2024年4月27日，“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2024）”在成都開幕。本次會(huì)議在電子科技大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)下，由電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、電子科技大學(xué)集成電路研究中心、成都信息工程大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、中國(guó)電源學(xué)會(huì)元器件專業(yè)委員會(huì)共同主辦。

來(lái)自全國(guó)各地高?？蒲性核膶W(xué)術(shù)界專家、學(xué)者和產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)袖200余位嘉賓代表出席本次論壇。圍繞硅基、化合物功率器件，以碳化硅和氮化鎵為代表的高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等主題，深入探討交流最新技術(shù)進(jìn)展與發(fā)展趨勢(shì)，分享前沿研究成果，攜手促進(jìn)功率半導(dǎo)體器件與集成電路技術(shù)與應(yīng)用發(fā)展。電子科技大學(xué)教授周琦主持了論壇開幕式環(huán)節(jié)。

AI時(shí)代連接前沿 探索科技自主新實(shí)踐

算力時(shí)代AI芯片的性能和功率加速提升，驅(qū)動(dòng)相關(guān)材料的技術(shù)變革和需求放量。半導(dǎo)體新材料支撐人工智能可持續(xù)發(fā)展。“功率芯”被認(rèn)為是“中國(guó)芯”的最佳突破口。功率半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，是國(guó)家“雙碳”戰(zhàn)略的關(guān)鍵支撐，也是保障國(guó)家安全和產(chǎn)業(yè)鏈安全的重要基石。功率半導(dǎo)體已廣泛應(yīng)用于國(guó)民經(jīng)濟(jì)各個(gè)領(lǐng)域。隨著人工智能、數(shù)字經(jīng)濟(jì)的蓬勃發(fā)展，功率半導(dǎo)體面臨新的機(jī)遇，也有望開拓更廣闊的市場(chǎng)空間。

電子科技大學(xué)教授 張波

作為四川代表性的科研力量之一，同時(shí)也是本次論壇的主辦方之一，電子科技大學(xué)是國(guó)家雙一流建設(shè)高校，完整覆蓋整個(gè)電子信息類學(xué)科，已成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)電子信息領(lǐng)域高新技術(shù)的源頭，創(chuàng)新人才的基地。論壇大會(huì)主席，電子科技大學(xué)教授張波為論壇致辭時(shí)表示，當(dāng)前人工智能的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體的發(fā)展正當(dāng)時(shí)，非常重要。本次會(huì)議群英薈萃，眾多領(lǐng)域?qū)＜覍W(xué)者和業(yè)界翹楚將分享功率半導(dǎo)體最新研究成果，探討前沿技術(shù)問(wèn)題，在當(dāng)前人工智能發(fā)展的科技背景下具有更加重要的意義。期待通過(guò)此次會(huì)議促進(jìn)學(xué)術(shù)交流，加強(qiáng)科技自主創(chuàng)新，推動(dòng)功率半導(dǎo)體行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng) 耿博

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)耿博致辭時(shí)表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力決定科技發(fā)展的高度。當(dāng)前，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入穩(wěn)步增長(zhǎng)的發(fā)展態(tài)勢(shì)，在AI算力、電力等需求驅(qū)動(dòng)下，全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的資源投入達(dá)到了新的高峰。我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模逐年攀升，已成為全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的重要增長(zhǎng)極。未來(lái)，隨著材料、器件等產(chǎn)業(yè)全鏈條技術(shù)的進(jìn)步與提升，功率半導(dǎo)體發(fā)展空間巨大。成都的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，已構(gòu)建了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈，在專業(yè)人才資源等方面有所積累，并擁有電子科技大學(xué)等具有優(yōu)勢(shì)的科研機(jī)構(gòu)，綜合實(shí)力強(qiáng)大。希望借此會(huì)議契機(jī)，共同為業(yè)界搭建高質(zhì)量的開放互動(dòng)交流平臺(tái)，共同探討，助力探索科技自主實(shí)踐。

