作，作為“先進(jìn)輸電技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”器件方向?qū)W術(shù)帶頭人，研發(fā)的3300V絕緣柵雙極晶體管（IGBT）芯片和器件實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，被收錄在2020年國資委《中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果推薦目錄》。2021年，自研3300V/1500A IGBT在廈門柔性直流輸電工程的鷺島換流站成功掛網(wǎng)運(yùn)行，標(biāo)志著IGBT核心技術(shù)實(shí)現(xiàn)了完全自主可控。作為最年輕的首席科學(xué)家，主持2016年首批國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目，成功研制了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的超大功率4500V/3000A壓接型IGBT,可以支持大規(guī)模海上風(fēng)電接入和長(zhǎng)距離大容量柔性直流輸電等新能源的戰(zhàn)略實(shí)施,并在張北柔性直流工程延慶站示范應(yīng)用，在國家“十三五”科技創(chuàng)新成就展中得到高度認(rèn)可。

 

張金平

電子科技大學(xué)研究員、博士生導(dǎo)師

報(bào)告主題：《IGBT的技術(shù)演進(jìn)與未來發(fā)展趨勢(shì)》

嘉賓簡(jiǎn)介：張金平，博士、電子科技大學(xué)研究員、博士生導(dǎo)師，美國伊利諾伊理工大學(xué)訪問學(xué)者，長(zhǎng)期從事功率半導(dǎo)體器件與集成電路的相關(guān)研究工作，主持和主研了數(shù)十項(xiàng)國家級(jí)、省部級(jí)和企業(yè)橫向合作課題的研究，并與企業(yè)合作開展了IGBT、SiC MOS等相關(guān)器件及模塊的產(chǎn)業(yè)化研發(fā)工作，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品的大批量應(yīng)用。在國內(nèi)外學(xué)術(shù)期刊和會(huì)議上發(fā)表學(xué)術(shù)論文數(shù)十篇；以第一發(fā)明人獲授權(quán)美國發(fā)明專利2項(xiàng)，中國發(fā)明專利100余項(xiàng)，部分專利實(shí)現(xiàn)了轉(zhuǎn)讓；獲國家工信部科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)1項(xiàng)，入選山東省泰山產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍人才。主要研究方向：1）Si基功率半導(dǎo)體器件及模塊，2）寬禁帶功率半導(dǎo)體器件及模塊，3）功率集成器件及智能功率集成電路。

 

張紫輝

廣東工業(yè)大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師

報(bào)告主題：《GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究》

嘉賓簡(jiǎn)介：張紫輝，廣東工業(yè)大學(xué)百人計(jì)劃特聘教授、博士生導(dǎo)師，省特聘專家、省特殊津貼專家，2006年畢業(yè)于山東大學(xué)并獲理學(xué)學(xué)士學(xué)位，2015年畢業(yè)于新加坡南洋理工大學(xué)并獲博士學(xué)位，入選2022年全球前2%頂尖科學(xué)家榜單。研究寬禁帶半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件物理、芯片設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)；已在Applied Physics Letters、IEEE Electron Devices等期刊發(fā)表科研論文近200篇，其中以第一作者/通訊作者發(fā)表文章130余篇；參與出版學(xué)術(shù)專著5部；獲授權(quán)美國專利、中國國家專利共計(jì)40項(xiàng)，已經(jīng)完成成果轉(zhuǎn)化5項(xiàng)；先后主持國家自然科學(xué)基金3項(xiàng)（其中重點(diǎn)基金項(xiàng)目1項(xiàng)）、參與科技部重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃2項(xiàng)、主持省部級(jí)及各類人才項(xiàng)目、企業(yè)橫向課題19項(xiàng)。

 

姚佳飛

南京郵電大學(xué)南通研究院 執(zhí)行副院長(zhǎng)

