5月8日，石嘴山高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)消息顯示，年產60萬片8英寸新能源半導體晶圓芯片智造孵化園項目在石嘴山高新區(qū)正式開工建設。

石嘴山發(fā)布消息顯示，據(jù)悉，年產60萬片8英寸新能源半導體晶圓芯片智造孵化園項目計劃投資15.2億元，年產值達到30億元以上，新增設備152余臺（套），年設計生產溝道金屬氧化物半導體勢壘肖特基二極管晶圓60萬片，規(guī)劃總占地面積約296.27畝，建構筑物占地面積81851.49平方米，總建筑面積約為220629.59平方米，主要建設內容包括生產廠房、動力廠房、封裝廠房、丙類廠房、綜合倉、變電站、甲類庫、大宗氣站、生產調度樓、食堂、門衛(wèi)等。

據(jù)了解，肖特基勢壘芯片或肖特基障壘芯片，是光伏發(fā)電組件的重要部件之一。肖特基芯片的導電是通過肖特基勢壘，具有更低的導通損耗、反向截止更低漏電、快速開關和低噪聲特性。