深度聚焦技術(shù)進(jìn)展  助力新時(shí)代科技應(yīng)用前行

大會(huì)主旨報(bào)告環(huán)節(jié)，六大重量級(jí)報(bào)告，深入探討交流功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用的最新進(jìn)展及前沿新方向。電子科技大學(xué)教授周琦和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)耿博共同主持了大會(huì)報(bào)告環(huán)節(jié)。

電子科技大學(xué)教授周琦

成都信息工程大學(xué)副校長(zhǎng)、電子科技大學(xué)教授羅小蓉

《氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用》

GaN作為第三代半導(dǎo)體的代表，具備寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)和高電子遷移率等優(yōu)勢(shì)，在電力電子技術(shù)領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。成都信息工程大學(xué)副校長(zhǎng)、電子科技大學(xué)教授羅小蓉做了題為“氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用” 的主題報(bào)告， 重點(diǎn)闡述GaN在功率器件、柵驅(qū)動(dòng)以及高效電能變換三個(gè)方面的技術(shù)現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)以及應(yīng)對(duì)方法，涉及高可靠低損耗GaN電力電子器件新結(jié)構(gòu)，高頻率高精度GaN柵驅(qū)動(dòng)技術(shù)，以及基于GaN的高效高功率密度電源系統(tǒng)。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)趙璐冰

《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及展望》

應(yīng)用需求推動(dòng)半導(dǎo)體新材料不斷發(fā)展，顛覆性技術(shù)不斷涌現(xiàn)，我國(guó)巨大的市場(chǎng)需求亟待滿足。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)趙璐冰做了“第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及展望”的主題報(bào)告，分享了當(dāng)前產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展現(xiàn)狀，形勢(shì)與需求。報(bào)告指出，新能源汽車等應(yīng)用產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體需求增長(zhǎng)。8英寸SiC量產(chǎn)加快，企業(yè)積極布局溝槽柵MOSFET，氮化鎵邁向更廣闊領(lǐng)域。超寬禁帶半導(dǎo)體作為戰(zhàn)略儲(chǔ)備技術(shù)成為各國(guó)關(guān)注焦點(diǎn)。國(guó)際已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展階段，我國(guó)核心材料和器件的規(guī)?；a(chǎn)能力亟待突破。

廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司首席技術(shù)官相奇

《大規(guī)模碳化硅功率器件制造探索 》

廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司首席技術(shù)官相奇做了題為“大規(guī)模碳化硅功率器件制造探索 ”的主題報(bào)告，分享了市場(chǎng)需求、研發(fā)與制造的新進(jìn)展。報(bào)告指出，“雙碳”戰(zhàn)略開啟能源轉(zhuǎn)換的黃金時(shí)代，碳化硅很適合功率器件，具有系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)。全球碳化硅功率器件市場(chǎng)需求爆發(fā)式增長(zhǎng)。在新能源汽車應(yīng)用潛力巨大。當(dāng)前全球碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值主要集中在上游，主要由海外頭部企業(yè)主導(dǎo)。碳化硅市場(chǎng)規(guī)模和應(yīng)用領(lǐng)域爆發(fā)式增長(zhǎng)推動(dòng)規(guī)?；蛯I(yè)化生產(chǎn)。 

電子科技大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授陳萬(wàn)軍

《超快高壓脈沖功率半導(dǎo)體器件與應(yīng)用》

電子科技大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授陳萬(wàn)軍做了題為“超快高壓脈沖功率半導(dǎo)體器件與應(yīng)用”的主題報(bào)告，分享了最新研究成果。報(bào)告指出，超快高壓脈沖功率半導(dǎo)體器件是全固態(tài)脈沖功率系統(tǒng)的核心和關(guān)鍵。研制超快高壓脈沖功率芯片用于小型化脈沖起爆/點(diǎn)火系統(tǒng)，重復(fù)脈沖發(fā)動(dòng)機(jī)點(diǎn)火系統(tǒng)，固態(tài)直流斷路器等領(lǐng)域。 