報(bào)告主題：《高K介質(zhì)在橫向功率器件中的應(yīng)用》

嘉賓簡(jiǎn)介：姚佳飛，南京郵電大學(xué)副教授、碩士生導(dǎo)師。2016年畢業(yè)于南京郵電大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)，獲博士學(xué)位。入選江蘇省333工程第三層次培養(yǎng)對(duì)象、江蘇省科協(xié)青年科技人才托舉工程。擔(dān)任南京郵電大學(xué)南通研究院(有限公司)執(zhí)行副院長(zhǎng)/總經(jīng)理、南通市集成電路封裝設(shè)計(jì)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任。主要從事硅基、SOI基和SiC基新型功率器件的設(shè)計(jì)、建模、封裝、表征和測(cè)試研究，以及基于新型功率器件的匹配電路、驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)和封測(cè)研究。主持國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、國家自然科學(xué)基金青年基金項(xiàng)目、江蘇省自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開放課題等項(xiàng)目15項(xiàng)，在TED、CPB等國內(nèi)外高水平期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文60余篇，申請(qǐng)專利60余項(xiàng)。

 

黃銘敏

四川大學(xué)物理學(xué)院微電子學(xué)系，

微電子技術(shù)四川省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，副教授

報(bào)告主題：《碳化硅功率器件的輻射效應(yīng)及抗輻射技術(shù)》

嘉賓簡(jiǎn)介：黃銘敏，2016年6月博士畢業(yè)于電子科技大學(xué)。從事低功耗、高可靠、抗輻射功率半導(dǎo)體器件研究。主持國家自然科學(xué)基金青年基金項(xiàng)目、四川省科技計(jì)劃項(xiàng)目和多項(xiàng)橫向項(xiàng)目，參與國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、國防科技工業(yè)抗輻照中心創(chuàng)新基金等多個(gè)項(xiàng)目，研究涉及IGBT和超結(jié)MOSFET的新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及開關(guān)可靠性優(yōu)化、碳化硅功率器件的輻射效應(yīng)及抗輻射技術(shù)等。已在IEEE EDL、IEEE TED等知名期刊及國際會(huì)議發(fā)表論文40余篇，其中一作/通訊作者SCI論文15篇。已獲授權(quán)發(fā)明專利20余項(xiàng)，其中以第一發(fā)明人獲美國發(fā)明專利1項(xiàng)，中國發(fā)明專利14項(xiàng)。2019年12月發(fā)表論文被Electronics Letters評(píng)選為當(dāng)期唯一的Feature Article。擔(dān)任IEEE TED、SST等多個(gè)SCI期刊審稿人。獲得四川大學(xué)教學(xué)成果一等獎(jiǎng)1次，校級(jí)教學(xué)獎(jiǎng)項(xiàng)10余次。

 

周賢達(dá)

廣東工業(yè)大學(xué)集成電路學(xué)院 副教授

報(bào)告主題：《非晶氧化物半導(dǎo)體功率器件：理論極限和初步實(shí)現(xiàn)》

嘉賓簡(jiǎn)介：周賢達(dá)，電子科技大學(xué)本科（2005年）及碩士（2008年），2013年博士畢業(yè)于香港科技大學(xué)，隨后在香港工業(yè)界先后負(fù)責(zé)功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)和生產(chǎn)，2017年至2022年擔(dān)任中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院副研究員，自2022年起擔(dān)任廣東工業(yè)大學(xué)集成電路學(xué)院副教授（青年百人A級(jí)）。周賢達(dá)博士成功推出過多款量產(chǎn)產(chǎn)品，累計(jì)獲中外發(fā)明專利授權(quán)18項(xiàng)，主持2項(xiàng)國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目，以第一/通訊作者身份在行業(yè)頂級(jí)會(huì)議和權(quán)威期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文12篇，并長(zhǎng)期擔(dān)任《IEEE Electron Devices Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》的審稿人以及業(yè)界知名企業(yè)技術(shù)顧問。

 

