4月18日，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設(shè)。

能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，規(guī)劃建設(shè)生產(chǎn)廠房及配套設(shè)施，總建筑面積約10000平方米，采用先進(jìn)半導(dǎo)體外延、測試等工藝技術(shù)，購置MOCVD、XRD衍射儀、AFM原子力顯微鏡等設(shè)備，新建GaN外延片產(chǎn)線。項目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。該項目將對張家港經(jīng)開區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行橫向擴(kuò)能和縱向延伸，進(jìn)一步增強(qiáng)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。

幸福楊舍消息顯示，江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司是主要從事設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售以GaN為代表的復(fù)合半導(dǎo)體高性能晶圓、功率器件、芯片和模塊的高新技術(shù)企業(yè)。擁有包括外延材料、功率芯片和器件、射頻晶圓等行業(yè)內(nèi)最全的產(chǎn)品線，是國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)。

江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司官微顯示，作為行業(yè)領(lǐng)先的以氮化鎵功率器件為主的IDM公司， 江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司目前的產(chǎn)品線涵蓋氮化鎵外延片、 氮化鎵功率場效應(yīng)管、氮化鎵集成功率器件以及氮化鎵芯片代工等。并且能華半導(dǎo)體是全球少數(shù)同時掌握增強(qiáng)型GaN技術(shù)、 耗盡型GaN技術(shù)和耗盡型GaN直驅(qū)方案的半導(dǎo)體公司。

 （來源：集微）