西安交通大學(xué)電氣工程學(xué)院教授王來(lái)利

《碳化硅功率半導(dǎo)體器件與變換器封裝集成技術(shù)研究》

現(xiàn)有的器件封裝技術(shù)主要是基于硅半導(dǎo)體發(fā)展而來(lái)，難于充分發(fā)揮碳化硅半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)成為碳化硅器件走向大規(guī)模應(yīng)用的瓶頸性問(wèn)題。西安交通大學(xué)電氣工程學(xué)院教授王來(lái)利做了題為“碳化硅功率半導(dǎo)體器件與變換器封裝集成技術(shù)研究”的主題報(bào)告，分享了最新研究進(jìn)展與成果。報(bào)告指出，過(guò)去幾十年，半導(dǎo)體技術(shù)快速發(fā)展，芯片特性顯著提升。半導(dǎo)體芯片、器件封裝、裝備應(yīng)用還面臨著更高耐壓、效率、頻率等挑戰(zhàn)。相同封裝下寬禁帶器件比硅器件面臨更高的電熱應(yīng)力。也面臨著寬禁帶器件封裝材料體系無(wú)法匹配半導(dǎo)體高溫特性的挑戰(zhàn)。 

成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司常務(wù)副總經(jīng)理蔣興莉博士

《高密度IGBT實(shí)現(xiàn)路徑》

成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司常務(wù)副總經(jīng)理蔣興莉博士做了題為“高密度IGBT實(shí)現(xiàn)路徑”的主題報(bào)告，報(bào)告指出，盡管本土產(chǎn)量增速高于需求增速，但供需缺口絕對(duì)量仍有較大空間，仍以進(jìn)口為主。從下游IGBT需求結(jié)構(gòu)來(lái)看，中國(guó)IGBT需求結(jié)構(gòu)與全球市場(chǎng)不同，新能源汽車，消費(fèi)電子和工控是IGBT需求占比最大的三個(gè)下游領(lǐng)域。

會(huì)議期間，在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)趙璐冰的主持下，電子科技大學(xué)教授張波 ，大連理工大學(xué)教授王德君，廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司首席技術(shù)官相奇，西安交通大學(xué)電氣工程學(xué)院教授王來(lái)利，電子科技大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授陳萬(wàn)軍，成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司常務(wù)副總經(jīng)理蔣興莉博士齊聚，圍繞著寬禁帶半導(dǎo)體SiC/GaN、傳統(tǒng)Si基功率半導(dǎo)體的未來(lái)發(fā)展與機(jī)遇，SiC的爆發(fā)點(diǎn)、瓶頸，GaN的發(fā)展空間，大規(guī)模應(yīng)用領(lǐng)域，以及金剛石、GaO、AlN等的發(fā)展機(jī)會(huì)等當(dāng)前產(chǎn)業(yè)發(fā)展的最熱點(diǎn)話題，展開探討，現(xiàn)場(chǎng)提問(wèn)不斷，交流互動(dòng)氛圍熱烈。

本次論壇除開幕大會(huì)，兩天時(shí)間里，還設(shè)置了兩大平行論壇，圍繞“硅基、化合物功率器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用”、“高壓器件設(shè)計(jì)、集成及封裝應(yīng)用“等主題方向，來(lái)自產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)及高?？蒲性核膶?shí)力派嘉賓代表將深入研討，攜手促進(jìn)功率半導(dǎo)體器件與集成電路技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展。

論壇同期還設(shè)置了主題展覽，交流晚宴、商務(wù)考察等線上線下豐富的活動(dòng)形式，凝心聚力，助力對(duì)接資源，洽談合作。論壇期間，組織安排嘉賓代表們有意向的走訪電子科技大學(xué)、國(guó)家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺(tái)、電子科技大學(xué)分析測(cè)試中心、功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室等，實(shí)地了解，探討更多合作可能。

CASICON 系列活動(dòng)簡(jiǎn)介

“先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會(huì)（CASICON）” 是由【極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國(guó)巡回舉辦的行業(yè)綜合活動(dòng)?；顒?dòng)聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點(diǎn)領(lǐng)域與應(yīng)用方向，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，通過(guò)“主題會(huì)議+項(xiàng)目路演+展覽”等形式，促進(jìn)參與各方交流合作，積極推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動(dòng)將以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展為己任，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動(dòng)內(nèi)容，搭建更好的交流平臺(tái)，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)應(yīng)盡的力量。

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