蔣華平

重慶大學(xué)研究員

報(bào)告主題：《碳化硅MOSFET動(dòng)態(tài)閾值漂移》

嘉賓簡(jiǎn)介：蔣華平，博士，重慶大學(xué)“百人計(jì)劃”特聘研究員，博士生導(dǎo)師。專注于碳化硅功率半導(dǎo)體芯片、封裝、測(cè)試以及應(yīng)用技術(shù)研究與開發(fā)10余年：中國中車2年、英國丹尼克斯（Dynex Semiconductor Ltd）4年、英國華威大學(xué)（University of Warwick）2年、重慶大學(xué)5年。發(fā)表學(xué)術(shù)論文共計(jì)70余篇，其中期刊論文40余篇、會(huì)議論文30余篇。中國發(fā)明專利40余項(xiàng)，其中已授權(quán)14項(xiàng)，英國發(fā)明專利2項(xiàng)。牽頭制定第三代半導(dǎo)體聯(lián)盟團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)1項(xiàng)，參與制定美國JEDEC標(biāo)準(zhǔn)1項(xiàng)。最早于國際頂級(jí)期刊IEEE Electron Device Letter上報(bào)道碳化硅MOSFET動(dòng)態(tài)閾值漂移問題。提出的局域電場(chǎng)增強(qiáng)理論，以及系列學(xué)術(shù)論文，被德國Infineon引用，作為JEDEC JEP195標(biāo)準(zhǔn)的制定依據(jù)。牽頭制定第三代半導(dǎo)體聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)“碳化硅MOSFET開關(guān)運(yùn)行條件下閾值穩(wěn)定性測(cè)試方法”。

 

劉  雯

西交利物浦大學(xué)高級(jí)副教授

報(bào)告主題：《用于功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的氮化鎵單片集成》

嘉賓簡(jiǎn)介：劉雯博士，西交利物浦大學(xué)智能工程學(xué)院電子與電氣工程系高級(jí)副教授，博士生導(dǎo)師，英國高等教育協(xié)會(huì)會(huì)士，IEEE 電路與系統(tǒng)/電子器件學(xué)會(huì)蘇州分會(huì)主席，國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)青年創(chuàng)新促進(jìn)委員會(huì)副主任委員，IEEE高級(jí)會(huì)員。2004年北京大學(xué)電子學(xué)系畢業(yè)，2008年取得新加坡南洋理工大學(xué)電子電氣工程學(xué)院博士學(xué)位；主要研究方向?qū)捊麕О雽?dǎo)體氮化鎵、碳化硅電力電子器件及其單片集成電路設(shè)計(jì)與制備關(guān)鍵技術(shù)。發(fā)表學(xué)術(shù)論文80余篇，多次受邀發(fā)表國際會(huì)議報(bào)告。

 

母鳳文

北京青禾晶元半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司董事長(zhǎng)

報(bào)告主題：《先進(jìn)鍵合集成技術(shù)與應(yīng)用》

嘉賓簡(jiǎn)介：母鳳文，博士，曾任中科院研究員、東京大學(xué)助理教授、日本早稻田大學(xué)講師，從事低溫異質(zhì)鍵合集成及器件制造封裝的研究十余年，精通半導(dǎo)體先進(jìn)復(fù)合基板制造、先進(jìn)封裝工藝整套流程及異質(zhì)集成裝備。發(fā)表30余篇SCI收錄論文，曾主持國家自然科學(xué)基金、日本學(xué)術(shù)振興會(huì)科研項(xiàng)目和精密測(cè)量技術(shù)推廣基金會(huì)項(xiàng)目，并參與日本總務(wù)省的5G基礎(chǔ)技術(shù)研究項(xiàng)目，以及多項(xiàng)校企合作研究項(xiàng)目，有著豐富的產(chǎn)研合作經(jīng)驗(yàn)。曾獲得日本東京大學(xué)工學(xué)院院長(zhǎng)獎(jiǎng)、日本第29次電子封裝學(xué)會(huì)講演大會(huì)研究獎(jiǎng)勵(lì)獎(jiǎng)、4th IEEE LTB-3D國際研討會(huì)最佳發(fā)表獎(jiǎng)、2019年度國家教育部科技獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)和中科院海外高層次人才。

