由浙江大學(xué)、浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心牽頭，聯(lián)合工業(yè)與信息化部電子第五研究所、廣東工業(yè)大學(xué)、電子科技大學(xué)、南京大學(xué)、佛山市聯(lián)動(dòng)科技股份有限公司、佛山市國(guó)星光電股份有限公司、西交利物浦大學(xué)、香港科技大學(xué)等單位起草的標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 034—202X《用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》、T/CASAS 035—202X《用于第三象限續(xù)流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》已完成征求意見稿的編制，兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿按照CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定程序，反復(fù)斟酌、修改、編制而成，起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會(huì)。根據(jù)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化工作管理辦法，2024年4月1日起開始征求意見，截止日期2024年5月1日。

T/CASAS 034—202X《用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》描述了用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法。適用于進(jìn)行GaN HEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測(cè)試、可靠性評(píng)估及應(yīng)用評(píng)估等工作場(chǎng)景。

T/CASAS 035—202X《用于第三象限續(xù)流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》描述了用于第三象限續(xù)流模式（包括硬關(guān)斷和零電流關(guān)斷）的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）電力電子動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法。適用于進(jìn)行GaN HEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測(cè)試、可靠性評(píng)估及應(yīng)用評(píng)估等工作場(chǎng)景。

誠(chéng)摯地邀請(qǐng)具有GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻相關(guān)測(cè)試數(shù)據(jù)的單位共同討論，支撐標(biāo)準(zhǔn)的完善、實(shí)施應(yīng)用。

征求意見稿文本請(qǐng)聯(lián)盟成員單位關(guān)注聯(lián)絡(luò)郵箱，非會(huì)員單位可發(fā)郵件至casas@casa-china.cn。