半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊 近日，寧夏石嘴山、盛劍環(huán)境半導(dǎo)體、河南省三門峽市澠池縣、誠銘電子、長飛先進等相關(guān)半導(dǎo)體項目有新進展，詳情如下：

寧夏石嘴山一半導(dǎo)體晶圓芯片項目開工建設(shè) 總投資15.2億元

 5月8日，石嘴山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)消息顯示，年產(chǎn)60萬片8英寸新能源半導(dǎo)體晶圓芯片智造孵化園項目在石嘴山高新區(qū)正式開工建設(shè)。石嘴山發(fā)布消息顯示，據(jù)悉，年產(chǎn)60萬片8英寸新能源半導(dǎo)體晶圓芯片智造孵化園項目計劃投資15.2億元，年產(chǎn)值達到30億元以上，新增設(shè)備152余臺（套），年設(shè)計生產(chǎn)溝道金屬氧化物半導(dǎo)體勢壘肖特基二極管晶圓60萬片，規(guī)劃總占地面積約296.27畝，建構(gòu)筑物占地面積81851.49平方米，總建筑面積約為220629.59平方米，主要建設(shè)內(nèi)容包括生產(chǎn)廠房、動力廠房、封裝廠房、丙類廠房、綜合倉、變電站、甲類庫、大宗氣站、生產(chǎn)調(diào)度樓、食堂、門衛(wèi)等。據(jù)了解，肖特基勢壘芯片或肖特基障壘芯片，是光伏發(fā)電組件的重要部件之一。肖特基芯片的導(dǎo)電是通過肖特基勢壘，具有更低的導(dǎo)通損耗、反向截止更低漏電、快速開關(guān)和低噪聲特性。

盛劍環(huán)境半導(dǎo)體先進綠色裝備生產(chǎn)項目正式投產(chǎn)

5月9日，盛劍環(huán)境半導(dǎo)體先進綠色裝備生產(chǎn)項目（以下簡稱“項目”）投產(chǎn)儀式順利舉行。盛劍環(huán)境泛半導(dǎo)體先進綠色裝備生產(chǎn)項目由A股主板上市公司上海盛劍環(huán)境系統(tǒng)科技股份有限公司出資建設(shè)，總投資約4億元，占地約115畝，總建筑面積約5.5萬平方米，項目包含3棟廠房、1棟辦公樓及其它配套設(shè)施。

據(jù)悉，湖北盛劍環(huán)境一期項目于2022年7月15日在孝正式投產(chǎn)，擁有多條半導(dǎo)體潔凈室專用管道及環(huán)保設(shè)備生產(chǎn)線。為實現(xiàn)戰(zhàn)略布局，進行半導(dǎo)體領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)價值延伸，2023年5月10日，盛劍環(huán)境與孝感高新區(qū)簽訂盛劍環(huán)境泛半導(dǎo)體先進綠色裝備生產(chǎn)項目合同，總投資4億元，建設(shè)半導(dǎo)體配套先進綠色裝備生產(chǎn)線。投產(chǎn)儀式的啟動，為盛劍半導(dǎo)體先進綠色裝備生產(chǎn)項目按下了“加速鍵”。項目達產(chǎn)后預(yù)計可實現(xiàn)年產(chǎn)值8億元以上，年入庫稅收4000萬元以上，提供就業(yè)崗位500個以上。

總投資10億元，化合物半導(dǎo)體碳化硅材料和固廢綜合利用砷化鎵襯底項目簽約

 5月9日，河南省三門峽市澠池縣化合物半導(dǎo)體碳化硅材料和固廢綜合利用砷化鎵襯底項目簽約儀式舉行。據(jù)悉，此次簽約項目總投資10億元，其中年產(chǎn)2.5萬片碳化硅導(dǎo)電型襯底加工產(chǎn)業(yè)化項目，建設(shè)6/8寸碳化硅襯底研發(fā)、生產(chǎn)線，形成2.5萬片綜合產(chǎn)能；年產(chǎn)40萬片砷化鎵晶體及襯底加工制造項目，規(guī)劃占地1.2萬平方米，建設(shè)砷化鎵晶體及襯底加工的研發(fā)、生產(chǎn)、應(yīng)用生產(chǎn)線及配套設(shè)施。

誠銘高端聲學(xué)元器件項目開工 總投資3.5億元

5月8日，誠銘電子科技有限公司高端聲學(xué)元器件項目開工建設(shè)，項目總投資約3.5億元，建成后可年產(chǎn)揚聲器1億只。誠銘電子高端聲學(xué)元器件項目是常州市重大產(chǎn)業(yè)項目，項目新建3棟廠房及配套，新增總建筑面積約4萬平方米。項目建成后，公司自主研發(fā)創(chuàng)新、技術(shù)成果轉(zhuǎn)化、生產(chǎn)工藝水平和試驗檢測等能力都將大幅提升。

常州誠銘電子科技有限公司成立于2010年1月，注冊資本2000萬元，位于常州高新區(qū)，是一家專注于高端聲學(xué)元器件研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，面向智能家居、智能安防監(jiān)控、新能源汽車、智能短交通、智能穿戴等諸多新興科技領(lǐng)域提供聲學(xué)解決方案和配套產(chǎn)品。

長飛先進武漢基地首棟建筑封頂，預(yù)計明年7月投產(chǎn)

日前，長飛先進武漢基地項目首棟宿舍樓提前封頂。這標志著，該項目進入投產(chǎn)倒計時，預(yù)計于今年6月全面封頂，明年7月投產(chǎn)。長飛先進武漢基地項目位于武漢新城中心片區(qū)，由長飛先進半導(dǎo)體（武漢）有限公司出資建設(shè)，總投資預(yù)計超過200億元。項目主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，應(yīng)用范圍廣泛覆蓋新能源汽車、光伏儲能、充電樁、電力電網(wǎng)等領(lǐng)域，致力于打造全智能化、世界一流的碳化硅器件制造標桿工廠。項目建成后，將成為國內(nèi)最大的碳化硅功率半導(dǎo)體制造基地。 

項目由中建一局承建，占地面積約22.94萬平方米，建筑面積約30.15萬平方米，主要建設(shè)內(nèi)容包括芯片廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等，建設(shè)周期為578日歷天。項目達產(chǎn)后，預(yù)計可年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，產(chǎn)能位居全國前列，將促進設(shè)備、材料、設(shè)計、制造、封裝、測試等產(chǎn)業(yè)鏈上下游通力合作，助力武漢打造國內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，吸引世界級碳化硅半導(dǎo)體高端人才來武漢就業(yè)創(chuàng)業(yè)，助力形成創(chuàng)新活躍、要素齊全、開放協(xié)同的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

（根據(jù)公開信息整理，供參考）