 

包琦龍

海思科技有限公司功率半導(dǎo)體器件部技術(shù)專家

報(bào)告主題：《ICT 場(chǎng)景下中低壓(<200V) GaN 器件應(yīng)用挑戰(zhàn)》

 

林書勛

成都海威華芯科技有限公司博士 生產(chǎn)總監(jiān)

報(bào)告主題：《新型功率半導(dǎo)體器件在新基建中的應(yīng)用》

嘉賓簡(jiǎn)介：林書勛，男，高級(jí)工程師，1986年生，2016年獲得北京大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)理學(xué)博士學(xué)位，同年加入成都海威華芯科技有限公司，現(xiàn)任海威華芯生產(chǎn)總監(jiān)。主要研究方向?yàn)榛衔锇雽?dǎo)體器件及電路設(shè)計(jì)及制造，在半導(dǎo)體物理、器件物理方面有深厚的理論功底，以第一作者在國際著名微電子學(xué)期刊雜志IEEE EDL、JAP等上發(fā)表論文10余篇，在國際上首次使用氧化輔助濕法腐蝕的方法實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型氮化鎵功率器件，有10年以上化合物半導(dǎo)體研發(fā)及制造經(jīng)驗(yàn)，并擁有國內(nèi)外專利20余項(xiàng)，參與中國第一條6英寸化合物半導(dǎo)體專用生產(chǎn)線的建設(shè)及投產(chǎn)，開發(fā)了多套量產(chǎn)化的化合物半導(dǎo)體工藝制程，承擔(dān)國家、省市級(jí)科研項(xiàng)目累計(jì)十余項(xiàng)。

 

唐高飛

杭州云鎵半導(dǎo)體科技有限公司研發(fā)總監(jiān)

報(bào)告主題：《氮化鎵功率器件與工業(yè)級(jí)應(yīng)用前景》

嘉賓簡(jiǎn)介：唐高飛，2010~2014畢業(yè)于電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院，2014~2018于香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)工程系攻讀博士學(xué)位，主要從事氮化鎵器件設(shè)計(jì)與單片集成技術(shù)開發(fā)。2018年加入華為技術(shù)有限公司數(shù)字能源產(chǎn)品線從事氮化鎵器件產(chǎn)品開發(fā)。2023年加入云鎵半導(dǎo)體，目前擔(dān)任公司研發(fā)總監(jiān)。

 

張亞民

北京工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)院副教授

報(bào)告主題：《面向氮化鎵微波功率器件的異質(zhì)界面溫升表征方法》

嘉賓簡(jiǎn)介：張亞民，北京工業(yè)大學(xué)，微電子學(xué)院，副教授/博導(dǎo)。2015年6月畢業(yè)于北京工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)，獲工學(xué)博士學(xué)位，同年留校從事教學(xué)科研工作。多年來一直致力于新型半導(dǎo)體器件及可靠性的研究。近5年，作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人先后主持國家自然科學(xué)基金青年基金、面上項(xiàng)目，北京市自然科學(xué)基金面上、小米創(chuàng)新聯(lián)合基金等項(xiàng)目14項(xiàng)；發(fā)表SCI論文50余篇，其中近五年以第一作者或通訊作者在IEEE TPE/TIM/TED/EDL、APL等雜志發(fā)表SCI論文20余篇；授權(quán)發(fā)明專利20余件，作為主要人員研制的熱特性分析儀器在30余家企事業(yè)單位應(yīng)用，獲北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)-技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)，中國電子學(xué)會(huì)技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)。

 

代高強(qiáng)

成都復(fù)錦功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展有限公司

副總裁，電源系統(tǒng)BU負(fù)責(zé)人

報(bào)告主題：《高功率密度高壓DC方案改善算力系統(tǒng)配電效率》

嘉賓簡(jiǎn)介：代高強(qiáng)，成都復(fù)錦功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展有限公司合伙人，電源系統(tǒng)BU負(fù)責(zé)人，電子科技大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)碩士。從事功率半導(dǎo)體的研發(fā)、應(yīng)用相關(guān)工作十余年。

 

蔣其夢(mèng)

中國科學(xué)院微電子研究所 研究員

報(bào)告主題：《氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究》

嘉賓簡(jiǎn)介：蔣其夢(mèng)，中國科學(xué)院微電子研究所研究員。2003年到2010年就讀于電子科技大學(xué)，2015年畢業(yè)于香港科技大學(xué)獲博士學(xué)位，同年加入國內(nèi)Tier-1公司工作，2018年任氮化鎵（GaN）功率器件開發(fā)團(tuán)隊(duì)帶頭人。2021年2月加入中科院微電子研究所，聘為研究員，獲中科院百人計(jì)劃擇優(yōu)支持。2010年以來一直致力于GaN基功率器件及集成電路的研究，在GaN-on-SOI襯底平臺(tái)，硅基GaN襯底交調(diào)效應(yīng)，硅基GaN集成電路設(shè)計(jì)等研究方面取得一些較有國際影響力的創(chuàng)新成果。帶領(lǐng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，從0到1實(shí)現(xiàn)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氮化鎵器件及集成芯片的技術(shù)突破及產(chǎn)品量產(chǎn)。2013年獲得國際頂級(jí)會(huì)議ISPSD最佳青年口頭報(bào)告獎(jiǎng)（Charitat Award）。

 

魏家行

東南大學(xué)集成電路學(xué)院副研究員

報(bào)告主題：《碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究》

嘉賓簡(jiǎn)介：魏家行，博士，東南大學(xué)副研究員，主要從事功率半導(dǎo)體器件及其集成技術(shù)的研究工作。共發(fā)表權(quán)威期刊和國際會(huì)議論文40余篇，其中一作/通訊20篇；授權(quán)PCT專利2項(xiàng)，中國發(fā)明專利15項(xiàng)；主持/骨干參與國家自然科學(xué)基金、國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等項(xiàng)目10余項(xiàng)；獲東南大學(xué)“至善青年學(xué)者”支持；獲2021年江蘇省科學(xué)技術(shù)二等獎(jiǎng)。

 

鄭柘煬

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)國家示范性微電子學(xué)院

特任教授、博士生導(dǎo)師

報(bào)告主題：《面向全GaN集成的互補(bǔ)型邏輯器件與電路》

嘉賓簡(jiǎn)介：鄭柘煬博士現(xiàn)為中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院特任教授、博士生導(dǎo)師。主要研究興趣為半導(dǎo)體理論、器件物理、器件設(shè)計(jì)、器件-電路交互、以及器件與集成電路的制備工藝，尤其是寬禁帶半導(dǎo)體材料與電子器件在高效電能轉(zhuǎn)換（電力電子/功率電子）以及無線通信（射頻電路）的應(yīng)用。研究工作發(fā)表于Nature Electronics, IEEE Electron Device Letters, Advanced Materials, Applied Physics Letters, IEDM 和 ISPSD等高水平國際期刊和會(huì)議，其中關(guān)于GaN CMOS IC的研究獲得2021年度中國半導(dǎo)體十大進(jìn)展提名獎(jiǎng)。

 

嚴(yán)穎怡

電子科技大學(xué)教授

報(bào)告主題：《在功率變換器中電流檢測(cè)的挑戰(zhàn)》

嘉賓簡(jiǎn)介：嚴(yán)穎怡，教授，國家級(jí)青年人才，IEEE高級(jí)會(huì)員，研究方向?yàn)楣β首儞Q系統(tǒng)設(shè)計(jì)和集成技術(shù)。在功率電子頂級(jí)期刊IEEE Transaction on Power Electronics、集成電路頂級(jí)期刊JSSC以及APEC、ECCE等國際會(huì)議上發(fā)表論文30篇。曾獲IEEE Transaction on Power Electronics優(yōu)秀論文獎(jiǎng)及優(yōu)秀審稿專家獎(jiǎng)。2013-2023年在Linear Technology/Analog Devices任功率集成電路芯片設(shè)計(jì)師和設(shè)計(jì)主管。擔(dān)任IEEE Transaction on Power Electronics和IEEE Open Journal of Power Electronics 副主編。獲授權(quán)美國專利14項(xiàng)，中國發(fā)明專利3項(xiàng)。

 

化夢(mèng)媛

南方科技大學(xué) 助理教授

報(bào)告主題：《Ga-O原子間勢(shì)函數(shù)及其應(yīng)用研究》

嘉賓簡(jiǎn)介：化夢(mèng)媛，2013年本科畢業(yè)于清華大學(xué)物理系，2017年博士畢業(yè)于香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)工程系，2018年至今為南方科技大學(xué)電子系助理教授，副研究員，博士生導(dǎo)師，致力于寬禁帶半導(dǎo)體器件與IC研究，共發(fā)表國際高水平期刊與會(huì)議論文100余篇，引用超3100次。成果包括國際頂會(huì)IEDM 7篇， ISPSD 11篇，IEEE EDL 16篇，IEEE TED 8篇等，主持國家及省部級(jí)項(xiàng)目5項(xiàng)。

 

王方洲

松山湖材料實(shí)驗(yàn)室工程師

報(bào)告主題：《低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究》

嘉賓簡(jiǎn)介：王方洲博士，松山湖材料實(shí)驗(yàn)室公共技術(shù)平臺(tái)工程師，畢業(yè)于電子科技大學(xué)，專注于GaN功率半導(dǎo)體器件的理論模型、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、器件工藝和測(cè)試表征等方面的研究。在博士期間，通過松山湖材料實(shí)驗(yàn)室牽頭的“廣東省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計(jì)劃”合作項(xiàng)目，完整經(jīng)歷其公共技術(shù)平臺(tái)的GaN器件工藝能力建設(shè)進(jìn)程，主導(dǎo)和完成全流程關(guān)鍵工藝技術(shù)開發(fā)，面向應(yīng)用需求實(shí)現(xiàn)整片晶圓上的大柵寬器件工藝整合，獲得高性能和高一致性的增強(qiáng)型GaN功率器件。近年來，參與多項(xiàng)國家級(jí)和省部級(jí)項(xiàng)目，發(fā)表SCI期刊以及國際會(huì)議論文共20余篇，其中第一作者論文8篇，h-index為12，申請(qǐng)中國發(fā)明專利17項(xiàng)，其中授權(quán)7項(xiàng)。

 

孫佳慧

香港科技大學(xué)博士后

報(bào)告主題：《肖特基型p-GaN柵GaN HEMT的柵極抗靜電魯棒性》

嘉賓簡(jiǎn)介：孫佳慧，師從碳化硅器件專家盛況教授。2018年獲得香港政府博士獎(jiǎng)學(xué)金計(jì)劃（HKPFS）資助，于香港科技大學(xué)攻讀博士學(xué)位，師從氮化鎵器件專家陳敬教授（Kevin J. Chen，IEEE fellow）。2022年博士畢業(yè)后，作為博士后在陳敬教授課題組繼續(xù)從事研究工作。2024年5月將轉(zhuǎn)任香港科技大學(xué)研究助理教授。近年來，圍繞寬禁帶半導(dǎo)體功率器件可靠性的主題，作為第一作者或通訊作者在電力電子與電子器件兩大領(lǐng)域的頂級(jí)期刊發(fā)表論文11篇。作為第一作者，連續(xù)8年在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂級(jí)會(huì)議“功率半導(dǎo)體與集成電路國際會(huì)議” (ISPSD) 報(bào)道研究成果。申請(qǐng)了一項(xiàng)美國發(fā)明專利。作為第一作者發(fā)表的研究成果共獲得20位中國、美國、丹麥院士和IEEE fellow以及十余家著名企業(yè)的引用與正面評(píng)價(jià)。

 

李 旭

電子科技大學(xué)博士

報(bào)告主題：《碳化硅MOSFET的第三象限特性研究》

嘉賓簡(jiǎn)介：李旭，電子科技大學(xué)，博士研究生，一直從事寬禁帶半導(dǎo)體SiC功率器件理論、模型、可靠性機(jī)理及其加固新結(jié)構(gòu)研究，近五年主要進(jìn)行高功率密度平面柵和溝槽柵SiC MOSFET在瞬態(tài)極端應(yīng)力下的性能退化與失效機(jī)理研究。參與了國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)/面上項(xiàng)目、國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃子課題、以及省部級(jí)基金和企業(yè)橫向項(xiàng)目等多項(xiàng)SiC功率器件領(lǐng)域的課題研究，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域頂級(jí)期刊IEEE Trans. Power Electronics、IEEE Electron Device Letter、 IEEE Trans. Electron Device 以及 ISPSD、ICSCRM 等國際學(xué)術(shù)會(huì)議上發(fā)表論文10余篇，申請(qǐng)中國發(fā)明專利10余項(xiàng)。通過與國內(nèi)科研院所和企業(yè)合作，基于國內(nèi)碳化硅芯片制造平臺(tái)，開發(fā)出650V~10kV不同電壓系列的SiC MOSFET芯片和二極管。

更多報(bào)告嘉賓將持續(xù)公布，敬請(qǐng)期待！

擬參與單位：

電子科技大學(xué)、成都信息工程大學(xué)、中芯國際、三安半導(dǎo)體、浙江大學(xué)、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、東南大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西安交通大學(xué)、清華大學(xué)、山東天岳、科友半導(dǎo)體、國星光電、ULVAC、華虹半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)體、蓉矽半導(dǎo)體、陽光電源、揚(yáng)杰科技、英飛凌、北京大學(xué)、廈門大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、南京大學(xué)、中科院微電子所、長(zhǎng)飛半導(dǎo)體、華為、海思半導(dǎo)體、鍇威特、基本半導(dǎo)體、中電科四十六所、中電科五十五所、天津大學(xué)、華大九天、西門子、博世、三環(huán)集團(tuán)、中科院微電子所、中鎵半導(dǎo)體、日立、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識(shí)電子、國家電網(wǎng)、華大半導(dǎo)體、意法半導(dǎo)體、中博芯、西安愛科賽博 、小鵬汽車、復(fù)旦大學(xué)、東莞天域、比亞迪半導(dǎo)體、西安西馳電氣、理想汽車、英諾賽科、士蘭微、芯邁半導(dǎo)體、中國科學(xué)院電工所、立昂微電子、長(zhǎng)川科技、眾硅電子、萊普科技、海威華芯、麥科信、安徽大學(xué)、云鎵半導(dǎo)體……

活動(dòng)參與：

注冊(cè)費(fèi)2800元，4月18日前注冊(cè)報(bào)名2500元（含會(huì)議資料袋，27日歡迎晚宴、28日自助午餐、晚餐）。

2、繳費(fèi)方式

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào)：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

②移動(dòng)支付

備注：通過銀行匯款/移動(dòng)支付，請(qǐng)務(wù)必備注：?jiǎn)挝缓?jiǎn)稱+姓名+成都，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請(qǐng)將報(bào)名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

③現(xiàn)場(chǎng)繳費(fèi)（接受現(xiàn)金和刷卡）

報(bào)告及論文投稿聯(lián)系：

賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com

白女士18888840079，bailu@casmita.com

參會(huì)及商務(wù)合作：

賈先生 18310277858，jiaxl@casmita.com

張女士 13681329411，zhangww@casmita.com

段先生 13717922543，duanpf@casmita.com

協(xié)議酒店：

酒店名稱：成都金韻酒店（成都金府路668號(hào)）

聯(lián)系人 何經(jīng)理 13548180263，2569807009@qq.com

協(xié)議價(jià)格：400  元/每晚（含早）